A comparison has been made between

A comparison has been made between Raman spectra obtained from samples that have been crystallized at
different pulse energies (Fig. 2). As can be seen the graph spectra does not change much by increasing the energy.
That indicates that the samples are fully crystallized at energies less or equal to 330 mJ/cm2 and further increase of
energy does not lead to increase of crystallinity. The crystalline silicon spectrum in Figure 2 is given just for visual
comparison of broadening of Raman spectrum line in the case of p-Si.
Although crystallinity of the p-Si film does not change by increasing laser pulse energy, same cannot be said about
surface roughness and grain size of the film. As revealed by AFM measurements the starting a-Si film is very
smooth and has surface roughness of approximately 2.5 nm, and it stays relatively smooth (

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ได้ทำการเปรียบเทียบระหว่างแรมสเป็คตรารามันที่ได้จากตัวอย่างที่มีการตกผลึกที่พลังงานอื่นชีพจร (Fig. 2) เป็นสามารถมองเห็นแรมสเป็คตรากราฟไม่เปลี่ยนแปลงมาก โดยการเพิ่มพลังงานที่บ่งชี้ว่า ตัวอย่างทั้งหมดได้ตกผลึกที่พลังงานน้อยกว่า หรือเท่ากับ 330 mJ/cm2 และเพิ่มเติม ของพลังงานไม่มีนำไปสู่เพิ่มของ crystallinity ให้สเปกตรัมผลึกซิลิคอนในรูปที่ 2 เพียงสำหรับ visualการเปรียบเทียบ broadening ของเส้นสเปกตรัมรามันในกรณีของพีซีแม้ crystallinity ของฟิล์มซีพีไม่เปลี่ยนแปลง โดยเพิ่มพลังงานพัลส์เลเซอร์ เหมือนไม่ได้พูดผิวความหยาบและเมล็ดขนาดของฟิล์ม เปิดเผย โดยวัด AFM เริ่มต้นที่ซีฟิล์มเป็นมากเรียบ และมีความหยาบผิวประมาณ 2.5 nm และอยู่ค่อนข้างราบรื่น (< 12 nm) สำหรับพลังงานขึ้นการ 200 mJ/cm2 หลังจากนี้พลังงานจำกัด ผิวความหยาบและเมล็ดขนาดเพิ่มขึ้น ใน 3 ตัวเลขและพื้นผิวฟิล์มซิลิค 4 จะปรากฏหลังจากทำกระบวนการ LC โดยแรงกระตุ้นจากเลเซอร์เดียว เท่าที่สามารถเห็น เพิ่มพลังงานชีพจรจาก 312 418 mJ/cm2 ขนาดเมล็ดเพิ่มขึ้นประมาณห้าครั้ง แต่พื้นผิวความหยาบเท่าสองครั้งจาก 41 ไป 81 nm หมายความ ว่า ธัญพืชคได้รับใหญ่แนวนอนเร็วกว่า perpendicularly ถึงพื้นผิว เป็นคุณสมบัติสำคัญของเลเซอร์ที่ตกผลึกซีพีฟิล์มไป largegrainedฟิล์มโพลีซิลิคอนFig. 3 ภาพ AFM (1 x 1 μm) พีซีฟิล์มหลัง 1ชีพจรของ 312 mJ/cm2 ความหยาบผิวเป็น 41 nmFig. 4 AFM รูป (1 x 1 μm) พีซีฟิล์มหลัง 1ชีพจรของ 418 mJ/cm2 ความหยาบผิวเป็น 81 nm4. บทสรุป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเปรียบเทียบได้ระหว่างสเปกตรัมรามัน ได้จากตัวอย่างที่ได้ตกผลึกที่
พลังชีพจรต่างๆ ( รูปที่ 2 ) โดยจะเห็นกราฟนี้ไม่ได้เปลี่ยนแปลงมากนัก โดยการเพิ่มพลังงาน .
ที่บ่งบอกว่าตัวอย่างอย่างตกผลึกที่พลังน้อยกว่าหรือเท่ากับ 330 MJ / cm2 และเพิ่มต่อไป
พลังงานไม่ก่อให้เกิดการเพิ่มขึ้นของผลึก .คลื่นซิลิคอนผลึกในรูปที่ 2 จะได้รับเพียงการขยายของภาพ
ของรามันสเปกตรัมเส้นในกรณีของ p-si .
ถึงแม้ว่าความเป็นผลึกของฟิล์ม p-si ไม่ได้เปลี่ยนโดยการเพิ่มพลังงานพัลส์เลเซอร์ , เดียวกันไม่สามารถกล่าวเกี่ยวกับ
ความหยาบของพื้นผิวและขนาดเกรนของฟิล์ม พบว่าโดยการวัด AFM ฟิล์มอะมอร์ฟัสซิลิคอนเริ่มต้นมาก
เรียบและมีพื้นผิวขรุขระประมาณ 2.5 นาโนเมตร และมันยังคงค่อนข้างเรียบ ( < 12 nm ) พลังขึ้น
200 MJ / cm2 หลังจากที่เกณฑ์นี้ พลังงาน ความหยาบกร้านของผิว และเพิ่มขนาดของอย่างมาก ตัวเลข 3
4 แผ่นซิลิกอน polycrystalline ผิวฟิล์มจะแสดงหลังจากกระบวนการ LC โดยใช้แรงกระตุ้นเลเซอร์เพียงครั้งเดียว โดย
เห็นโดยการเพิ่มพลังงานชีพจรจากเพื่อคุณ MJ / cm2 ขนาดเมล็ดข้าวเพิ่มขึ้นประมาณ 5 เท่า แต่
ความหยาบของพื้นผิวเพียงสองครั้งจาก 41 81 nm . ซึ่งหมายความว่า polycrystalline เม็ดใหญ่ขึ้น
แนวนอน เร็วกว่าอย่างตั้งฉากกับพื้นผิวของ มันเป็นคุณสมบัติที่สำคัญของเลเซอร์ที่ตกผลึก p-si ภาพยนตร์ที่จะได้รับฟิล์มโพลีซิลิคอน largegrained
.
รูปที่ 3AFM รูปภาพ ( μ 1x1 เมตร ) p-si ฟิล์มหลัง 1
ชีพจรของ 312 MJ / cm2 ความหยาบของพื้นผิว 41 nm .
รูปที่ 4 รูป ( AFM μ 1x1 เมตร ) p-si ฟิล์มหลัง 1
ชีพจรของคุณ MJ / cm2 ความหยาบของพื้นผิวเป็น 81 nm .
4 สรุป