PResistive RAM (ReRAM) and Memristo

PResistive RAM (ReRAM) and Memristor. In an ReRAM cell, the data is stored as two (single-level cell, or SLC) or more resistance states (multi-level cell, or MLC) of the resistive switch device (RSD).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ราม presistive (reram) แล​​ะ memristor ในเซลล์ reram ข้อมูลจะถูกเก็บไว้เป็นสอง (เซลล์ระดับเดียวหรือ SLC) หรือมากกว่ารัฐต้านทาน (เซลล์หลายระดับหรือ MLC) ของอุปกรณ์สวิทช์ตัวต้านทาน (RSD)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

PResistive RAM (ReRAM) และ Memristor ในเซลล์ ReRAM จัดเก็บข้อมูลเป็น 2 (เซลล์เดียว หรือ SLC) หรือมากกว่าต่อต้านอเมริกา (หลายระดับเซลล์ หรือ MLC) อุปกรณ์สลับหน้า (RSD)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

presistive RAM ( reram )และ memristor . ในเซลล์ reram ที่ข้อมูลที่จะจัดเก็บเป็นสอง( SLC หรือเซลล์เดียว - ระดับ)หรือรัฐการต่อต้านมากขึ้น(, mlc ,ไดร์ฟหรือเซลล์หลายระดับ)ของอุปกรณ์สวิตช์ความต้านทานที่( RSD )