The temperature coefficient of resi

The temperature coefficient of resistance (TCR) is a major and important characteristic of thin film resistors. In this study, we focus on the dependence of TCR on different Ni–Cr film thickness and different annealing conditions. The electron mean free path (MFP) of Ni–Cr film has been determinate. Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM) has been used in studying the morphology of the Ni–Cr film; X-ray diffraction (XRD) has been similarly employed in studying the transformation of the crystallite phase. The TCR performance is stable as the Ni–Cr film thickness is thicker than the electron MFP, and increases slightly as the annealing temperature increases. The 30 nm thickness of Ni–Cr film was annealed at 300 °C; in this phase, metastable amorphous and crystalline film was formed. We obtained the thin film resistors of low TCR under ±5 ppm/°C at −55 and 125 °C

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทาน (TCR) เป็นลักษณะที่สำคัญ และสำคัญของ resistors ฟิล์มบาง ในการศึกษานี้ เรามุ่งเน้นการพึ่งพาของ TCR ความหนาฟิล์ม Ni – Cr แตกต่างกันและเงื่อนไขต่าง ๆ หลอม อิเล็กตรอนหมายถึงฟรีเส้นทาง (MFP) ฟิล์ม Ni – Cr ได้ determinate มีการใช้ฟิลด์มลพิษสแกนอิเล็กตรอน Microscopy (FE SEM) ในการศึกษาสัณฐานวิทยาของฟิล์ม Ni – Cr พนักงานเอกซเรย์การเลี้ยวเบน (XRD) ในการศึกษาการเปลี่ยนแปลงของระยะ crystallite ทำนองเดียวกัน ประสิทธิภาพการทำงานของ TCR มีเสถียรภาพเป็น Ni – Cr ฟิล์มหนาหนากว่าอิเล็กตรอน MFP และเพิ่มขึ้นเล็กน้อยเป็นเพิ่มอุณหภูมิหลอม 30 nm ความหนาฟิล์ม Ni – Cr ถูก annealed ที่ 300 ° C metastable ฟิล์มไป และผลึกเกิดขึ้นในระยะนี้ เรารับ resistors ฟิล์มบางของ TCR ต่ำภายใต้± 5 ppm / ° C ที่ −55 และ 125 ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทาน (TCR) เป็นลักษณะที่สำคัญและมีความสำคัญของตัวต้านทานฟิล์มบาง ในการศึกษานี้เรามุ่งเน้นการพึ่งพาอาศัยกันของ TCR ที่แตกต่างกันในความหนาของฟิล์ม Ni-Cr และเงื่อนไขการหลอมที่แตกต่างกัน อิเล็กตรอนหมายถึงเส้นทางฟรี (MFP) ของภาพยนตร์ Ni-Cr ได้รับการกำหนด สนาม Emission กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (FE-SEM) ได้ถูกนำมาใช้ในการศึกษาลักษณะทางสัณฐานวิทยาของภาพยนตร์ Ni-Cr นั้น X-ray diffraction (XRD) ได้รับการว่าจ้างในทำนองเดียวกันในการศึกษาการเปลี่ยนแปลงของเฟสผลึก ผลการดำเนินงาน TCR มีเสถียรภาพในขณะที่ความหนาของฟิล์ม Ni-Cr จะหนากว่า MFP อิเล็กตรอนและการเพิ่มขึ้นเล็กน้อยอุณหภูมิการหลอมเพิ่มขึ้น ความหนา 30 นาโนเมตรของภาพยนตร์ Ni-Cr ถูกอบที่ 300 องศาเซลเซียส ในขั้นตอนนี้ภาพยนตร์เรื่องรูปร่างและผลึก metastable ที่ถูกสร้างขึ้น เราได้รับตัวต้านทานฟิล์มบางของ TCR ต่ำภายใต้± 5 ppm / ° C ที่ -55 และ 125 ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุณหภูมิมีค่าสัมประสิทธิ์ของความต้านทาน ( ประวัติ ) เป็นหลัก และที่สำคัญลักษณะของตัวต้านทานฟิล์มบาง ในการศึกษาครั้งนี้เราเน้นการพึ่งพาของภูมิภาคในที่แตกต่างกันและความหนาของฟิล์ม ฉัน CR และแตกต่างกันขนาดนั้น อิเล็กตรอนหมายถึงเส้นทางฟรี ( MFP ) ของฉัน– CR ภาพยนตร์ได้ถูกเจาะจงสนามจากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( fe-sem ) ได้ถูกใช้ในการศึกษาสถานภาพของ CR ฉัน–ภาพยนตร์ ; การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ได้เหมือนกับที่ใช้ในการศึกษาการเปลี่ยนแปลงของผลึกของเฟส การแสดงระดับคงที่เป็น CR ฉัน–ความหนาของฟิล์มที่หนากว่าอิเล็กตรอน MFP และเพิ่มขึ้นเล็กน้อยเป็นอ่อน เพิ่มอุณหภูมิ30 ทำไม nm ความหนาของฟิล์ม ฉัน– CR อบที่ 300  ° C ; ในขั้นตอนนี้ , ฟิล์มอะมอร์ฟัสและผลึกเมตาสเตเบิลถูกสร้างขึ้น เราได้รับบางตัวภาพยนตร์ของระดับต่ำภายใต้± 5 ไหม ppm / ° C ที่ − 55 125  ° c