The control of electronic properties by intentional doping especially for p-type layers seems to be difficult.Inrecenttimes, it has been observed thatfabrication of p–n homojunctions requires doping of the same material with different dopants.
ควบคุมคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์โดยยาสลบโดยตั้งใจโดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับชั้นชนิด p น่าจะยาก Inrecenttimesมันได้รับการปฏิบัติ thatfabrication ของ homojunctions p – n ต้องใช้ยาสลบจากวัสดุชนิดเดียวกับ dopants แตกต่างกัน
การควบคุมคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ โดยตั้งใจว่าโดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับพีชั้นดูเหมือนจะยาก inrecenttimes ,มันได้รับการตรวจสอบ thatfabrication P ) N homojunctions ต้องโด๊ปของวัสดุเดียวกันกับในที่แตกต่างกัน