Metal ionisation: There are several

Metal ionisation: There are several mechanisms to ionise the sputtered species in a magnetron sputtering system, e.g. penning ionisation, electron impact ionisation and ion charge exchange [4]. Using a zero dimension global model, it has been shown in [6] that the penning ionisation is important in discharges having ne < 1017 m 3, while the electron impact ionisation is the main mechanism to produce metal ions when ne > 1017 m 3. Gudmundsson [39] has developed a time-dependent global model to investigate the ionisation mechanism in a HiPIMS discharge. It was reported in [39] that during the pulse on-time phase, where ne 1019 m 3, sputtered species are mainly ionised by the electron impact ionisation. In the afterglow plasma when ne decays,
the ion charge exchange mechanism is important in the ionisation process. Recently,Raadu et al. [40] established a time-dependent global model that specically concerns the ionisation region (IR) above the magnetron target. The IR model can be employed to predict internal parameters (e.g. electron temperature, electron density and the degree of ionisation of both the metal and the argon species) of the HiPIMS plasma using discharge variables as the input parameters. For example, using a HiPIMS current with at peak of 100 A, the electron density density can be increased up to 2 1019 m 3.As a result, the degree of ionisation of aluminium reaches a peak of 80-85% [40

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Ionisation โลหะ: มีหลายกลไกเพื่อ ionise ชนิด sputtered magnetron พ่นระบบ penning ionisation, ionisation ผลกระทบอิเล็กตรอน และไอออนค่าธรรมเนียมแลกเปลี่ยน [4] เช่น ในการ ใช้ศูนย์มิติสากลแบบ มันได้ถูกแสดงใน [6] ว่า penning ionisation สำคัญปล่อยมีมุ < 1017 m 3 ในขณะที่อิเล็กตรอนกระทบ ionisation เป็นกลไกหลักในการผลิตโลหะประจุเมื่อมุ > 1017 เมตร 3 Gudmundsson [39] ได้พัฒนาแบบจำลองส่วนกลางขึ้นอยู่กับเวลาการตรวจสอบกลไก ionisation ในปล่อย HiPIMS มีรายงาน [39] ซึ่งในระหว่างขั้นตอนในเวลา ชีพจรที่มุ 1019 m 3 ชนิด sputtered เป็นส่วนใหญ่ ionised โดย ionisation ผลกระทบอิเล็กตรอน ในพลาสม่า afterglow เมื่อมุ decays,
กลไกอัตราแลกเปลี่ยนค่าไอออนเป็นสิ่งสำคัญในกระบวนการ ionisation เพิ่ง Raadu et al. [40] ก่อตั้งแบบสากลขึ้นอยู่กับเวลาที่ speci cally ionisation ภูมิภาค (IR) เหนือเป้าหมาย magnetron ที่เกี่ยวข้องกับการ สามารถทำงานแบบ IR เพื่อทำนายพารามิเตอร์ภายใน (เช่นอุณหภูมิอิเล็กตรอน ความหนาแน่นอิเล็กตรอนและระดับของ ionisation โลหะและชนิดอาร์กอน) ของพลา HiPIMS ที่ใช้ตัวแปรปล่อยเป็นพารามิเตอร์ป้อนเข้า ตัวอย่าง ได้ใช้ HiPIMS ที่ปัจจุบันกับที่สูงสุด 100 A ความหนาแน่นความหนาแน่นอิเล็กตรอนสามารถเพิ่มได้ถึง 3. 1019 เมตร 2 ดัง ระดับของ ionisation อะลูมิเนียมถึงราคาสูงสุด 80-85% [40

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Ionisation โลหะมีหลายกลไกในการไอออนชนิดพ่นในระบบสปัตเตอร์แมกเช่นเขียน Ionisation ผลกระทบอิเล็กตรอน Ionisation ค่าใช้จ่ายและการแลกเปลี่ยนไอออน [4] โดยใช้ศูนย์มิติแบบทั่วโลกจะได้รับการแสดงใน [6] ที่ Ionisation คอกมีความสำคัญในการปล่อยของเสียที่มีเน <1,017 เมตร 3 ในขณะที่ผลกระทบ Ionisation อิเล็กตรอนเป็นกลไกหลักในการผลิตไอออนของโลหะเมื่อ NE> 1,017 เมตร 3 Gudmundsson [39] ได้มีการพัฒนารูปแบบระดับโลกที่ขึ้นกับเวลาในการตรวจสอบกลไก Ionisation ในการปล่อย HiPIMS มันได้รับการรายงานใน [39] ว่าในระหว่างขั้นตอนการเต้นของชีพจรที่ตรงเวลาที่ภาคตะวันออกเฉียงเหนือ? 1,019 เมตร 3 ชนิดพ่นจะ ionised ส่วนใหญ่โดย Ionisation ผลกระทบอิเล็กตรอน ในพลาสมาสายัณห์เมื่อ NE สูญสลาย,
กลไกไอออนประจุแลกเปลี่ยนเป็นสิ่งที่สำคัญในกระบวนการ Ionisation เมื่อเร็ว ๆ นี้ Raadu และคณะ [40] เป็นที่ยอมรับทั่วโลกรูปแบบขึ้นกับเวลาที่ speci ดิ่งกังวลภูมิภาค Ionisation (IR) สูงกว่าเป้าหมายแมก รูปแบบ IR สามารถใช้ในการทำนายตัวแปรภายใน (เช่นอิเล็กตรอนอุณหภูมิความหนาแน่นของอิเล็กตรอนและระดับของ Ionisation ทั้งโลหะและชนิดอาร์กอน) ของพลาสม่า HiPIMS ใช้ตัวแปรออกเป็นพารามิเตอร์การป้อนข้อมูล ตัวอย่างเช่นการใช้ในปัจจุบัน HiPIMS กับที่จุดสูงสุดของ 100, ความหนาแน่นของความหนาแน่นของอิเล็กตรอนจะเพิ่มขึ้นได้ถึง 2? 1,019 เมตร 3.As ผลให้ระดับของ Ionisation ของอลูมิเนียมถึงจุดสูงสุดของ 80-85% [40

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ionisation โลหะมีหลายกลไก ionise แมกนีตรอนสปัตเตอร์ชนิดที่เคลือบอนุภาคในระบบ เช่น เพนนิ่ง ionisation อิเล็กตรอนและไอออน ผลกระทบ ionisation แลกเปลี่ยนประจุ [ 4 ] การใช้ศูนย์มิติระดับโลกแบบ มันได้ถูกแสดงใน [ 6 ] ที่เขียน ionisation เป็นสิ่งสำคัญในการจำหน่ายมีเน่ < 1017 ม. 3ในขณะที่อิเล็กตรอนกระทบ ionisation เป็นกลไกหลักที่จะผลิตไอออนโลหะเมื่อ NE > 1017 ม. 3 gudmundsson [ 39 ] ได้พัฒนารูปแบบทั่วโลกเวลาเพื่อศึกษากลไกในการ ionisation hipims . มีรายงานใน [ 39 ] ระหว่างชีพจรในเฟสที่ไม่  1019 ม. 3 sputtered ชนิดส่วนใหญ่ ionised โดยอิเล็กตรอนกระทบ ionisation .ในแสงสายัณห์พลาสมาเมื่อไม่สลายตัว
ไอออนแลกเปลี่ยนประจุคือกลไกสำคัญในกระบวนการ ionisation . เมื่อเร็วๆ นี้ raadu et al . [ 40 ] สร้างโลกจำลองเวลา speci  คอลลี่กังวล ionisation ภูมิภาค ( IR ) เหนือตรอนเป้าหมาย และรุ่นที่สามารถใช้ทำนายค่าอุณหภูมิภายใน ( เช่นอิเล็กตรอนความหนาแน่นของอิเล็กตรอนและระดับของ ionisation ทั้งโลหะและอาร์กอน ชนิดของ hipims พลาสมาโดยใช้ตัวแปรจำหน่ายเป็นป้อนพารามิเตอร์ ตัวอย่างเช่น การใช้ hipims ปัจจุบันกับที่จุดสูงสุดของ 100 , ความหนาแน่นของอิเล็กตรอนความหนาแน่นจะเพิ่มขึ้นถึง 2  1019 ม. 3 ผล ระดับ ionisation อลูมิเนียมถึงจุดสูงสุดของ 80-85% [ 40