Fig. 3 Equipotential lines for Sphere-sphere electrode under, (a)
Symmetrically applied voltage (b) Asymmetrically applied voltage.
It is revealed from fig. 3(b) that for asymmetrically applied
voltage, the equipotential lines are unevenly distributed in the
inter-electrode gap. Almost the lines show a tendency to
follow the contour of the upper (high voltage) electrode. In
this case, almost all the equipotential lines are shifted towards
the upper electrode, compared to that of the symmetrically
applied voltage. For both the cases of applied voltage, the
lines are very close to each other near the surface of the high
voltage electrodes indicating higher stress is developed at
these points. However, comparing fig. 3(a) and fig. 3(b), it is
revealed that the application of asymmetrical voltage (in
other way to say, grounding one electrode) causes the
dielectric to be stressed more unevenly compared to the case
of symmetrically applied voltage.
2) Equipotential lines for Plane-plane electrode system:
The distribution of the equipotential lines for Plane-plane
electrode system has been shown in fig. 4(a) and fig. 4(b)
respectively for both types of applied voltage. For
symmetrically applied voltage, the equipotential lines are
evenly distributed in the gap whereas for asymmetrically
applied voltage, almost all the lines show a tendency to
follow the contour of the high voltage electrode. The lines are more closed to each other near the high voltage electrode,
indicating more stress developed there. However, comparing
similar figures for sphere-sphere and plane-plane electrode, it
is revealed that comparatively less stress has been developed
for plane electrodes, even if the other conditions like
electrode size, gap distance, applied voltage etc are constant.
Some important outline can be drawn from the above
discussion by comparing the fig. 3(a), fig. 3(b), fig. 4(a) and
fig. 4(b)) which are listed below:
(i) Under same magnitude of applied voltage, less stress is
developed in the dielectric for symmetrically applied
voltage compared to that for asymmetrically applied
voltage.
(ii) Although the radius and gap distance of the both types
of electrodes are same (radius = 5, gap = 10) less stress
is developed in the dielectric for plane-plane electrode
compared to sphere-sphere electrode, for both types of
applied voltage.
(iii) Looking at the distribution of the equipotential lines
along the electrode axis, it is revealed that, in all the
cases, more stress is developed near the high voltage
electrode, compared to other points in the interelectrode
gap.Fig. 4 Equipotential lines for Plane-plane electrode under, Symmetrically
applied voltage (b) Asymmetrically applied voltage.
B. Experiment on the Distribution of Electric Field Intensity
Breakdown of any dielectric is caused by the electric field
intensity developed. The variation of the electric field
intensity along the shortest path of the electrodes (along the
inter-electrode gap) has been estimated for both the electrode
systems under both types of applied voltages by CSM as
shown in the fig. 5. Only the magnitude of the field intensity
has been considered to simulate the result. It is revealed form
the figure that for both types of applied voltages, maximum
stress (maximum electric field intensity) is developed near
the high voltage electrode. For symmetrically applied voltage,
minimum stress is observed at the middle point of the gap
distance between the electrodes, whereas for asymmetrically
applied voltage, the minimum stress point has been shifted
towards the high voltage electrode. It is also revealed form
the figure that, for both the electrode types, asymmetrically
applied voltage cause larger stress development. However for
sphere-sphere electrode, the magnitude of the maximum
electric field is more than that of plane-plane electrode.
Therefore, it indicates that the possibility of occurring
breakdown is more in case of sphere-sphere electrode,
compared to plane-plane electrode, having all other
conditions similar.
Fig. 3 บรรทัด Equipotential สำหรับอิเล็กโทรดทรงกลมทรงกลมใต้, (ก)
ตำแหน่งใช้แรงดันไฟฟ้าแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ (b) Asymmetrically.
เป็นการเปิดเผยจาก 3(b) fig. ที่สำหรับ asymmetrically ใช้
แรงดัน บรรทัด equipotential ซึ่งกระจายใน
ไฟฟ้าอินเตอร์ช่องว่าง แนวโน้มที่จะแสดงบรรทัดเกือบ
ตาม contour ของอิเล็กโทรดบน (แรงดันสูง) ใน
กรณีนี้ บรรทัด equipotential เกือบทั้งหมดจะเปลี่ยนไปทาง
อิเล็กโทรดบน เปรียบเทียบกับตำแหน่ง
ใช้แรงดันไฟฟ้า สำหรับทั้งสองกรณีของแรงดันที่ใช้ การ
บรรทัดมักมากกันใกล้พื้นผิวของสูง
หุงตแรงแสดงความเครียดที่สูงขึ้นคือพัฒนาที่
จุดเหล่านี้ อย่างไรก็ตาม เปรียบเทียบ fig. 3(a) และ fig. 3(b) เป็น
ว่า ใช้แรงดันไฟฟ้า asymmetrical (ใน
อื่น ๆ วิธีการพูด อิเล็กโทรดหนึ่งจากดิน) ทำให้
dielectric จะเน้นมากขึ้นซึ่งเมื่อเทียบกับกรณี
ของตำแหน่งใช้แรงดันไฟฟ้า
2) บรรทัด Equipotential สำหรับเครื่องบินเครื่องบินไฟฟ้าระบบ:
การกระจายบรรทัด equipotential สำหรับเครื่องบินเครื่องบิน
ระบบไฟฟ้าได้รับการแสดงใน fig. 4(a) fig. 4(b)
สำหรับทั้งสองชนิดใช้แรงดันไฟฟ้าตามลำดับ สำหรับ
ใช้แรงดันไฟฟ้า ตำแหน่งบรรทัด equipotential
กระจายเท่า ๆ กันในช่องว่างในขณะที่สำหรับ asymmetrically
แรงดัน เกือบทุกบรรทัดแสดงแนวโน้มที่จะใช้
ตาม contour ของไฟฟ้าแรงดันสูง บรรทัดเพิ่มเติมปิดกันใกล้ไฟฟ้าแรงสูง,
บ่งชี้ว่า มีความเครียดมากขึ้นพัฒนา อย่างไรก็ตาม เปรียบเทียบ
เลขคล้ายทรงกลมทรงกลมและเครื่องบินเครื่องบินไฟฟ้า มัน
เปิดเผยว่า ได้รับการพัฒนาน้อยดีอย่างหนึ่งที่มีความเครียด
สำหรับหุงตบิน แม้ว่าเงื่อนไขอื่น ๆ เช่น
อิเล็กโทรดขนาด ระยะห่างช่องว่าง ใช้แรงดันฯลฯ เป็นค่าคง.
เค้าบางสิ่งสำคัญที่สามารถดึงจากข้างบน
สนทนา โดยการเปรียบเทียบ fig. 3(a), fig. 3(b), fig. 4(a) และ
ฟิก 4(b)) ซึ่งมี below:
(i) อยู่ภายใต้เดียวกันขนาดของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ มีความเครียดน้อย
พัฒนาใน dielectric สำหรับตำแหน่งใช้
แรงดันเทียบกับ asymmetrically applied
voltage.
(ii) แม้ว่ารัศมีและช่องว่างระยะห่างของทั้งสองชนิด
หุงตอยู่เหมือนกัน (รัศมี = 5 ช่องว่าง = 10) ความเครียดน้อย
พัฒนาใน dielectric สำหรับเครื่องบินเครื่องบินไฟฟ้า
เมื่อเทียบกับอิเล็กโทรดทรงกลมทรงกลม สำหรับทั้งสองชนิด
ใช้ voltage.
(iii) กระจายบรรทัด equipotential
แกนไฟฟ้า เป็นการเปิดเผยว่า ทั้งหมด
กรณี ความเครียดเพิ่มมากขึ้นคือพัฒนาที่ใกล้ไฟฟ้าแรงสูง
อิเล็กโทรด เมื่อเทียบกับจุดอื่น ๆ ใน interelectrode
gap.Fig. 4 Equipotential บรรทัดสำหรับเครื่องบินเครื่องบินไฟฟ้าภายใต้ ตำแหน่ง
ใช้แรงดันไฟฟ้าแรงดัน (b) Asymmetrically ใช้
B. ทดลองบนความกระจายของสนามไฟฟ้าเข้ม
แบ่งของ dielectric ใด ๆ เกิดจากสนามไฟฟ้า
ความเข้มที่พัฒนา การเปลี่ยนแปลงของสนามไฟฟ้า
ความเข้มตามเส้นทางสั้นที่สุดของการหุงต (ตาม
ไฟฟ้าอินเตอร์ช่วง) มีการประมาณสำหรับอิเล็กโทรดทั้งสอง
ระบบภายใต้ทั้งสองชนิดใช้แรงดันโดยร่วมเป็น
แสดงใน fig. 5 ขนาดของฟิลด์ความเข้มเท่า
ได้รับการพิจารณาเพื่อจำลองผลลัพธ์ มันจะเปิดเผยแบบฟอร์ม
เลขที่สำหรับทั้งสองชนิดของแรงดันใช้ สูงสุด
ความเครียด (ความเข้มสนามไฟฟ้าสูงสุด) คือพัฒนาที่ใกล้
ไฟฟ้าแรงดันสูง สำหรับแรงดันใช้ตำแหน่ง,
ความเครียดน้อยที่สุดคือสังเกตที่จุดตรงกลางของช่องว่าง
ห่างจากที่พักระหว่างหุงต ในขณะที่สำหรับ asymmetrically
ได้การเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ จุดต่ำสุดเครียด
ต่อไฟฟ้าแรงสูง มีแบบฟอร์มเปิดเผย
คิดว่า สำหรับอิเล็กโทรดแบบทั้งสองชนิด asymmetrically
ใหญ่ความเครียดพัฒนาทำให้แรงดันไฟฟ้าที่ใช้ อย่างไรก็ตามสำหรับ
ไฟฟ้าทรงกลมทรงกลม ขนาดสูงสุด
สนามไฟฟ้าจะมากกว่าที่ของเครื่องบินเครื่องบินไฟฟ้า
ดังนั้น มันหมายถึงความเป็นไปได้ของการเกิด
แบ่งเป็นเพิ่มเติมในกรณีที่ไฟฟ้าทรงกลมทรงกลม,
เมื่อเทียบกับเครื่องบินเครื่องบินไฟฟ้า มีทั้งหมดอื่น ๆ
เงื่อนไขคล้าย
การแปล กรุณารอสักครู่..
