2.3. Characterization of Mt, OMt an

2.3. Characterization of Mt, OMt and CPN
2.3.1. X-ray diffraction analysis
Wide-angle X-ray diffraction (WAXD) patterns with nickel filtered
Cu-Kα radiation were obtained in reflection, with an automatic Bruker
D8 Advance diffractometer. Patterns were recorded in 2°–80° as the
2θ range, 2θ being the diffraction peak angle. For the clay mineral, the
intensities of the WAXD patterns, after subtraction of the tail of the primary beam, were corrected for polarization and Lorentz factors, by
using the following equation:
Icor:
¼ Iexp:= 1 þ cos22θ


=2Þ
h i
 sin2θ  cosθ


=2
n h io
ð1Þ
where: Icor. is the corrected diffraction peak intensity and Iexp. is the
diffraction peak experimental intensity. For a better comparison with
literature data, these intensity corrections were not applied to WAXD
patterns of the CPN.
Reported XRD patterns were normalized with respect to the 060
reflection. The Dhk‘ correlation length of crystalswas determined applying
the Scherrer equation
Dhk‘
¼ Kλ= βhk‘ cosθhk‘
ð Þ ð2Þ
where: K is the Scherrer constant, λ is the wavelength of the irradiating
beam (1.5419 Å, Cu-Kα), βhk‘ is the width at half height, and θhk‘ is the
diffraction angle. The instrumental broadening, b, was also determined
by obtaining a WAXD pattern of a standard silicon powder 325 mesh
(99%), under the same experimental conditions. For each observed
reflection with βhk‘ b 1°, the width at half height, βhk‘ = (βhk‘ − b),
was corrected by subtracting the unavoidable instrumental broadening
of the closest silicon reflection from the experimental width at half
height, βhk‘.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.3 ลักษณะของภูเขา, OMT และ CPN
2.3.1 เอ็กซ์เรย์วิเคราะห์เลนส์มุมกว้าง X-ray diffraction (WAXD) รูปแบบที่มีนิกเกิลกรองรังสีCu-Kαที่ได้รับในการสะท้อนกับอัตโนมัติ Bruker D8 ล่วงหน้า diffractometer รูปแบบที่ถูกบันทึกไว้ใน 2 ° -80 °เป็นช่วง2θ, 2θเป็นมุมการเลี้ยวเบนสูงสุด สำหรับแร่ดินเหนียวที่ความเข้มของรูปแบบ WAXD หลังจากลบหางของคานหลักที่ได้รับการแก้ไขปัจจัยโพลาไรซ์และลอเรนโดยใช้สมการต่อไปนี้: Icor: ¼ Iexp = 1 þcos22θ? ? = 2th เอชฉัน? sin2θ? cosθ? ? = 2 n ชั่วโมง io ð1Þที่: Icor เป็นเลนส์แก้ไขความเข้มสูงสุดและ Iexp เป็นจุดสูงสุดของการเลี้ยวเบนความเข้มของการทดลอง สำหรับการเปรียบเทียบที่ดีขึ้นกับข้อมูลวรรณกรรมแก้ไขความรุนแรงเหล่านี้ไม่ได้นำไปใช้กับ WAXD รูปแบบของซีพีเอ็น. รายงานรูปแบบ XRD ถูกปกติด้วยความเคารพต่อ 060 สะท้อน DHK 'ความยาวของความสัมพันธ์ของ crystalswas กำหนดใช้สมการScherrer DHK' ¼Kλ = βhk 'cosθhk' ðÞð2Þที่: K เป็น Scherrer คงλคือความยาวคลื่นของฉายรังสีที่คาน(1.5419 Å, Cu-Kα) βhk 'คือความกว้างความสูงครึ่งและθhk' เป็นมุมการเลี้ยวเบน ขยายเครื่องมือ b, ยังถูกกำหนดโดยได้รับรูปแบบWAXD ของผงซิลิคอนมาตรฐาน 325 ตาข่าย(99%) ภายใต้เงื่อนไขการทดลองเดียวกัน สำหรับแต่ละสังเกตสะท้อนกับβhk 'ข 1 °กว้างครึ่งความสูงβhk' = (βhk - ข) ได้รับการแก้ไขโดยการลบการขยายเครื่องมือหลีกเลี่ยงไม่ได้ของการสะท้อนซิลิกอนที่ใกล้เคียงที่สุดจากความกว้างของการทดลองที่ครึ่งความสูงβhk ' .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.3 ลักษณะสมบัติของ MT omt เข้า
2.3.1 . การเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์การวิเคราะห์
กว้างมุมการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ ( waxd ) รูปแบบกับนิกเกิลกรอง
cu-k αรังสีได้รับในการสะท้อนกับอัตโนมัติ BRUKER
d8 ล่วงหน้าดิฟแฟรกโทมิเตอร์ . ลวดลายที่ถูกบันทึกไว้ใน 2 °– 80 องศาเป็น
ช่วง 2 θ 2 θเป็นเลนส์ช่วงมุม สำหรับดินแร่ ,
ความเข้มของ waxd รูปแบบหลังจากการลบหางของคานหลัก คือ การแก้ไขเพื่อเป็นปัจจัย และลอเรนซ์ โดยใช้สมการต่อไปนี้ :

:
¼ ICOR iexp : = 1 þ cos22 θ


= 2 Þ
(
 sin2+cos2 ( ไซน์θ  เพราะθ


= 2
n H IO 1 Þ

ðที่ : ICOR . คือการแก้ไขและโดยความเข้มสูงสุด iexp . เป็นยอดทดลอง
การเลี้ยวเบนของความรุนแรง สำหรับการเปรียบเทียบที่ดีกว่ากับ
ข้อมูลวรรณกรรมราชทัณฑ์เข้มเหล่านี้ไม่ได้ใช้รูปแบบของ CPN waxd
.
รายงานรูปแบบ XRD เป็นปกติด้วยความเคารพกับ 060
สะท้อน การ dhk ' ) ความยาวของ crystalswas มุ่งมั่นใช้

dhk สมการเชเรอร์ '
¼ K λ = บีตา HK เพราะθ HK '
ðÞð 2 Þ
: k คือค่าคงที่λเชเรอร์ , เป็นความยาวคลื่นของการฉายรังสี
คาน ( 1.5419 กริพเพน cu-k , α )บีตา HK ' คือความกว้างความสูงครึ่งหนึ่ง และθ HK '
เลนส์มุม ดนตรีใหม่ บี ก็ยังระบุ
โดยได้รับ waxd แบบแผนมาตรฐานของผงซิลิคอน 325 ตาข่าย
( 99% ) ภายใต้สภาวะการทดลองเดียวกัน สำหรับแต่ละสังเกต
สะท้อนกับบีตา HK ' B 1 องศา ความกว้างที่ครึ่งความสูง บีตา HK ' = ( บีตา HK ' − B )
ถูกแก้ไขโดยการลบย่อมบรรเลงขยาย
ของการสะท้อนซิลิคอนใกล้ความกว้างทดลองครึ่ง
ความสูงบีตา hk '