Figs. S12 and 13 presented electroc

Figs. S12 and 13 presented electrochemical impedance spec-troscopy (EIS) of SnO2@C and SnO2@C/Cu electrodes after test and the corresponding equivalent circuits. According to the literature [24], the high-frequency semicircle is related to Li ion migration through the SEI film covering the surface of the electrode, the middle-frequency semicircle is attributed to charge transfer through the electrode/electrolyte interface, and the steep sloping line is assigned to solid-state diffusion of the Li ions into the bulk of the electrode material. The impedance spectra are fitted with an equivalent circuit as shown in the insets of Figs. S12 and 13, where the symbols, Re,Rsf, Rct, and Rw, denote the solution resistance, the diffusion resistance of Li ions through SEI layer, the charge-transfer resistance and Warburg impedance, respectively. Tables S1 and S2 indicated that the difference of total resistance between SnO2@C and SnO2@C/Cu electrodes tested at room temperature are about three hundreds of Ohm. Most importantly, this difference increased sharply to about one thousand of Ohm when the temperature was reduced to 5 _C, demonstrating a more deterio- rated resistance for pure carbon coating tested at a lower temperature. Thus, the improved performance should be caused by the enhanced conductivity and unique architecture of SnO2@C/ Cu.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มะเดื่อ S12 และ 13 แสดงความต้านทานไฟฟ้าข้อมูลจำเพาะ-troscopy (EIS) ของหุงต SnO2@C และ SnO2@C/Cu หลังจากทดสอบและวงจรเทียบเท่าที่เกี่ยวข้อง ตามวรรณคดี [24], เกี่ยวข้องกับย้ายไอออน Li ผ่านฟิล์มอีไอครอบคลุมพื้นผิวของอิเล็กโทรด semicircle ความถี่สูง semicircle ความถี่กลางบันทึกค่าโอนผ่านอินเทอร์เฟสไฟฟ้า/อิเล็กโทร และเส้นลาดชันให้แพร่โซลิดสเตตของประจุ Li เป็นจำนวนมากวัสดุอิเล็กโทรด แรมสเป็คตราความต้านทานจะติดตั้ง ด้วยเป็นวงจรเทียบเท่าดังที่แสดงใน insets ของมะเดื่อ S12 และ 13 ที่สัญลักษณ์ Re, Rsf, Rct, Rw และแสดงโซลูชันต่อต้าน ต้านทานการแพร่ของ Li ประจุผ่านอีไอชั้น โอนค่าความต้านทาน และต้าน ทานวอร์เบิร์ก ตามลำดับ ตาราง S1 และ S2 ระบุความแตกต่างของความต้านทานรวมระหว่างหุงต SnO2@C และ SnO2@C/Cu ที่ทดสอบที่อุณหภูมิห้องประมาณสามร้อยโอห์ม สำคัญที่สุด ความแตกต่างนี้เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วประมาณหนึ่งพันของโอห์มเมื่ออุณหภูมิลดลง 5 _C เห็นมากกว่า deterio-คะแนนต้านสำหรับเคลือบคาร์บอนบริสุทธิ์ที่ทดสอบที่อุณหภูมิต่ำกว่า ดังนั้น ปรับปรุงประสิทธิภาพควรเกิดจากการนำขั้นสูงและสถาปัตยกรรมเฉพาะของ SnO2@C/ Cu

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ S12 และ 13 นำเสนอความต้านทานข้อมูลจำเพาะ troscopy ไฟฟ้าเคมี (EIS) ของ SnO2 @ ซีและ SnO2 @ C / ลูกบาศ์กขั้วหลังการทดสอบและวงจรเทียบเท่าที่สอดคล้องกัน ตามวรรณคดี [24] ที่เป็นรูปครึ่งวงกลมความถี่สูงที่เกี่ยวข้องกับการโยกย้ายไอออน Li ผ่านภาพยนตร์ SEI ครอบคลุมพื้นผิวของอิเล็กโทรดที่วงกลมกลางความถี่ประกอบกับค่าใช้จ่ายการโอนเงินผ่านอินเตอร์เฟซที่ขั้วไฟฟ้า / อิเลคและสูงชัน สายลาดได้รับมอบหมายให้การแพร่กระจายของรัฐที่มั่นคงของไอออน Li เข้าไปในกลุ่มของวัสดุอิเล็กโทรที่ สเปกตรัมต้านทานมีการติดตั้งวงจรเทียบเท่าตามที่แสดงในขุ่นของมะเดื่อ S12 และ 13 ที่สัญลักษณ์เรื่อง, Rsf, Rct และ Rw, แสดงความต้านทานต่อการแก้ปัญหาความต้านทานต่อการแพร่กระจายของไอออน Li ผ่านชั้น SEI ความต้านทานค่าใช้จ่ายการโอนเงินและความต้านทานวอร์เบิร์กตามลำดับ ตาราง S1 และ S2 ชี้ให้เห็นว่าความแตกต่างของความต้านทานรวมระหว่าง SnO2 @ ซีและ SnO2 @ ซี / ขั้ว Cu ทดสอบที่อุณหภูมิห้องประมาณสามร้อยของโอห์ม สิ่งสำคัญที่สุดคือความแตกต่างนี้เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วประมาณหนึ่งพันของโอห์มเมื่ออุณหภูมิลดลงถึง 5 _C แสดงให้เห็นถึงความต้านทานมากขึ้น deterio- จัดอันดับสำหรับเคลือบคาร์บอนบริสุทธิ์ที่ผ่านการทดสอบที่อุณหภูมิต่ำ ดังนั้นการปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานควรจะเกิดจากการเพิ่มขึ้นและการนำสถาปัตยกรรมที่เป็นเอกลักษณ์ของ SnO2 @ C / ลูกบาศ์ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มะเดื่อ . s12 และ 13 เสนอไฟฟ้าเคมีแบบสเป็ค troscopy ( EIS ) ของ SnO2 @ C และ SnO2 @ C / ลบขั้วไฟฟ้าหลังจากการทดสอบและวงจรสมมูลที่สอดคล้องกัน ตามวรรณคดี [ 24 ] , ความถี่สูงครึ่งวงกลมเป็นเกี่ยวข้องกับการย้ายถิ่นไอออน Li ผ่านเซภาพยนตร์ครอบคลุมพื้นผิวของขั้วไฟฟ้าความถี่กลางครึ่งวงกลมจากค่าธรรมเนียมการโอนผ่านขั้วไฟฟ้า / อิเลคติดต่อและสูงชันลาดเอียงแถวหน้าที่การแพร่ของไอออน Li ในสถานะของแข็งของวัสดุอิเล็กโทรด ค่าติดตั้งให้กับวงจรสมมูลตามที่แสดงใน insets มะเดื่อ . s12 และ 13 ซึ่งเป็นสัญลักษณ์ , Re , อาร์เอสเอฟ Razorflame , และ , RW ,แสดงถึงความต้านทานแก้ปัญหาการแพร่ของไอออน Li ผ่านความต้านทานชั้นเซ , ค่าธรรมเนียมการโอนและค่าความต้านทาน วอร์เบิร์ก ตามลำดับ ตาราง S1 และ S2 พบว่า ความแตกต่างของความต้านทานรวมระหว่าง SnO2 @ C และ SnO2 @ C / ลบขั้วไฟฟ้า ทดสอบที่อุณหภูมิห้องประมาณสามร้อยโอห์ม ที่สำคัญที่สุดความแตกต่างนี้เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วประมาณหนึ่งพันของโอห์ม เมื่ออุณหภูมิลดลงถึง 5 _c แสดงให้เห็นมากขึ้น deterio ที่มีความต้านทานสำหรับเคลือบคาร์บอนบริสุทธิ์ ทำการทดลองที่อุณหภูมิต่ำกว่า ดังนั้น การปรับปรุงผลการปฏิบัติงานควรเกิดจากการเพิ่มความสถาปัตยกรรมที่เป็นเอกลักษณ์ของ SnO2 @ C / ลบ .