The simulation results are shown in

The simulation results are shown in Fig. 5. Fig. 5(a) shows
that power loss in the MOSFET (sum of the switching and
conduction loss) increases with any increase in the ON-state
resistance, and Fig. 5(b) and (c) shows the output voltage and
duty cycle of the converter, respectively. The PI controller
maintains a fixed output voltage by changing the duty ratio to
compensate for any variation in RDS(ON). The failure rate of
the MOSFET increases with any increase in RDS(ON) due to
increased thermal stress and thereby increases the failure rate
of the converter as well. These are shown in Fig. 5(d) and
(e), respectively. It should be noted that increased RDS(ON)
in a closed-loop system do not increase the reliability of the
converter as opposed to the open-loop system discussed in [2].
The MTTF of the converter is reduced by about 2238 h (0.2556
years) for the variation in RDS(ON) from 34 to 44 mΩ, and this
is shown in Fig. 5(f)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลการทดลองแสดงใน Fig. 5 แสดง 5(a) fig.กระแสไฟฟ้าที่ในมอสเฟต (ผลรวมของการสลับ และจึงขาดทุน) เพิ่มขึ้นกับมีการเพิ่มในรัฐในต้าน ทาน และ Fig. 5(b) และ (c) แสดงแรงดันไฟออก และภาษีรอบแปลง ตามลำดับ ตัวควบคุม PIรักษาแรงดันออกคงที่ โดยการเปลี่ยนแปลงอัตราภาษีเพื่อชดเชยสำหรับการเปลี่ยนแปลงใด ๆ ใน RDS(ON) อัตราความล้มเหลวมอสเฟตเพิ่มขึ้นกับมีการเพิ่มใน RDS(ON) เนื่องความเครียดความร้อนเพิ่มขึ้น และเพื่อเพิ่มอัตราความล้มเหลวแปลงดีขึ้น เหล่านี้แสดงใน Fig. 5(d) และ(จ) ตามลำดับ ควรสังเกตที่เพิ่ม RDS(ON)ในระบบปิดไม่ได้เพิ่มความน่าเชื่อถือของการแปลงตรงข้ามกับระบบเปิดวงที่กล่าวถึงใน [2]MTTF แปลงลดลง โดยประมาณ 2238 h (0.2556ปีสำหรับการเปลี่ยนแปลงใน RDS(ON) จาก 34 44 mΩ และนี้แสดงใน Fig. 5(f)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลการจำลองจะแสดงในรูป 5. รูป 5 (ก)
แสดงให้เห็นว่าการสูญเสียพลังงานในมอสเฟต(ผลรวมของการเปลี่ยนและการสูญเสียการนำ) เพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นในรัฐที่มีต่อความต้านทานและรูป 5 (ข) และ (ค) แสดงให้เห็นถึงแรงดันไฟฟ้าออกและรอบการทำงานของแปลงตามลำดับ ควบคุม PI รักษาแรงดันคงที่โดยการเปลี่ยนอัตราส่วนหน้าที่ที่จะต้องชดเชยการเปลี่ยนแปลงใด ๆ ใน RDS (ON) อัตราความล้มเหลวของการเพิ่มขึ้น MOSFET มีการเพิ่มขึ้นใน RDS (ON) เนื่องจากความเครียดความร้อนที่เพิ่มขึ้นและจะช่วยเพิ่มอัตราความล้มเหลวของการแปลงได้เป็นอย่างดี เหล่านี้จะปรากฏในรูป 5 (ง) และ(จ) ตามลำดับ มันควรจะตั้งข้อสังเกตว่าเพิ่มขึ้น RDS (ON) ในระบบวงปิดไม่ได้เพิ่มความน่าเชื่อถือของการแปลงเมื่อเทียบกับระบบเปิดวงกล่าวถึงใน [2]. MTTF ของแปลงจะลดลงประมาณ 2,238 ชั่วโมง ( 0.2556 ปี) สำหรับการเปลี่ยนแปลงใน RDS (on) 34-44 mΩและนี่ก็แสดงให้เห็นในรูป 5 (ฉ)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลการจำลองแบบแสดงในรูปที่ 5 ภาพที่ 5 ( ) แสดงให้เห็นว่า
การสูญเสียพลังงานใน MOSFET ( ผลรวมของการเปลี่ยนและการเพิ่มใด ๆการสูญเสีย
) เพิ่มขึ้นในรัฐ
ต้านทาน และรูปที่ 5 ( b ) และ ( c ) แสดงแรงดัน output และ
หน้าที่วงจรแปลง ตามลำดับ ที่ตัวควบคุม PI
รักษาแรงดันคงที่ โดยการเปลี่ยนอัตราส่วนหน้าที่

ชดเชยการเปลี่ยนแปลงใดๆในระบบ RDS ( on ) อัตราความล้มเหลวของ
MOSFET เพิ่มกับเพิ่ม RDS ( on ) เนื่องจาก
เพิ่มความเครียดความร้อนและจึงเพิ่มอัตราความล้มเหลว
ของแปลงเช่นกัน เหล่านี้จะถูกแสดงในรูปที่ 5 ( d )
( E ) ตามลำดับ มันควรจะสังเกตว่าเพิ่ม RDS ( on )
ในระบบปิดไม่เพิ่มความน่าเชื่อถือของ
แปลงเป็นนอกคอกระบบลูปเปิดอภิปราย [ 2 ] .
mttf ของแปลงลดลงประมาณ 2238 H ( 0.2556
ปี ) สำหรับการเปลี่ยนแปลงในระบบ RDS ( on ) จาก 34 44 เมตร Ωและนี้จะแสดงในรูปที่ 5
( F )