Diamond depositions were prepared t

Diamond depositions were prepared through microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) technique using a homemade cylindrical shape metal reactor. Growth conditions with
pressure and power of 10 mbar and 550 W, respectively, were used to reach a temperature on the substrate holder of 500 °C. The precursor gas mixture consists of hydrogen, methane and trimethylboron (TMB) at flow rates of 100, 1 and 12 sccm, respectively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Depositions เพชรถูกเตรียมโดยใช้ไมโครเวฟพลาสมาเพิ่มไอเคมีสะสม (MPCVD) เทคนิคการใช้เครื่องปฏิกรณ์เป็นโลหะรูปทรงกระบอกโฮมเมด สภาพการเจริญเติบโตด้วยความดัน และพลังงานของ 10 mbar และ 550 W ตามลำดับ ใช้ถึงอุณหภูมิบนพื้นผิวที่ยึดของ 500 องศาเซลเซียส ส่วนผสมของก๊าซสารตั้งต้นประกอบด้วยไฮโดรเจน มีเทน และ trimethylboron (ทหารไทย) ที่อัตราการไหลของ sccm 100, 1 และ 12 ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

depositions เพชรได้จัดทำผ่านการพลาสม่าไอสารเคมีสะสมเพิ่มไมโครเวฟ (MPCVD) เทคนิคการใช้รูปทรงกระบอกโลหะเครื่องปฏิกรณ์แบบโฮมเมด สภาวะการเจริญเติบโตที่มีความดันและพลังของ 10 และเอ็มบาร์ 550 วัตต์ตามลำดับถูกนำมาใช้ในการเข้าถึงอุณหภูมิบนพื้นผิวถือ 500 ° C
ส่วนผสมสารตั้งต้นประกอบด้วยก๊าซไฮโดรเจนมีเทนและ trimethylboron (TMB) ที่อัตราการไหล 100, 1 และ 12 SCCM ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Depositions เพชรเตรียมผ่านไมโครเวฟพลาสมาเพิ่มขึ้น chemical vapor deposition ( mpcvd ) เทคนิคที่ใช้พาสทรงกระบอกโลหะของเครื่องปฏิกรณ์ การเจริญเติบโตเงื่อนไขกับ
ความดันและพลังของ 10 mbar และ 550 W ตามลำดับใช้ถึงอุณหภูมิบนพื้นผิวที่วาง 500 องศา สารตั้งต้นแก๊สผสมที่ประกอบด้วยไฮโดรเจนก๊าซมีเทนและ trimethylboron ( TMB ) ที่อัตราการไหล 100 , 1 และ 12 sccm ตามลำดับ