This simulation was made with the p

This simulation was made with the program CASINO. The plot on the right shows how the depth to which the interaction volume extends in silicon as a function of the acceleration voltage. One percent of the energy of the incoming electrons is deposited deeper than the highest dark blue line and 10% of the energy is deposited deeper than the red line. We were able to make the highest resolution images with an acceleration voltage of 5 keV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การจำลองนี้ทำ ด้วยโปรแกรมคาสิโน ลงจุดบนขวาแสดงว่าความลึกที่ระดับเสียงโต้ตอบขยายในซิลิคอนเป็นฟังก์ชันของแรงเร่ง หนึ่งเปอร์เซ็นต์ของพลังงานของอิเล็กตรอนเข้ามาส่งลึกกว่าเส้นสีน้ำเงินเข้มสุด และ 10% ของพลังงานส่งลึกกว่าเส้นสีแดง เราก็สามารถที่จะทำให้ภาพความละเอียดสูงสุด ด้วยแรงเร่ง 5 keV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จำลองนี้ถูกสร้างขึ้นด้วยโปรแกรมคาสิโน พล็อตด้านขวาแสดงให้เห็นว่าระดับความลึกที่ปริมาณการปฏิสัมพันธ์ขยายในซิลิกอนเป็นหน้าที่ของแรงดันไฟฟ้าที่เร่งความเร็ว ร้อยละหนึ่งของพลังงานของอิเล็กตรอนที่เข้ามาจะถูกนำไปฝากไว้ที่ลึกกว่าเส้นสีน้ำเงินเข้มสูงสุดและ 10% ของพลังงานที่จะฝากลึกกว่าเส้นสีแดง เราก็สามารถที่จะทำให้ภาพความละเอียดสูงสุดที่มีแรงดันไฟฟ้าการเร่งความเร็วของ 5 เคฟ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จำลองนี้เกิดขึ้นกับ คาสิโน โปรแกรม พล็อตที่ถูกแสดงให้เห็นถึงความลึกซึ่งปฏิสัมพันธ์ระดับเสียงขยายในซิลิคอนเป็นฟังก์ชันของการเร่งแรงดัน หนึ่งเปอร์เซ็นต์ของพลังงานของอิเล็กตรอนที่เข้ามาเป็นเงินกว่าสูงสุด สีน้ำเงินเข้ม เส้น และ 10% ของพลังงานคือฝากลึกกว่าเส้นสีแดงเราสามารถที่จะให้ภาพความละเอียดสูงสุด ด้วยการเร่งแรงดัน 5 เคฟ