Recently much work based on partial

Recently much work based on partial
substitution at Cu or Ti ions site in CCTO ceramic has
been carried out in order to improve the dielectric
properties and to understand the origin of gaint dielectric
response in CaCu3Ti4O12 ceramic [10‐12].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อเร็ว ๆ นี้ทำงานมากตามแทนที่
บางส่วนที่ลูกบาศ์กหรือ Ti เว็บไซต์ไอออนใน ccto เซรามิกได้
รับการดำเนินการเพื่อปรับปรุงคุณสมบัติ
อิเล็กทริกและการทำความเข้าใจที่มาของ gaint อิเล็กทริกในการตอบสนอง
cacu3ti4o12 เซรามิก [10-12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ล่าสุดมากมายตามบางส่วน
แทนที่ Cu หรือตี้ไซต์ประจุในเซรามิก CCTO มี
ถูกจำหน่ายออกเพื่อปรับปรุง dielectric
คุณสมบัติและเข้าใจมาของ gaint dielectric
ตอบในเซรามิก CaCu3Ti4O12 [10‐12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อไม่นานมานี้มากงานบางส่วน
ซึ่งจะช่วยในการทดแทนที่ชุดควบคุมหรือหมากผู้หมากเมียเพิ่มพลังไอออนใน ccto เซรามิกมี
ถูกนำออกไปในการสั่งซื้อในการปรับปรุงที่พักและที่เป็นฉนวน
ซึ่งจะช่วยในการทำความเข้าใจที่มาของที่เป็นฉนวน gaint
ซึ่งจะช่วยในการตอบสนอง cacu 3 TI 4 o 12 เซรามิก[ 10 - 12 ]