Room temperature (RT)-NIL [16–19] c

Room temperature (RT)-NIL [16–19] can be performed without
heating, cooling, or UV irradiation. In this process, sol–gel materials
are used to take the impressions. The sol–gel process is a series of
procedure involving a solution or a sol that undergoes a sol–gel
transition, which involves hydrolyzation, condensation, evaporation,
and a gel transition [20]. For example, a spin-on-glass (SOG)
material can be used to perform RT-NIL. SOG is a well-known interlayer
insulation material used in semiconductor fabrication [21]
that becomes rigid through the sol–gel process. To carry out RTNIL
using a hard mold, high pressure is required to imprint with
hydrogen silsesquioxane (HSQ), which is an inorganic SOG material.
To reduce the imprinting pressure, an organic SOG (O-SOG)
can be used. An example is OCNL540 (Tokyo Ohka Kogyo Co., Japan),
the chemical structure of which is shown in Fig. 3. This OSOG
molecule is characterized by a methyl group in the polymer
structure instead of the H group found in SOG. The curing rate of
OCNL540 is reduced by controlling the sol–gel process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุณหภูมิห้อง (RT) -NIL [16-19] สามารถทำได้โดยเครื่องทำความร้อน เย็น หรือวิธีการฉายรังสี UV ในกระบวนการนี้ โซลเจลวัสดุใช้การแสดงผลที่ กระบวนการโซลเจลเป็นชุดขั้นตอนที่เกี่ยวข้องกับปัญหาหรือโซลที่ผ่านการโซลเจลเปลี่ยนแปลง ที่เกี่ยวข้อง hydrolyzation การควบแน่น การระเหยและเปลี่ยนเจ [20] ตัวอย่าง การหมุนบนแก้ว (SOG)สามารถใช้วัสดุทำ RT NIL SOG มี interlayer รู้จักวัสดุฉนวนกันความร้อนที่ใช้ในการผลิตสารกึ่งตัวนำ [21]ที่กลายเป็นเข้มงวดตลอดกระบวนการโซลเจล การดำเนินการ RTNILใช้แม่พิมพ์ยาก ความดันสูงจะต้องตราด้วยไฮโดรเจน silsesquioxane (HSQ), ซึ่งเป็นวัสดุ SOG อนินทรีย์ลดความดัน imprinting, SOG มีอินทรีย์ (O-SOG)สามารถใช้ ตัวอย่างคือ OCNL540 (โตเกียว Ohka โคเกียว จำกัด ญี่ปุ่น),โครงสร้างทางเคมีที่จะแสดงใน Fig. 3 OSOG นี้โมเลกุลมีลักษณะกลุ่ม methyl ในพอลิเมอร์โครงสร้างแทนกลุ่ม H พบใน SOG อัตราบ่มผิวOCNL540 จะลดลง โดยการควบคุมกระบวนการโซลเจล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุณหภูมิห้อง (RT) -NIL [16-19] สามารถดำเนินการได้โดยไม่ต้อง
ความร้อนความเย็นหรือการฉายรังสียูวี ในขั้นตอนนี้วัสดุโซลเจล
ที่ใช้ในการใช้การแสดงผล กระบวนการโซลเจลเป็นชุดของ
ขั้นตอนที่เกี่ยวข้องกับการแก้ปัญหาหรือโซลที่ผ่านโซลเจล
การเปลี่ยนแปลงที่เกี่ยวข้องกับการ hydrolyzation การควบแน่นการระเหย
และการเปลี่ยนแปลงเจล [20] ยกตัวอย่างเช่นการหมุนบนกระจก (SOG)
วัสดุที่สามารถนำมาใช้ในการดำเนิน RT-NIL SOG เป็น interlayer ที่รู้จักกันดี
วัสดุฉนวนกันความร้อนที่ใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ [21]
ที่กลายเป็นแข็งผ่านกระบวนการโซลเจล เพื่อดำเนินการ RTNIL
โดยใช้แม่พิมพ์อย่างหนักความดันสูงจะต้องประทับด้วย
ไฮโดรเจน silsesquioxane (HSQ) ซึ่งเป็นวัสดุ SOG นินทรีย์.
เพื่อลดความดันประทับ, SOG อินทรีย์ (O-SOG)
สามารถนำมาใช้ ตัวอย่างคือ OCNL540 (โตเกียว Ohka Kogyo Co. , ญี่ปุ่น)
โครงสร้างทางเคมีของซึ่งจะแสดงในรูปที่ 3. OSOG นี้
โมเลกุลเป็นลักษณะกลุ่มเมธิลลีเมอร์
โครงสร้างแทนของกลุ่ม H ที่พบใน SOG อัตราการบ่มของ
OCNL540 จะลดลงโดยการควบคุมกระบวนการโซลเจล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุณหภูมิห้อง ( RT ) - นิล [ 16 ] 19 –สามารถดำเนินการโดยไม่
ความร้อน , เย็น , หรือ UV รังสี . ในกระบวนการนี้ โซล–วัสดุเจล
จะใช้แสดงผล โซล - เจล กระบวนการที่เป็นชุดของกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับ
สารละลายหรือโซลที่โซล - เจล
เปลี่ยนผ่านซึ่งเกี่ยวข้องกับแอลฟา , ไอน้ำ , การระเหย ,
และเจลเปลี่ยน [ 20 ] ตัวอย่างเช่นหมุนบนแก้ว ( SOG )
วัสดุสามารถใช้แสดง rt-nil . รายงานตัวเป็น ที่รู้จักกันดี เป็นตัวเชื่อม
วัสดุฉนวนที่ใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ [ 21 ]
ที่กลายเป็นแข็ง ผ่านกระบวนการโซล - เจล . เพื่อดำเนินการ rtnil
โดยใช้แม่พิมพ์แข็ง , ความดันสูงจะต้องประทับ
ไฮโดรเจน silsesquioxane ( hsq ) ซึ่งเป็นวัสดุที่เปียกชุ่มอนินทรีย์ .
ลดใส่ความกดดันที่สนามอินทรีย์ ( o-sog )
สามารถใช้ ตัวอย่างคือ ocnl540 ( โตเกียว ohka KOGYO Co . , Japan )
โครงสร้างทางเคมี ซึ่งจะแสดงในรูปที่ 3 นี้ osog
โมเลกุลเป็นลักษณะการใช้กลุ่มในโครงสร้างของพอลิเมอร์
แทนของกลุ่ม H พบใน SOG . รักษาอัตรา
ocnl540 ลดลงโดยการควบคุมโดยกระบวนการโซลเจล .