boron atoms in an area concentratio

boron atoms in an area concentration of 10^16 are introduced into an n-type wafer from a boron source in a carrier gas. the strating n-type wafer has a uniform donor contration of 5*10^15 cm. The subsequent drive-in diffusion is carried out at 1100 C in a oxygen ambient. The desired junction depth is micron. How long should the drive-in diffusion be continued? Assume that the diffusion coefficient of boron is 10^-12 cm at 1100 C

Iteratively solving for the time t (seconds) (by trial and error) gives

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อะตอมโบรอนในความเข้มข้นพื้นที่ 10 ^ 16 จะนำเข้าสู่เวเฟอร์ชนิดเอ็นจากแหล่งโบรอนในก๊าซ Strating เวเฟอร์ชนิดเอ็นมี contration บริจาคเครื่องแบบ 5 * 10 ^ 15 ซม. การแพร่กระจายของไดรฟ์ในภายหลังจะดำเนินการที่ 1100 ซีในออกซิเจนโดยรอบ ความลึกทางแยกที่ต้องการเป็นไมครอน นานแค่ไหนที่ควรจะไดรฟ์ในการแพร่กระจายอย่างต่อเนื่อง? สมมติว่าค่าสัมประสิทธิ์การแพร่ของโบรอนเป็น 10 ^ -12 ซม. ที่ 1100 C Iteratively แก้เป็นครั้งตันขึ้นไป (วินาที) (โดยการทดลองและข้อผิดพลาด) ให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โบรอนอะตอมในพื้นที่ความเข้มข้น 10
16 มีแนะนำเป็นเวเฟอร์ทั่วไปจากแหล่งในการขนส่งก๊าซ โดยทั่วไป strating เวเฟอร์มีท้องเกร็งผู้บริจาคเครื่องแบบ 5 * 10
15 เซนติเมตร ขับตามมาในการแพร่กระจายข้อมูลที่ 1100 องศาเซลเซียส ในอากาศแวดล้อม ชุมทางที่ต้องการความลึกเป็นไมครอน นานเท่าไหร่ควรไดรฟ์ในการแพร่กระจายต่อไป ?สมมติว่า การแพร่ของสารคือ 10
- 12 ซม. ที่ 1100 C

ซ้ำในเวลา t ( วินาที ) ( ลองผิดลองถูก ) ให้