Fig. 2. Representative output and t

Fig. 2. Representative output and transfer characteristics of (a) a dual layer SiP3HT FET (density of Si nanowire loading: ~0.4 per 10  10 mm2) and (b) a pristine P3HT FET. The
measurement was performed at room temperature under ambient air environment, after N2 annealing at 150 C for 5 min. The channel length and width of these devices are 20 and
500 mm, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 2 ตัวแทนส่งออกและการโอนลักษณะของ (ก)สองชั้น SiP3HT FET (ความหนาแน่นของ nanowire ศรีโหลด: ~0.4 ต่อ 10  10 mm2) และ (ข) P3HT FET เก่าแก่ การดำเนินการวัดที่อุณหภูมิห้องภายใต้สภาพแวดล้อมอากาศแวดล้อม หลังจากการหลอม N2 ที่ 150 C 5 นาที ช่องความยาวและความกว้างของอุปกรณ์เหล่านี้มี 20 และ500 มม. ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 2. ผู้แทนการส่งออกและการถ่ายโอนลักษณะของ (ก) ชั้นสองSiP3HT FET (ความหนาแน่นของเส้นลวดนาโนศรีโหลด: ~ 0.4 ต่อ 10  10 mm2) และ (ข) P3HT FET ที่เก่าแก่
วัดได้ดำเนินการที่อุณหภูมิห้องภายใต้สภาพแวดล้อมอากาศโดยรอบหลังจากการอบที่ 150 N2 Cเป็นเวลา 5 นาที ความยาวช่องทางและความกว้างของอุปกรณ์เหล่านี้มี 20 และ
500 มิลลิเมตรตามลำดับ