In addition, like diffusion, it is

In addition, like diffusion, it is possible to conduct the ion implantation in only certain well-defined areas of the wafer by using an appropriate mask. This method yields reproducible and controlled dopant concentration for semiconductor devices.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้เช่นเดียวกับการแพร่ก็เป็นไปได้ที่จะดำเนินการฝังไอออนในพื้นที่ที่ดีที่กำหนดเพียงบางของเวเฟอร์โดยใช้หน้ากากที่เหมาะสม วิธีการนี​​้ทำให้ความเข้มข้นเจือปนซ้ำและควบคุมสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ เช่นแพร่ ได้ไปทำฤทธิ์ไอออนในเฉพาะบางพื้นที่โดยของแผ่นเวเฟอร์ โดยใช้รูปแบบที่เหมาะสมในการ วิธีนี้ทำให้ความเข้มข้น dopant จำลอง และควบคุมอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการเพิ่มเช่นแพร่มีความเป็นไปได้ที่จะดำเนินการปลูกไอออนที่อยู่ในพื้นที่ที่กำหนดไว้ล่วงหน้าเท่านั้นบางอย่างของแผ่นโดยการใช้หน้ากากที่เหมาะสม วิธีนี้เกิดขึ้นซ้ำเดิมได้อัตราผลตอบแทนสมาธิและควบคุม dopant สำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์