Advanced HEXFET® Power MOSFETs from

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นสูง HEXFET ® Power MOSFETs จากนานาชาติ
วงจรเรียงกระแสใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ต่ำมากในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิคอน สวัสดิการนี้,
รวมอย่างรวดเร็วสลับเร็ว และ ruggedized
ออกแบบอุปกรณ์ใช้พลังงาน HEXFET MOSFETs ดี
แบบ มีประสิทธิภาพมากช่วยให้รู้จัก
และอุปกรณ์เชื่อถือได้สำหรับโปรแกรมประยุกต์ที่หลากหลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้นสูง HEXFET ® MOSFETs ไฟฟ้าจากนานาชาติ
Rectifier ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ในระดับต่ำมากในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอน ประโยชน์นี้
รวมกับความเร็วในการเปลี่ยนอย่างรวดเร็วและ ruggedized
การออกแบบอุปกรณ์ที่ HEXFET MOSFETs พลังงานเป็นอย่างดี
ที่รู้จักกันให้นักออกแบบที่มีประสิทธิภาพมาก
อุปกรณ์และเชื่อถือได้สำหรับการใช้งานในหลากหลายของการใช้งาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้นสูง hexfet ®มอสเฟตกำลังจากวงจรเรียงกระแสระหว่างประเทศ
ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้บรรลุ
ต่ำมากในการต้านทานต่อพื้นที่ซิลิกอน ประโยชน์นี้
รวมกับเปลี่ยนความเร็วอย่างรวดเร็วและ ruggedized
การออกแบบอุปกรณ์ที่ hexfet มอสเฟตกำลังดี
รู้จักให้ นักออกแบบ ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้สำหรับอุปกรณ์มาก
ใช้ในหลากหลายของการใช้งาน