It is instructive to get an overvie

It is instructive to get an overview of the expected effect of the
varied illumination intensity on the photovoltaic parameters of a solar
cell. The I(V) characteristics of solar cells can be described using the
basic diode equations and the equivalent circuits [12,20]. The circuit
consists mainly of a current source and a diode in the one-diode model
which assumes that the shunt resistance goes to infinity and the series
resistance is zero as in ideal solar cell [20]. This model however was
mainly implemented to describe the electrical behavior of p-n crystalline
silicon solar cells but has also been used in p-i-n thin-film solar
cells [12,21–24]. In TFSC with device-grade absorber layer, recombination
is ignored and hence the standard one-diode model is used to
describe the cell operation especially at standard AM1.5 illumination

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก็ให้คำแนะนำเพื่อให้ได้ภาพรวมผลกระทบที่คาดไว้ของการความเข้มแสงที่แตกต่างกันบนพารามิเตอร์ของแสงอาทิตย์เซลล์แสงอาทิตย์เซลล์ สามารถอธิบายลักษณะ I(V) ของเซลล์แสงอาทิตย์โดยใช้การสมการพื้นฐานไดโอดและวงจรเทียบเท่า [12,20] วงจรประกอบด้วยแหล่งที่มาปัจจุบันและไดโอดในรูปแบบหนึ่งไดโอดซึ่งสันนิษฐานว่า การต่อต้านแบ่งไปอินฟินิตี้และชุดความต้านทานเป็นศูนย์เช่นเซลล์แสงอาทิตย์เหมาะ [20] รุ่นนี้ก็ส่วนใหญ่ใช้เพื่ออธิบายลักษณะการทำงานไฟฟ้าของผลึก p-nเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน แต่ยังถูกใช้ใน p-i-n ฟิล์มบางแสงอาทิตย์เซลล์ [12,21-24] ใน TFSC ด้วยชั้นดูดซับอุปกรณ์เกรด รวมตัวกันอีกรอบจะถูกละเว้นและดังนั้น ไดโอดหนึ่งแบบมาตรฐานใช้ในการอธิบายการดำเนินงานของเซลล์โดยเฉพาะอย่างยิ่งที่มาตรฐาน AM1.5 สว่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็นบทเรียนที่จะได้รับภาพรวมของผลกระทบที่คาดหวังของ
ความเข้มการส่องสว่างที่แตกต่างกันในพารามิเตอร์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์พลังงานแสงอาทิตย์ของ
เซลล์ ฉัน (V) ลักษณะของเซลล์แสงอาทิตย์สามารถอธิบายได้โดยใช้
สมการไดโอดขั้นพื้นฐานและวงจรเทียบเท่า [12,20] วงจร
ประกอบด้วยส่วนใหญ่ของแหล่งกำเนิดในปัจจุบันและไดโอดในรูปแบบหนึ่งไดโอด
ซึ่งสันนิษฐานว่าต้านทานปัดไปที่อินฟินิตี้และชุด
ต้านทานเป็นศูนย์ในขณะที่เซลล์แสงอาทิตย์เหมาะ [20] แต่รุ่นนี้ได้รับการ
ส่วนใหญ่นำมาใช้เพื่ออธิบายพฤติกรรมไฟฟ้าของ PN ผลึก
เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน แต่ยังมีการใช้ในแสงอาทิตย์ขาฟิล์มบาง
เซลล์ [12,21-24] ใน TFSC ด้วยชั้นโช้คอุปกรณ์เกรดรวมตัวกันอีก
จะถูกละเว้นและด้วยเหตุนี้รูปแบบมาตรฐานหนึ่งไดโอดจะใช้ในการ
อธิบายการดำเนินงานมือถือโดยเฉพาะอย่างยิ่งในการส่องสว่าง AM1.5 มาตรฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันคือผลที่จะได้รับภาพรวมของผลที่คาดหวังของความเข้มของการส่องสว่างที่แตกต่างกันเกี่ยวกับพารามิเตอร์ของแผงเซลล์แสงอาทิตย์พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ ฉัน ( V ) ลักษณะของเซลล์แสงอาทิตย์สามารถอธิบายโดยใช้สมการพื้นฐานไดโอดและวงจรสมมูล [ 12,20 ] วงจรประกอบด้วยส่วนใหญ่ของแหล่งที่มาปัจจุบันและไดโอดในตัวไดโอดแบบซึ่งสันนิษฐานว่า หลอดเลือดต้านทานไปไม่มีที่สิ้นสุดและชุดความต้านทานเป็นศูนย์ในเซลล์แสงอาทิตย์ที่เหมาะ [ 20 ] รุ่นนี้คือส่วนใหญ่ใช้เพื่ออธิบายพฤติกรรมทางไฟฟ้าของ p-n ผลึกซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์แต่ยังถูกใช้ใน p-i-n ฟิล์มพลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ 12,21 – [ 24 ] ใน tfsc กับอุปกรณ์เกรดชั้น absorber recombinationถูกละเลย ดังนั้นไดโอดแบบใช้มาตรฐานอธิบายการดำเนินงานโดยเฉพาะเซลล์ที่ am1.5 มาตรฐานรัศมี