Fig. 5 shows photocurrent density v

Fig. 5 shows photocurrent density versus potential(j–U) curves for PEC solar cells equipped with the Ptelectrodeposited n-Si electrode. Curve A represents the porous n-Si wafer prepared by immersion in the HF solution for 24 h without any gas bubbling after electrodeposition,while curve B represents the flat n-Si wafer just after electrodeposition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 5. แสดงให้เห็นว่ามีความหนาแน่น photocurrent เมื่อเทียบกับศักยภาพ (J-U) เส้นโค้งสำหรับ PEC เซลล์แสงอาทิตย์พร้อมกับขั้วไฟฟ้า Ptelectrodeposited n-Si โค้งหมายถึงมีรูพรุน n-Si เวเฟอร์จัดทำโดยการแช่ในสารละลาย HF เป็นเวลา 24 ชั่วโมงโดยไม่ต้องเดือดก๊าซใด ๆ หลังจากที่อิเล็กโทร,
ในขณะที่เส้นโค้ง B หมายถึงแบน n-Si เวเฟอร์เพียงหลังจากอิเล็กโทร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่5แสดงให้เห็นถึงความหนาแน่นของแสงในปัจจุบันเทียบกับศักยภาพ (j – U) เส้นโค้งสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์แบบ PEC ที่มาพร้อมกับอิเล็กโทรด Ptelectrodeposited n-Si เส้นโค้ง A หมายถึงรูพรุน n-ซีเวเฟอร์ที่จัดทำโดยการแช่ในการแก้ปัญหา HF สำหรับ 24 h โดยไม่ต้องใช้ก๊าซใดๆที่มีฟองหลังจากการสะสมของไฟฟ้า
ในขณะที่เส้นโค้ง B หมายถึงเวเฟอร์ Nsi เพียงหลังจากการสะสมของไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ห้าแสดงให้เห็นถึงเส้นโค้งของความหนาแน่นของแสงในปัจจุบันในเซลล์แสงอาทิตย์ PEC กับ p-n-si ขั้วไฟฟ้า เส้นโค้งแสดงให้เห็นว่ามีรูพรุน n-si เวเฟอร์เตรียมโดยการแช่ใน HF โซลูชั่นสำหรับชั่วโมงและไม่มีฟองอากาศหลังจากการตกตะกอนด้วยไฟฟ้า
เส้นโค้ง B เป็นแบน n-si เวเฟอร์หลังจากการสะสมไฟฟ้า