2.4. ZnO formationIn this work ZA d

2.4. ZnO formation
In this work ZA dissolved in deionized water was used as
the precursor for ZnO film formation. Under CVD
conditions basic zinc acetate (BZA) was produced by the
vaporization of ZA and adsorbed on the substrate. The
presence of H2O vapor could aid its production by [25,29],
4ZnðCH3COOÞ2ðgÞ þ H2OðgÞ ! Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞ
þ 2CH3COOHðgÞ, ð1Þ
where g represents gas state. Therefore, the subsequent
growth of ZnO films is believed to occur by the
decomposition of the BZA molecules impinging on the
hot substrate. Based on the decomposition kinetics, there
were two parallel reactions in the absence of water [38], the
pyrolysis reaction of BZA,
Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞ ! 4ZnOðsÞ þ 3CH3COCH3ðgÞ
þ 3CO2ðgÞ ð2Þ
and the decarboxylation reaction of BZA,
Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞ ! Zn4OðsÞ þ 6CH3COOðs

Þ, (3)
where s and s* represent solid and surface states,
respectively. Previous studies showed that films produced
in the way of Eq. (2) did not exhibit any signs of
crystallinity and were found to contain high levels

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2.4. ZnO ก่อในงานนี้ดีลักซ์รวมละลายในน้ำ deionized ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นในการก่อตัวของฟิล์ม ZnO ภายใต้ผิว CVDเงื่อนไขพื้นฐานสังกะสี acetate (BZA) ถูกผลิตโดยการการระเหยของซดีซา และ adsorbed บนพื้นผิว ที่ของไอน้ำ H2O สามารถช่วยผลิต โดย [25,29],4ZnðCH3COOÞ2ðgÞ þ H2OðgÞ Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞþ 2CH3COOHðgÞ, ð1Þที่ g แสดงถึงสถานะแก๊ส ดังนั้น ในเวลาต่อมาเจริญเติบโตของ ZnO ภาพยนตร์เชื่อว่าจะเกิดขึ้นจากการแยกส่วนประกอบของโมเลกุล BZA impinging บนพื้นผิวร้อน ตามการแยกส่วนประกอบจลนพลศาสตร์ มีมีสองขนานปฏิกิริยาของน้ำ [38], การปฏิกิริยาไพโรไลซิของ BZAZn4OðCH3COOÞ6ðgÞ 4ZnOðsÞ þ 3CH3COCH3ðgÞþ 3CO2ðgÞ ð2Þและปฏิกิริยา decarboxylation ของ BZAZn4OðCH3COOÞ6ðgÞ Zn4OðsÞ þ 6CH3COOðsÞ, (3)ที่ s และ s * แสดงถึงสถานะของแข็ง และพื้นผิวตามลำดับ การศึกษาก่อนหน้านี้แสดงให้เห็นว่า ผลิตภาพยนตร์ขวาง Eq. (2) ไม่แสดงสัญญาณใด ๆcrystallinity และพบมีระดับสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2.4 ซิงค์ออกไซด์ก่อตัวในงานนี้ ZA ละลายในน้ำปราศจากไอออนที่ใช้เป็นสารตั้งต้นสำหรับฟิล์มซิงค์ออกไซด์ก่อตัว ภายใต้ CVD เงื่อนไข acetate สังกะสีระดับล่าง (BZA) ที่ผลิตโดยการระเหยของZA และดูดซับบนพื้นผิว การปรากฏตัวของไอน้ำ H2O สามารถช่วยการผลิตโดย [25,29] 4ZnðCH3COOÞ2ðgÞþH2OðgÞ! Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞþ2CH3COOHðgÞ, ð1Þที่g เป็นตัวแทนของรัฐก๊าซ ดังนั้นภายหลังการเจริญเติบโตของฟิล์มซิงค์ออกไซด์เชื่อว่าจะเกิดขึ้นจากการสลายตัวของโมเลกุลBZA กระทบบนพื้นผิวที่ร้อน ขึ้นอยู่กับการจลนศาสตร์การสลายตัวมีสองปฏิกิริยาคู่ขนานในกรณีที่ไม่มีน้ำ [38] ในปฏิกิริยาไพโรไลซิของBZA, Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞ! 4ZnOðsÞþ3CH3COCH3ðgÞþ3CO2ðgÞð2Þและปฏิกิริยาdecarboxylation ของ BZA ที่Zn4OðCH3COOÞ6ðgÞ! Zn4OðsÞþ6CH3COOðs? Þ (3) ที่และ s * เป็นตัวแทนของรัฐที่มั่นคงและพื้นผิวตามลำดับ ศึกษาก่อนหน้านี้แสดงให้เห็นว่าการผลิตภาพยนตร์ในทางของสม (2) ไม่ได้แสดงสัญญาณใด ๆ ของผลึกและพบว่ามีระดับสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2.4 . ซิงค์ออกไซด์ก่อตัว
ในงานนี้หลังละลายคล้ายเนื้อเยื่อประสานน้ำถูกใช้เป็นสารตั้งต้นสำหรับ
ฟิล์มเช่นกัน ภายใต้เงื่อนไขพื้นฐานซิงค์อะซิเตต ( CVD

bza ) ผลิตโดยการระเหยของซีเอ และดูดซับบนพื้นผิว
ตนของ H2O ไอสามารถช่วยเหลือการผลิตโดย [ 25,29 ] ,
4zn ð ch3coo Þ 2 ðกรัมÞþ H2O ðกรัมÞ ! zn4o ð ch3coo Þ 6 ðกรัมÞ
þ 2ch3cooh Þððกรัม , 1 Þ
ที่ G เป็นสถานะก๊าซ ดังนั้นการเจริญเติบโตของซิงค์ออกไซด์ฟิล์มตามมา

เชื่อว่าเกิดขึ้นจากการสลายตัวของโมเลกุล bza กระทบ
พื้นผิวร้อน จากการย่อยสลาย จลนศาสตร์มี
2 ขนาน ปฏิกิริยาในการขาดน้ำ [ 38 ] ,

zn4o ปฏิกิริยาไพโรไลซิสของบีซ่า 6 , ð ch3coo ÞðกรัมÞ ! 4zno ð S Þþ 3ch3coch3 ðกรัมÞ
þ 3co2 ðกรัมÞð 2 Þ
และเงือกปฏิกิริยาของบีซ่า
zn4o , ð ch3coo Þ 6 ðกรัมÞ ! zn4o ð S Þþ 6ch3coo ð S

Þ ( 3 )
ที่ S และ S * เป็นตัวแทนของของแข็งและพื้นผิวรัฐ
ตามลำดับ การศึกษาก่อนหน้านี้พบว่า การผลิตภาพยนตร์
ในทางของอีคิว ( 2 ) ไม่ได้แสดงสัญญาณใด ๆของ
ผลึก และพบว่ามีระดับสูง