Magnesium silicide (Mg2Si) is a pro

Magnesium silicide (Mg2Si) is a promising narrow gap semiconductor which can be used as a thermoelectric material. Chemical vapor deposition by pack cementation, which is a simple and low cost technique, was used for the first time in this work for the formation of Mg2Si compound. A series of experiments were carried out at temperatures 500–650 °C with different deposition times ranging between 15 and 180 min. As a result single phase thick layers have been prepared, depending on growth temperature and deposition time. Mg2Si was formed as a result of the Mg diffusion into the Si matrix while the film thickness increased with the deposition time, and temperature. Electrical and optical properties of the grown layers have been investigated. The examination of the as formed material was completed by performing thermal stability tests, for the determination of the safe service temperature range of the coupons. From all the experimental outcomes, it is concluded the optimum conditions for the formation of Mg2Si films is at 650 °C for a 180 min deposition period.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิไซด์แมกนีเซียม (mg2si) เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีแนวโน้มช่องว่างแคบ ๆ ที่สามารถนำมาใช้เป็นวัสดุเทอร์โม ไอสารเคมีสะสมโดยประสานแพ็คซึ่งเป็นเทคนิคที่ค่าใช้จ่ายที่ง่ายและต่ำถูกนำมาใช้เป็นครั้งแรกในงานนี้สำหรับการก่อตัวของสารประกอบ mg2siชุดของการทดลองที่ได้รับการดำเนินการที่อุณหภูมิ 500-650 องศาเซลเซียสกับเวลาสะสมที่แตกต่างกันระหว่าง 15 และ 180 นาที เป็นผลให้ชั้นเฟสเดียวหนานี้ได้จัดทำขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของการเจริญเติบโตและการสะสมเวลา mg2si ที่ถูกสร้างขึ้นเป็นผลมาจากการแพร่กระจายมิลลิกรัมเป็นเมทริกซ์ si ในขณะที่ความหนาของฟิล์มที่เพิ่มขึ้นกับเวลาสะสมและอุณหภูมิสมบัติทางไฟฟ้​​าและแสงของชั้นเติบโตขึ้นได้รับการตรวจสอบ การตรวจสอบของวัสดุที่กลายเป็นเป็นที่เรียบร้อยแล้วโดยการดำเนินการทดสอบการทนความร้อนสำหรับการกำหนดช่วงอุณหภูมิในการให้บริการความปลอดภัยของคูปอง จากผลการทดลอง,สามารถสรุปสภาวะที่เหมาะสมสำหรับการก่อตัวของ mg2si ภาพยนตร์อยู่ที่ 650 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 180 นาทีระยะเวลาการฝากเงิน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แมกนีเซียม silicide (Mg2Si) เป็นช่องว่างแคบสารกึ่งตัวนำสัญญาซึ่งสามารถใช้เป็นวัสดุแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ ไอสารเคมีสะสม โดยแพ็ค cementation ซึ่งเป็นเทคนิคที่ง่าย และต้นทุนต่ำ ถูกใช้เป็นครั้งแรกในงานนี้สำหรับการก่อตัวของ Mg2Si ผสม ชุดการทดลองที่ดำเนินที่อุณหภูมิ 500–650 องศา C มีสะสมต่างเวลาระหว่าง 15 และ 180 นาที ดังนั้น ชั้นเดียวหนาได้ถูกเตรียมไว้ ขึ้นอยู่กับเวลาอุณหภูมิและสะสมเจริญเติบโต Mg2Si ถูกก่อตั้งขึ้นจากแพร่มิลลิกรัมในเมทริกซ์ในขณะที่ความหนาฟิล์มเพิ่ม มีเวลาสะสม และอุณหภูมิ มีการตรวจสอบคุณสมบัติแสง และไฟฟ้าของชั้นปลูก การตรวจสอบวัสดุที่มีรูปแบบเป็นเสร็จ โดยทดสอบเสถียรภาพความร้อน การกำหนดช่วงอุณหภูมิปลอดภัยบริการของคูปอง จากผลทั้งหมดทดลอง มันจะสรุปเงื่อนไขเหมาะสมสำหรับการก่อตัวของฟิล์ม Mg2Si ที่ 650 ° C เป็นระยะเวลา 180 นาทีสะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แมกนีเซียม silicide (มก. 2 ศรี)เป็นเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างแคบๆดาวรุ่งอนาคตไกลซึ่งสามารถใช้เป็นวัสดุ thermoelectric ที่ เคลือบไอเคมีอุตสาหกรรมเคมีโดย, Cementation , Bombardier , Goodyear , Sandvik Pack ซึ่งเป็นเทคนิคต้นทุนต่ำแบบเรียบง่ายและได้ถูกใช้เป็นครั้งแรกในงานนี้สำหรับการสร้างที่ผสมผสานกันของ 2 ศรีมก.ชุดการทดลองได้ถูกออกจากที่ อุณหภูมิ 500-650 ° C พร้อมด้วยช่วงเวลาวางหลากหลายระหว่าง 15 และ 180 ช่วงนาทีเป็นผลเดี่ยวชั้นหนามีการเตรียมความพร้อมขึ้นอยู่กับ อุณหภูมิ การเติบโตทางเศรษฐกิจและเวลาวาง มก. 2 ศรีมาเป็นผลมาจากแพร่มก.เข้าไปในตารางศรีในขณะที่ความหนาของ ภาพยนตร์ ที่เพิ่มขึ้นด้วย อุณหภูมิ และเวลาที่วางคุณสมบัติทางไฟฟ้าและออปติคอลไดรฟ์ของชั้นปลูกที่มีการตรวจสอบ วัสดุเชื่อมต่อในการตรวจสอบของจัดตั้งเป็นที่เป็นที่เรียบร้อยแล้วโดยการทำการทดสอบการระบายความร้อนสำหรับการกำหนดความมั่นคงของช่วง อุณหภูมิ บริการตู้นิร ภัย ของคูปองได้ จากผลลัพธ์ที่ทดลองทั้งหมดผลสรุปได้เงื่อนไขที่เหมาะสมสำหรับการวางรูปแบบของ ภาพยนตร์ มก. 2 ศรีอยู่ที่ 650 ° C สำหรับช่วงเวลา 180 นาทีวางที่