Figure 1. Simplified setup. (a) An

Figure 1. Simplified setup. (a) An electron beam passes through a wall with two
slits in it. A movable mask is positioned to block the electrons, only allowing
the ones traversing through slit 1 (P1), slit 2 (P2), or both (P12) to reach the
backstop and detector. (b), (c) Probability distributions are shown (experimental
in false-color intensity) for electrons that pass through a single slit (b), or the
double-slit (c). Inset 1, 2: electron micrographs of the double-slit and mask are
shown. The individual slits are 62 nm wide ×4μm tall with a 150 nm support
structure midway along its height, and separated by 272 nm. The mask is 4.5μm
wide ×20μm tall. Reprinted from The Feynman Lectures on Physics, vol III,
by Richard P Feyman, Robert B Leighton and Matthew Sands. Available from
Basic Books, an imprint of The Perseus Books Group. Copyright © 2011.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 1 การตั้งค่าที่ง่ายดาย (ก) ลำแสงอิเล็กตรอนผ่านผนังกับสองสลิตในนั้น หน้ากากเคลื่อนอยู่ในตำแหน่งที่บล็อกอิเล็กตรอน อนุญาตเท่านั้นคน traversing ผ่านสลิต 1 (P1), ช่อง 2 (P2), หรือ (P12) ทั้งสองไปถึงbackstop และเครื่องตรวจจับ (ข), (ค) การกระจายความน่าเป็นแสดง (ทดลองความเข้มสีเท็จ) สำหรับอิเล็กตรอนที่ผ่านสลิตเดี่ยว (b), หรือสลิตคู่ (c) แทรก 1, 2: micrographs อิเล็กตรอนของคู่ร่องและหน้ากากแสดง มีสลิตละ 62 nm ×กว้าง 4μm สูง ด้วยการสนับสนุน nm 150โครงสร้างกึ่งกลางตลอดความสูง และแยก โดย 272 nm หน้ากากคือ 4.5μm×กว้าง 20μm สูง พิมพ์จากเดอะไฟน์แมนบรรยายในฟิสิกส์ vol IIIโดย Richard P Feyman โรเบิร์ตบีเลห์ และแมทธิวแซนด์ ได้จากหนังสือพื้นฐาน ประทับของ กลุ่มหนังสือเพอร์ซิอุส ลิขสิทธิ์ © 2011

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การตั้งค่ารูปที่ 1 แบบย่อ (ก) ความลำแสงอิเล็กตรอนผ่านผนังที่มีสอง
ช่องในนั้น หน้ากากที่สามารถเคลื่อนย้ายอยู่ในตำแหน่งเพื่อป้องกันอิเล็กตรอนเพียงช่วยให้
คนที่ traversing ผ่านช่องที่ 1 (P1) กรีด 2 (P2) หรือทั้งสอง (P12) ไปถึง
สกอร์และเครื่องตรวจจับ (ข) (ค) การแจกแจงความน่าจะแสดง (จากการทดลอง
ในความรุนแรงเท็จสี) อิเล็กตรอนที่ผ่านร่องเดียว (ข) หรือ
ดับเบิลร่อง (c) ภาพประกอบ 1, 2: ไมโครอิเล็กตรอนคู่ร่องและหน้ากากจะ
แสดงให้เห็นว่า ซี่แต่ละ 62 นาโนเมตร×4μmกว้างสูงด้วย 150 นาโนเมตรการสนับสนุน
โครงสร้างตรงกลางพร้อมความสูงและคั่นด้วย 272 นาโนเมตร หน้ากากเป็น4.5μm
×กว้าง20μmสูง พิมพ์ขึ้นใหม่จากหลักการบรรยายเกี่ยวกับฟิสิกส์ฉบับ III,
ริชาร์ด P Feyman โรเบิร์ตเล B และแมทธิวแซนด์ส ได้จาก
หนังสือพื้นฐานที่ประทับของเซอุสหนังสือกลุ่ม ลิขสิทธิ์© 2011

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 ง่ายติดตั้ง ( ก ) ลำแสงอิเล็กตรอนผ่านผนังสองกรีดมัน หน้ากากเคลื่อนที่อยู่ในตําแหน่งที่จะป้องกันให้อิเล็กตรอนเท่านั้นที่กำลังหมุนผ่านช่อง 1 ( P1 ) กรีด 2 ( P2 ) หรือทั้งสองอย่าง ( p12 ) ถึงตีแผ่ และเครื่องตรวจจับ ( b ) , ( c ) การแจกแจงความน่าจะเป็นจะแสดง ( ทดลองความเข้มสีเท็จ ) สำหรับอิเล็กตรอนที่ผ่านช่องเดียว ( b ) หรือคู่เชือด ( C ) ใส่ 1 , 2 อิเล็กตรอน micrographs ของร่องคู่และหน้ากากเป็นที่แสดง ซึ่งแต่ละช่องมี 62 nm กว้าง× 4 μเมตรสูงด้วยการสนับสนุน 150 นาโนเมตรโครงสร้างตรงกลางตามความสูงของมัน และแยกจากกันโดย 272 nm . หน้ากากเป็น 4.5 μม.กว้าง× 20 μเมตรสูง พิมพ์จากคำบรรยายฟิสิกส์ของไฟน์แมน , ฉบับที่สามโดย ริชาร์ด ไฟน์แมน P , B Leighton และแมทธิวโรเบิร์ตทราย พร้อมใช้งานจากหนังสือพื้นฐาน มีรอยของหนังสือเพอร์ซีอุส กรุ๊ป สงวนลิขสิทธิ์สงวนลิขสิทธิ์ 2011