The ion implantation process select

The ion implantation process selects ions of a desired dopant,
accelerates them using an electric field to form a beam of ions, and scans them across a wafer to obtain a uniform predeposition dopant profile inside
the crystal.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนการฝังไอออนเลือกของไอออนเจือปนที่ต้องการเร่ง
โดยใช้สนามไฟฟ้าในรูปแบบของลำแสงไอออนและสแกนพวกเขาข้ามแผ่นเวเฟอร์ที่จะได้รับรายละเอียด predeposition เจือปนเครื่องแบบภายใน
คริสตัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประดิษฐ์ไอออนประจุ dopant ระบุ เลือก
โดยใช้สนามไฟฟ้าเป็นแสงอ่อน ๆ เพื่อเพิ่มความเร็ว และสแกนให้ทั่วแผ่นเวเฟอร์เพื่อดูโปรไฟล์ dopant predeposition สม่ำเสมอภายใน
คริสตัลจะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการปลูกไอออนที่จะเลือกไอออนของ dopant ที่ต้องการ
เร่งความเร็วโดยใช้ฟิลด์ไฟฟ้าที่จะเป็นลำแสงของพลังไอออนช่วยปรับและการสแกนไว้ในแผ่นที่จะขอรับโปรไฟล์ dopant predeposition เครื่องแบบที่อยู่ทางด้านในคริสตัล
ซึ่งจะช่วยได้