Whenever the Lower FETs are Turned

Whenever the Lower FETs are Turned ON at the same time, ie there is a Generation of Boosted
Voltage across the Leakage inductance of the Primary inductance connected to H Bridge by the
Ldi/dt effect and this energy stored in the Leakage Inductance flow through the body diode of the
high Side MOSFETs (Each high side MOSFETs body diode conducts on AC half cycle) and
charge the Battery. Hence the charging current is proportional to the duty cycle of the PWM
switching on Lower Side FETs. (Details of switching follow in the section to come).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตาม FETs ล่าง Turned ON ในเวลาเดียวกัน เช่นมีการสร้างการโปรโมแรงดันไฟฟ้าในการเหนี่ยวนำรั่วไหลของการเหนี่ยวนำหลักที่เชื่อมต่อกับสะพาน H โดยผล Ldi/dt และพลังงานนี้ถูกเก็บไว้ในการเหนี่ยวนำรั่วไหลผ่านไดโอดตัวของการMOSFETs ข้างสูง (แต่ละข้างสูง MOSFETs ร่างกายไดโอดดำเนินบน AC รอบครึ่ง) และชาร์จแบตเตอรี่ ดังนั้น อุณหภูมิเป็นสัดส่วนกับรอบหน้าที่ของ PWMสลับบนล่างข้าง FETs (รายละเอียดติดตามในส่วนของมาเปลี่ยน)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อ FETs ล่างจะเปิดในเวลาเดียวกันคือมีการสร้างเพิ่มขึ้น
แรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนำการรั่วไหลของการเหนี่ยวนำหลักที่เชื่อมต่อกับ H สะพานโดย
ผล Ldi / dt และพลังงานนี้เก็บไว้ในการรั่วไหลของตัวเหนี่ยวนำไหลผ่านร่างกาย ไดโอดของ
MOSFETs ด้านสูง (แต่ละ MOSFETs ด้านไดโอดร่างกายสูงดำเนินการในรอบครึ่ง AC) และ
ชาร์จแบตเตอรี่ ดังนั้นในปัจจุบันการชาร์จเป็นสัดส่วนกับรอบการทำงานของ PWM
เปลี่ยน FETs ด้านล่าง (รายละเอียดของการสลับติดตามในส่วนที่จะมา)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อใดก็ตามที่ fets ล่างจะเปิดในเวลาเดียวกัน เช่น มีการผลิตเพิ่มขึ้นความต่างศักย์ของการเหนี่ยวนำของ 0.05 หรือเชื่อมต่อกับ H สะพานโดยชุมชน / DT Effect และพลังงานนี้ เก็บไว้ในรั่วหรือไหลผ่านไดโอดของร่างกายสอดข้างสูง ( แต่ละด้านสูงสอดตัวไดโอดสัมภาษณ์ในรอบครึ่ง AC ) และชาร์จแบตเตอรี่ ดังนั้นการชาร์จปัจจุบันเป็นสัดส่วนกับวัฏจักรหน้าที่ของคอนโทรลเปลี่ยน fets ข้างล่าง ( รายละเอียดของการติดตามในส่วนที่จะมา )