PID has been typically studied in p

PID has been typically studied in p-type based Si PV modules (1-8). Metal ions, such as Na, which are involved in the soda lime front cover glass, and migrate toward the Si cell by high-voltage stress, are considered to cause PID (9-13). decrease in the shunt resistance of modules owing to influence of Na on p-n junction seems to be main reason leading to PID in p-type Si PV modules (Shunting type mechanism (12))

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หมายเลขผลิตภัณฑ์ได้รับการศึกษาโดยทั่วไปในโมดูล PV ศรีคะแนนชนิด p (1-8) ไอออนโลหะ เช่นนา ซึ่งเกี่ยวข้องกับโซดามะนาวด้านหน้าฝาครอบแก้ว และโยกย้ายไปทางเซลล์ซี โดยความเครียดแรงดันสูง จะถือว่าทำให้เกิด PID (9-13) ลดลงในการต่อต้านการแบ่งโมดูเนื่องจากอิทธิพลต่อ p-n junction ของนาน่าจะ เป็นเหตุผลหลักที่นำไปสู่ PID ในโมดูล PV ศรีชนิด p (Shunting ชนิดกลไก (12))

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

PID ได้รับการศึกษาโดยทั่วไปใน P-ประเภทตามโมดูลศรี PV (1-8) ไอออนโลหะเช่นนาซึ่งมีส่วนร่วมในมะนาวโซดาแก้วฝาครอบด้านหน้าและย้ายไปยังเซลล์ศรีจากความเครียดแรงดันสูงได้รับการพิจารณาที่จะทำให้เกิด PID (9-13) การลดลงของความต้านทาน shunt ของโมดูลเนื่องจากอิทธิพลของนาบนทางแยก PN น่าจะเป็นเหตุผลหลักที่นำไปสู่​​ PID ใน P-ประเภทโมดูลศรี PV (แบ่งกลไกชนิด (12))

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไอดีที่ได้รับมักจะใช้ในซีพีจากโมดูล PV ( 1-8 ) ไอออนของโลหะ เช่น นา ซึ่งจะเกี่ยวข้องกับโซดา มะนาว ด้านหน้าครอบแก้ว และโยกย้ายไปสู่เซลล์ศรีด้วยแรงดันสูงความเครียด ถือว่าทำให้ไอดี ( 9-13 ) ลดความต้านทานของโมดูล shunt เนื่องจากอิทธิพลของนาใน p-n ชุมทางดูเหมือนจะเป็นเหตุผลหลักที่ทำให้ไอดีพีซีในโมดูล PV ( แบ่งกลไกประเภท ( 12 )