These losses are due to surface and

These losses are due to surface and bulk recombination at metal or semiconductor contact and recombination in depletion region. These recombination losses mainly affect the open circuit voltage. Impurities, crystalline defects and incomplete chemical bond on semiconductor acts as traps for photoexcited carriers, and recombination on these traps cause the reduction of photocurrent. The reduction in the concentration of impurities and defects can increase the diffusion length of minority carriers and this can decrease the recombination losses in a solar cell [12].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความสูญเสียเหล่านี้จะเกิด recombination ผิว และเป็นกลุ่มที่ติดต่อโลหะหรือสารกึ่งตัวนำและ recombination ในภูมิภาคลดลง ขาดทุน recombination เหล่านี้ส่วนใหญ่มีผลต่อแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด สิ่งสกปรก ผลึกความบกพร่อง และไม่สมบูรณ์พันธะเคมีในสารกึ่งตัวนำทำหน้าที่เป็นกับดักสำหรับสายการบิน photoexcited และ recombination ในกับดักทำให้เกิดการลดลงของ photocurrent การลดความเข้มข้นของสิ่งสกปรกและตำหนิสามารถเพิ่มความยาวตัวของชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการ และนี้สามารถลดการสูญเสีย recombination ในเซลล์แสงอาทิตย์ [12]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความสูญเสียเหล่านี้เนื่องจากมีพื้นผิวและการรวมตัวกันเป็นกลุ่มที่โลหะหรือติดต่อเซมิคอนดักเตอร์และการรวมตัวกันในภูมิภาคพร่อง ความสูญเสียเหล่านี้ส่วนใหญ่รวมตัวกันอีกส่งผลกระทบต่อแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด สิ่งสกปรกและข้อบกพร่องผลึกพันธะเคมีที่ไม่สมบูรณ์ในการกระทำเซมิคอนดักเตอร์เป็นกับดักสำหรับผู้ให้บริการ photoexcited และรวมตัวกันอีกในกับดักเหล่านี้ก่อให้เกิดการลดลงของ photocurrent ในการลดความเข้มข้นของสิ่งสกปรกและข้อบกพร่องสามารถเพิ่มความยาวการแพร่กระจายของผู้ให้บริการและชนกลุ่มน้อยนี้สามารถลดการสูญเสียของการรวมตัวกันในเซลล์แสงอาทิตย์ [12]