The SMT temperature of the film grown at 350Wis about 57 C (lower than bulk VO2) with a hysteresis width of about 7.2 C; while that of the film grown at 400 W is about 63 C with a hysteresis width of 5 C and a slightly increased amplitude of SMT.
อุณหภูมิ SMT ของฟิล์มที่ปลูกในที่ 350Wisประมาณ 57 C (น้อยกว่าจำนวนมาก VO2) ด้วยความกว้างส่วนประมาณ7.2 C ในขณะที่ฟิล์มที่ปลูก 400 W ประมาณ 63 C ด้วยการความกว้างส่วน 5 C และคลื่นเพิ่มขึ้นเล็กน้อยของ SMT
SMT อุณหภูมิของฟิล์มที่ 350wis โตประมาณ 57 C ( ต่ำกว่ากลุ่มการใช้ออกซิเจน ) กับแบบกว้างเกี่ยวกับ7.2 C ; ส่วนของภาพยนตร์ที่ปลูกที่ 400 W ประมาณ 63 C กับแบบกว้าง 5 C และเพิ่มขึ้นเล็กน้อยขนาดของ SMT