) Voltage Follower Peak DetectorCir

) Voltage Follower Peak Detector
Circuit Operation
When Vi is greater than VC, the output of A1 is positive, D2 is forward-biased, and A1 behaves as a voltage follower, charging C1 to Vp.
When Vi falls below VP, VC remains at VP , and consequently, the inverting input terminal of A1 also remains at VP .
Therefore, the output of op-amp A1 goes negative, reversing D2 and forward-biasing D1 .
Negative feedback via D1 keeps A1 from going into saturation.
In the circuit of Fig.7-12, A2 should be a BIFET op-amp for input bias current, but A1 can be any op-amp type that is otherwise suitable.
Diode D2 should have a very low reverse leakage current.
However, with the use of a BIFET op-amp for A2, the reverse leakage of D2 (perhaps a maximum of 1A) is likely to be much larger than the input bias current of A2.
Therefore, the diode reverse leakage current IR(D2) is more effective in discharging than IB(max) of A2.
C1 should have a very high resistance dielectric.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

) จับแรงดันไฟฟ้าสูงสุดหล่อวงจรการดำเนินงานเมื่อ Vi มากกว่า VC ผลลัพธ์ของ A1 เป็นบวก D2 จะลำเอียงไปข้างหน้า และ A1 ทำงานเป็นผู้ติดตามแรง ชาร์จ C1 กับ Vp เมื่อ Vi อยู่ด้านล่าง ยังคงที่ VP VP, VC และดังนั้น เทอร์มินัลสำหรับการป้อนค่าสีตรงกันข้ามของ A1 ยังคงที่ VP ยัง ดังนั้น ผลลัพธ์ของ op-แอมป์ A1 ไป D2 เป็นค่าลบ กลับและไปข้างหน้า biasing ง 1 การป้อนกลับเชิงลบผ่านง 1 เก็บ A1 จากไปความเข้ม ในวงจรของ Fig.7-12, A2 ควร op-แอมป์ BIFET สำหรับความโน้มเอียงเข้าปัจจุบัน แต่ A1 สามารถใด ๆ op-amp ชนิดที่เหมาะสมมิฉะนั้น ไดโอด D2 จะมีรั่วกลับต่ำมากปัจจุบัน อย่างไรก็ตาม ด้วยการใช้แอมป์-op ที่ BIFET สำหรับ A2 รั่วไหลย้อนกลับของ D2 (บางทีสูงสุด 1A) มีแนวโน้มที่จะมีขนาดใหญ่กว่าปัจจุบันตั้งสำหรับการป้อนค่าของ A2 ดังนั้น การรั่วไหลย้อนกลับของไดโอด IR(D2) ปัจจุบันได้เพิ่มประสิทธิภาพในการปล่อยกว่า IB(max) A2 C1 ควรมี dielectric ความต้านทานสูงมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

) แรงดันไฟฟ้าสูงสุดตรวจจับผู้ติดตาม
วงจรการดำเนินงาน
เมื่อ Vi มีค่ามากกว่า VC, การส่งออกของ A1 เป็นบวก D2 คือลำเอียงไปข้างหน้าและ A1 ทำงานเป็นผู้ตามแรงดันชาร์จ C1 จะ Vp.
เมื่อ Vi ต่ำกว่ารองประธานฝ่าย VC ยังคงอยู่ที่ประธาน และทำให้ขั้วกลับหัวใส่ของ A1 ยังคงอยู่ที่ VP.
ดังนั้นการส่งออกของสหกรณ์แอมป์ A1 ไปลบย้อนกลับ D2 และส่งต่อ D1-biasing.
ข้อเสนอแนะเชิงลบผ่านทาง D1 ช่วย A1 จากไปในความอิ่มตัว.
ในวงจรของ Fig.7-12, A2 ควรจะ BIFET สหกรณ์แอมป์สำหรับการป้อนข้อมูลอคติในปัจจุบัน แต่ A1 สามารถเป็นประเภทสหกรณ์แอมป์ที่เหมาะเป็นอย่างอื่น.
ไดโอด D2 ควรจะมีการรั่วไหลย้อนกลับที่ต่ำมากในปัจจุบัน.
แต่มีการใช้ BIFET สหกรณ์แอมป์สำหรับ A2, รั่วไหลย้อนกลับของ D2 (อาจจะสูงสุดของ1A) มีแนวโน้มที่จะมีขนาดใหญ่กว่าอคติการป้อนข้อมูลปัจจุบันของ A2.
ดังนั้นไดโอดกลับรั่วไหลของกระแส IR (D2) มีประสิทธิภาพมากขึ้น ในการปฏิบัติมากกว่า IB (สูงสุด) ของ A2.
C1 ควรมีอิเล็กทริกความต้านทานสูงมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แรงดันสูงสุด ) ตามวงจรตรวจจับ

ตอนที่ 6 การดำเนินงานมากกว่า VC ของ A1 เป็นบวก , D2 ลำเอียงไปข้างหน้าและ A1 ทำตัวเป็นผู้ตามกระแสชาร์จ C1 กับ VP .
ตอนที่ 6 อยู่ด้านล่างของ VC ยังคงอยู่ที่ VP และจากนั้น กลับหัวใส่ขั้ว A1 ก็ยังคงอยู่ที่ VP .
ดังนั้น ผลผลิตของ OP แอมป์ A1 ไปลบ กลับส่งต่อ biasing D1 D2 และ .
การป้อนกลับเชิงลบผ่าน D1 ให้ A1 จากไปในความอิ่มตัว
ในรอบ fig.7-12 A2 ควรแอมป์ OP bifet สำหรับอคติปัจจุบันใส่ แต่ A1 สามารถใด ๆที่เป็น OP แอมป์ประเภทอื่นที่เหมาะสม
ไดโอด D2 น่าจะต่ำมากกลับกระแสรั่วไหล .
แต่ด้วยการใช้แอมป์ OP bifet สำหรับ A2 ,ย้อนกลับการรั่วของ D2 ( อาจจะเกิน 1  ) มีแนวโน้มที่จะมีขนาดใหญ่กว่าใส่อคติปัจจุบันของ A2 .
ดังนั้นไดโอดกระแสรั่วไหลย้อนกลับ IR ( D2 ) มีประสิทธิภาพในการรักษากว่า IB ( max ) A2 .
C1 ควรมีความต้านทานสูงมากที .