Flotherm (V8.1, Mentor Graphics Ltd.) was used to evaluate the junction temperature of LED package [7]. The actual shape of the LED package was conserved in the modeling for comparisons with experimental data. A 1 mm 1 mm size of GaN-based LED chip was used in this study and the size of silver (Ag) paste was assumed as same as the chip size. The package is composed of GaN chip, Sapphire substrate, Ag paste, copper (Cu) slug, lens-epoxy, thermal compound, MCPCB, and mold. The thermal conductivity, density and specific heat of each component are listed at Table 1 [7–10]. Under the DC power, constant heat generation is applied to the LED package. The ambient temperature of system was fixed at 20 C and the LED was modeled under the conditions of natural convection, which agrees with the EIA/JESD 51-2 [11].
where Rth is the thermal resistance, Tj the junction temperature, Ta the ambient temperature, P power, and DT the junction temperature rise. At a specific input power, the junction temperature of package was reached into saturation. Under AC driven, the input power was changed periodically. The LED package was driven under AC operation with different frequency and the input power was measured with oscilloscope (Tektronix, TDS 5054). The reverse half-wave in AC driving was controlled by the booster switch. The booster switch was connected AC LED with thermal transient tester. The extracted powers from oscilloscope were used as the input power for thermal simulation. Transient thermal method was used for measuring junction temperature and calculating thermal resistance [12]. It is an electrical method which uses the linear relationship of forward voltage of LED with junction temperature. The set-up for measuring junction temperature of LED package was schematically shown in Fig. 1
flotherm ( v8.1 mentor กราฟิก Ltd . ) ได้ใช้วิธีการแยกอุณหภูมิของแพคเกจ LED [ 7 ] รูปร่างที่แท้จริงของแพคเกจ LED คือสามารถในการเปรียบเทียบกับข้อมูลจากการทดลอง 1 มิลลิเมตร 1 มม. ขนาดของกานใช้ LED ชิปที่ใช้ในการศึกษา และขนาดของเงิน ( Ag ) วางสมมติเช่นเดียวกับชิปขนาด แพคเกจนี้ประกอบด้วยกันชิป แซฟไฟร์ฐานรองวาง AG , ทองแดง ( Cu ) บุ้ง เลนส์อีพ็อกซี่ , สารประกอบ , ความร้อนและ MCPCB , แม่พิมพ์ ค่าการนำความร้อนความหนาแน่นและความร้อนที่เฉพาะเจาะจงของแต่ละองค์ประกอบที่ระบุไว้ในตารางที่ 1 [ 7 – 10 ] ภายใต้ไฟ DC , รุ่นความร้อนคงที่ที่ใช้กับแพคเกจ LED . อุณหภูมิของระบบคงที่ 20 C และ LED ถูกออกแบบภายใต้เงื่อนไขของการพาความร้อนแบบธรรมชาติ ซึ่งเห็นด้วยกับ EIA / jesd 51-2 [ 11 ]ที่ rth เป็นความต้านทานความร้อน เช่นชุมทางอุณหภูมิ Ta อุณหภูมิ , อุณหภูมิจุดพลังและ DT แยกอุณหภูมิสูงขึ้น ในการป้อนพลังงานเฉพาะ แยกชุดนั้นเข้าไปถึงอุณหภูมิอิ่มตัว ภายใต้ AC ในการขับเคลื่อน สัญญาณมีการเปลี่ยนแปลงเป็นระยะ ๆ ชุด LED ถูกขับเคลื่อนภายใต้การดำเนินงานกับ AC ความถี่ที่แตกต่างกันและสัญญาณวัดด้วยออสซิลโลสโคป ( Tektronix , TDS 5054 ) กลับครึ่งคลื่นใน AC ขับรถถูกควบคุมโดยบูสเตอร์สวิตช์ บูสเตอร์สวิตช์เชื่อม AC LED ด้วยเครื่องวัดแบบความร้อน สกัดพลังจากออสซิลโลสโคปที่ใช้ความร้อนจากพลังงานที่ป้อนเข้าระบบ วิธีลดความร้อนใช้สำหรับการวัดอุณหภูมิชุมทางและการคำนวณความต้านทานความร้อน [ 12 ] มันเป็นวิธีที่ใช้ไฟฟ้าความสัมพันธ์เชิงเส้นของไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าของ LED ด้วยอุณหภูมิชุมทาง การตั้งค่าสำหรับการวัดอุณหภูมิของแพคเกจ LED แยกเป็นแผนผังที่แสดงในรูปที่ 1
การแปล กรุณารอสักครู่..
