This result could be attributed to

This result could be attributed to the relatively low electronic conductivity (electron diffusion coefficient in TiO2is about 10−5cm s−1) [32] of the semiconducting TiO2 compared to that of the FTO conductive layer, which mainly contributes to the over potential for the electrodeposition of metal NPs. The over potential has significant influence on the nuclei formation andparticle growth [33].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลนี้อาจเกิดจากการนำอิเล็กทรอนิกส์ค่อนข้างต่ำ (อิเล็กตรอนแพร่สัมประสิทธิ์ใน TiO2is เกี่ยวกับ 10−5cm s−1) [32] ของ TiO2 ตัวเปรียบเทียบกับชั้นไฟฟ้า FTO ซึ่งส่วนใหญ่สนับสนุนมากกว่าเป็นการเคลือบของ NPs โลหะได้ มีศักยภาพมากมีอิทธิพลสำคัญในการเติบโต andparticle การก่อแอลฟา [33]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลที่ได้นี้สามารถนำมาประกอบกับการนำค่อนข้างต่ำอิเล็กทรอนิกส์ (อิเล็กตรอนค่าสัมประสิทธิ์การแพร่ใน TiO2is เกี่ยวกับ 10-5cm s-1) [32] ของ TiO2 กึ่งตัวนำเทียบกับที่ของ FTO ชั้นนำไฟฟ้าซึ่งส่วนใหญ่ก่อให้เกิดในช่วงที่มีศักยภาพสำหรับ อิเล็กโทรของ NPS โลหะ ที่อาจเกิดขึ้นในช่วงที่มีอิทธิพลสำคัญในการสร้างการเจริญเติบโตของนิวเคลียส andparticle [33]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลที่ได้นี้อาจจะเกิดจากการนำไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์ค่อนข้างต่ำ ( อิเล็กตรอนค่าสัมประสิทธิ์การแพร่ใน tio2is ประมาณ 10 − 5 s − 1 ) [ 32 ] ของ TiO2 กึ่งตัวนำเมื่อเทียบกับของ FTO Conductive layer ซึ่งส่วนใหญ่แก่กว่าศักยภาพในการเกาะของ NPS โลหะ มากกว่าที่มีศักยภาพที่มีอิทธิพลอย่างมีนัยสำคัญต่อการเติบโตของ andparticle [ 33 ]