18Batch Fabrication Technology• Pla

18
Batch Fabrication Technology
• Planar integrated circuit technology 1958 -
1. Thin-film deposition and etching
2. Modification of the top few μm of the substrate
3. Lateral dimensions defined by photolithography, a
process derived from offset printing
• Result: CMOS integrated circuits became the
ultimate “enabling technology” by circa 1980
• Moore’s Law
Density (and performance, broadly defined) of digital
integrated circuits increases by a factor of two
every year.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

18เทคโนโลยีการผลิตของชุดงาน•เทคโนโลยีวงจรรวมระนาบ 1958-1. ทินฟิล์มสะสมและแกะสลัก2. การเปลี่ยนแปลงไมครอนบางด้านของพื้นผิว3. ด้านข้างขนาดที่กำหนด โดยการสร้างลายวงจรด้วยแสง การกระบวนการที่ได้มาจากการพิมพ์ออฟเซต•ผล: วงจรรวม CMOS กลายเป็นการสุดยอด "การเปิดใช้งานเทคโนโลยี" โดยประมาณ 1980กฎของมัวร์•ความหนาแน่น (และประสิทธิภาพ กำหนดกว้าง ๆ) ของวงจรแบบรวมที่เพิ่มขึ้น โดยปัจจัยสองทุกปี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

18
การประดิษฐ์ชุดเทคโนโลยี
•ภาพถ่ายแบบบูรณาการเทคโนโลยีวงจรปี 1958 -
1 การสะสมฟิล์มบางและแกะสลัก
2 การปรับเปลี่ยนของไมโครเมตรไม่กี่ด้านบนของพื้นผิว
3 มิติด้านข้างที่กำหนดโดย photolithography เป็น
กระบวนการที่ได้มาจากการพิมพ์ออฟเซต
•ผล: CMOS วงจรรวมกลายเป็น
สุดยอด "เทคโนโลยีที่ช่วยให้" โดยประมาณ 1980
•มัวร์กฎหมาย
ความหนาแน่น (และประสิทธิภาพการทำงานที่กำหนดไว้ในวงกว้าง) ของดิจิตอล
วงจรรวมที่เพิ่มขึ้นโดยปัจจัยที่สอง
ทุกคน ปี.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

18เทคโนโลยีการผลิตชุด- 2501 - เทคโนโลยีวงจรรวมแบบระนาบ1 . การเคลือบฟิล์มบางและแกะสลัก2 . แก้ไขด้านบนกี่μ M ของพื้นผิว3 . นอกมิตินิยามโดย 43 ,กระบวนการที่ได้มาจากการพิมพ์ออฟเซต- ผล : วงจรรวมซีมอสกลายสุดท้าย " การเปิดใช้งานเทคโนโลยี " ประมาณปี 1980 โดย- กฎหมายของมัวร์ความหนาแน่น ( งานวงกว้างนิยาม ) ของดิจิตอลบูรณาการเพิ่มวงจรโดยปัจจัยที่สองทุกๆ ปี