carrier concentration(n) and Hall mobility (l) for ATO-12 ceramics without post-annealing and with post-annealing at 800 C for 100 h are shown in Table 2.
ความเข้มข้นของสารตัวพา ( N ) และหอประชุม Mobility ( L ) สำหรับ ato-12 เครื่องเคลือบโดยไม่โพสต์ annealing และหลังอบอ่อนที่อุณหภูมิ 800 C 100 H แสดงในตารางที่ 2