The HEMT was originally developed f

The HEMT was originally developed for high speed applications. It was only when the first devices were fabricated that it was discovered they exhibited a very low noise figure. This is related to the nature of the two dimensional electron gas and the fact that there are less electron collisions.

As a result of their noise performance they are widely used in low noise small signal amplifiers, power amplifiers, oscillators and mixers operating at frequencies up to 60 GHz and more and it is anticipated that ultimately devices will be widely available for frequencies up to about 100 GHz. In fact HEMT devices are used in a wide range of RF design applications including cellular telecommunications, Direct broadcast receivers - DBS, radar, radio astronomy, and any RF design application that requires a combination of low noise and very high frequency performance

HEMTs are manufactured by many semiconductor device manufacturers around the globe. They may be in the form of discrete transistors, but nowadays they are more usually incorporated into integrated circuits. These Monolithic Microwave Integrated Circuit chips, or MMICs are widely used for RF design applications, and HEMT based MMICs are widely used to provide the required level of performance in many areas.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

HEMT ได้รับการพัฒนาครั้งแรกสำหรับการใช้งานความเร็วสูง เมื่ออุปกรณ์แรกได้หลังสร้างว่า เป็นการค้นพบพวกเขาจัดแสดงรูปสัญญาณรบกวนต่ำมากได้ นี้จะเกี่ยวข้องกับธรรมชาติของก๊าซอิเล็กตรอนสองมิติและความจริงที่ว่า มีน้อยกว่าอิเล็กตรอนตามจากประสิทธิภาพของเสียงที่ใช้ในเครื่องขยายเสียงสัญญาณขนาดเล็กเสียงรบกวนต่ำ เพาเวอร์แอมป์ oscillators และเครื่องผสมอาหารในการทำงานที่ความถี่สูง 60 GHz และเพิ่มเติม และคาดว่า ในที่สุดอุปกรณ์จะพร้อมใช้งานสำหรับความถี่สูงสุดประมาณ 100 GHz ในความเป็นจริงใช้อุปกรณ์ HEMT ในโปรแกรมประยุกต์ออกแบบช่วงกว้างของ RF ที่รวมถึงโทรคมนาคมโทรศัพท์มือถือ โดยตรงสำหรับออกอากาศ - เศรษฐกิจ เรดาร์ วิทยุดาราศาสตร์ และโปรแกรมประยุกต์ออกแบบ RF ที่ต้องการรวมกันของเสียงและความถี่สูงมากประสิทธิภาพต่ำHEMTs ผลิต โดยผู้ผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำจำนวนมากทั่วโลก พวกเขาอาจจะในรูปของ transistors แยกกัน แต่ในปัจจุบันพวกเขามีมากกว่าปกติรวมเป็นวงจรแบบรวม เหล่านี้อบไมโครเวฟวงจรรวมเสาหิน หรือ MMICs ใช้สำหรับโปรแกรมประยุกต์ออกแบบ RF, HEMT ตาม MMICs และใช้กันอย่างแพร่หลายเพื่อให้ระดับของประสิทธิภาพในหลายพื้นที่ที่ต้องการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

HEMT ถูกพัฒนามาสำหรับการใช้งานด้วยความเร็วสูง มันเป็นเพียงครั้งแรกเมื่ออุปกรณ์ที่ถูกประดิษฐ์ว่ามันถูกค้นพบพวกเขาแสดงเป็นตัวเลขที่ต่ำมากเสียง นี้จะเกี่ยวข้องกับธรรมชาติของก๊าซอิเล็กตรอนสองมิติและความจริงที่ว่ามีน้อยชนอิเล็กตรอน. อันเป็นผลมาจากประสิทธิภาพเสียงของพวกเขาพวกเขาจะใช้กันอย่างแพร่หลายในเสียงต่ำเครื่องขยายสัญญาณขนาดเล็ก, แอมป์พลังงาน oscillators และเครื่องผสมในการดำเนินงานที่มีความถี่ขึ้น 60 GHz และอื่น ๆ และมันเป็นที่คาดว่าอุปกรณ์ในท้ายที่สุดจะสามารถใช้ได้อย่างกว้างขวางสำหรับความถี่สูงถึงประมาณ 100 GHz ในความเป็นจริงอุปกรณ์ HEMT ถูกนำมาใช้ในช่วงกว้างของคลื่นความถี่วิทยุการใช้งานการออกแบบรวมถึงการสื่อสารโทรคมนาคมเคลื่อนที่รับการออกอากาศโดยตรง - ดีบีเอสเรดาร์วิทยุดาราศาสตร์และการประยุกต์ใช้การออกแบบใด ๆ RF ที่ต้องมีการรวมกันของเสียงต่ำและประสิทธิภาพการทำงานที่มีความถี่สูงมากHEMTs ที่ผลิตโดย ผู้ผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก พวกเขาอาจจะอยู่ในรูปแบบของทรานซิสเตอร์ที่ไม่ต่อเนื่อง แต่ในปัจจุบันพวกเขาจะรวมมากขึ้นมักจะเข้าสู่วงจรรวม เสาหินเหล่านี้ไมโครเวฟชิปวงจรรวมหรือ MMICs ใช้กันอย่างแพร่หลายสำหรับการใช้งานการออกแบบ RF และ MMICs ตาม HEMT ใช้กันอย่างแพร่หลายเพื่อให้อยู่ในระดับที่ต้องการประสิทธิภาพการทำงานในหลายพื้นที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ hemt พัฒนาเดิมสำหรับการใช้งานความเร็วสูง มันเป็นเพียงเมื่ออุปกรณ์แรกถูกประดิษฐ์ที่พบพวกเขามีตัวเลขสัญญาณรบกวนต่ำมาก นี้เกี่ยวข้องกับธรรมชาติของแก๊สอิเล็กตรอนสองมิติและข้อเท็จจริงว่า มีอิเล็กตรอนน้อยกว่าการชนกัน

ผลของประสิทธิภาพเสียงของพวกเขา พวกเขาจะใช้กันอย่างแพร่หลายในระดับสัญญาณเสียงขนาดเล็กเครื่องขยายเสียงเพาเวอร์แอมป์ , oscillators และเครื่องผสมอาหารปฏิบัติการที่ความถี่ได้ถึง 60 GHz และมากขึ้น และเป็นที่คาดหมายกันว่าในที่สุดอุปกรณ์จะใช้ได้อย่างกว้างขวางสำหรับความถี่ได้ถึงประมาณ 100 GHz ในอุปกรณ์ hemt ความเป็นจริงจะใช้ในความหลากหลายของการใช้งานรวมทั้งออกแบบ RF โทรคมนาคมมือถือโดยตรงออกอากาศรับ - DBS , เรดาร์ , ดาราศาสตร์วิทยุและ RF ออกแบบโปรแกรมที่ต้องมีการรวมกันของ สัญญาณรบกวนต่ำ และความถี่สูงประสิทธิภาพมาก

hemts ผลิตโดยหลายผู้ผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก พวกเขาอาจจะอยู่ในรูปของทรานซิสเตอร์แบบไม่ต่อเนื่อง แต่ปัจจุบันพวกเขามักจะเพิ่มเติมรวมอยู่ในแผงวงจร . เหล่านี้ชิปวงจรรวมแบบไมโครเวฟ ,หรือ mmics ถูกใช้อย่างกว้างขวางสำหรับการใช้งานการออกแบบ RF และ hemt ตาม mmics ใช้กันอย่างแพร่หลายเพื่อให้ระดับต้องการการปฏิบัติในหลายพื้นที่ .