Multilayer GO/PAH Film Growth. Hydr

Multilayer GO/PAH Film Growth. Hydroxylated silicon wafers were primed with one of three different types of cationic
monolayers in order to initiate the growth of the GO films.This was achieved either by (1) reacting with 4-((dimethylmethoxy)silyl)butylamine (15 h treatment with a 5% toluene solution under dry Ar, over KOH at ambient temperature) or by (2) adsorbing a monolayer of aluminum Keggin ions (5 min adsorption from aqueous solution of the chloride salt at 80 °C19)or by (3) adsorbing PAH (15 min adsorption from a 0.01 M aqueous solution at pH 7 and ambient temperature). The primed Si substrates (1, 2, and 3) are designated hereafter as Si(NH2), Si(OH)/Al-Kg, and Si(OH)/PAH, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลายชั้นไป/ป้า ฟิล์มเติบโต รับซิลิคอน hydroxylated ได้มีการรอง ด้วยสามประเภท cationic
monolayers การเริ่มต้นเจริญเติบโตของฟิล์มไปนี้สำเร็จอย่างใดอย่างหนึ่งตาม (1) ปฏิกิริยากับ 4- (silyl (dimethylmethoxy)) butylamine (15 h รักษาโซลูชันภายใต้ Ar แห้ง โทลูอีน 5% ผ่านเกาะที่อุณหภูมิ) หรือ (2) adsorbing monolayer ของประจุ Keggin อลูมิเนียม (5 นาทีดูดซับจากการละลายของเกลือคลอไรด์ที่ 80 ° C19) หรือ (3) adsorbing ละ (ดูดซับ 15 นาทีละลาย 0.01 M ที่อุณหภูมิและค่า pH 7) มีการรองสีพื้นผิว (1, 2 และ 3) ที่กำหนดโดยเป็น Si(NH2) ซี (OH) / อัลกก. และซี (OH) / ป้า ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Multilayer GO / PAH การเจริญเติบโตฟิล์ม เวเฟอร์ซิลิกอน hydroxylated ถูกครอบงำด้วยหนึ่งในสามประเภทที่แตกต่างกันของประจุบวก
monolayers เพื่อที่จะเริ่มต้นการเจริญเติบโตของ GO films.This ก็ประสบความสำเร็จอย่างใดอย่างหนึ่งโดย (1) ทำปฏิกิริยากับ 4 - ((dimethylmethoxy) silyl) butylamine (15 ชั่วโมงที่มีการรักษา ทางออกที่โทลูอีน 5% ภายใต้แห้งเท่กว่า KOH ที่อุณหภูมิห้อง) หรือ (2) ดูดซับ monolayer อลูมิเนียมไอออน Keggin (5 นาทีจากการดูดซับสารละลายของเกลือคลอไรด์ที่ 80 ° C19) หรือ (3) ดูดซับ PAH ( 15 นาทีการดูดซับจาก 0.01 M สารละลายที่ pH 7 และอุณหภูมิ) primed พื้นผิวศรี (1, 2 และ 3) ที่กำหนดต่อจากนี้เป็นศรี (NH2) ศรี (OH) / อัลกิโลกรัมและศรี (OH) / PAH ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชั้นไป / ป่า ( ภาพยนตร์ ) hydroxylated ซิลิกอนเวเฟอร์เป็น primed กับหนึ่งสามประเภทแตกต่างกันของทราย
monolayers เพื่อเริ่มต้นการเติบโตของไปภาพยนตร์ นี้ทำโดย ( 1 ) ทำปฏิกิริยากับ 4 - ( ( dimethylmethoxy ) silyl ) บิว ( รักษา 15 H กับ 5% โทลูอีนสารละลายภายใต้บริการอาร์เหนือเกาะในอุณหภูมิปกติ ) หรือ ( 2 ) เป็นชั้นที่ดูดซับไอออน keggin อลูมิเนียม ( 5 นาทีจากการดูดซับสารละลายของเกลือคลอไรด์ที่ 80 องศา c19 ) หรือ ( 3 ) ผ้าดูดซับ ( ดูดซับจากสารละลาย 0.01 M ที่พีเอช 7 และอุณหภูมิ 15 นาที ) การลงสีพื้นศรีพื้นผิว ( 1 , 2 , และ 3 ) เขตต่อเป็นศรี ( nh2 ) Si ( OH ) / อัล กิโลกรัม และ ศรี ( OH ) / ป่า ตามลำดับ