A signal output difference between

A signal output difference between the packaged and the unpackaged pressure sensors is
observed, as shown in Figure 10(a). Due to the shrinkage characteristics of the molding compound
material during the post-molding curing process, a silicon membrane surface of the pressure sensor has
a compression stress distribution, inducing a signal output shift. Besides, the original resistance of the
four piezoresistors varies from chip to chip. That is one of the possible causes of the signal output shift
of the packaged pressure sensor. However, the packaged pressure sensor has a similar response trend
with that of the unpackaged pressure sensor at room temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นเอาท์พุทสัญญาณความแตกต่างระหว่างการบรรจุและผนึกความดันเซ็นเซอร์สังเกต ดังที่แสดงในรูป 10(a) ลักษณะการหดตัวของพลาสติกผสมวัสดุระหว่างการบ่มขึ้นหลัง ซิลิโคนผิวเมมเบรนของเซ็นเซอร์ความดันมีการบีบอัดความเครียดกระจาย ชักกะสัญญาณเอาท์พุท นอกเหนือจาก ความต้านทานเดิมของการpiezoresistors สี่ชิชิแตกต่างกันไป ที่เป็นสาเหตุของการเปลี่ยนแปลงการแสดงผลสัญญาณอย่างใดอย่างหนึ่งเซนเซอร์ความดันบรรจุ อย่างไรก็ตาม เซ็นเซอร์ความดันบรรจุมีแนวโน้มการตอบสนองคล้ายกับที่ของเซ็นเซอร์ความดันผนึกที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความแตกต่างระหว่างสัญญาณบรรจุและเซนเซอร์ความดันห่อหุ้มเป็น
ข้อสังเกตดังแสดงในรูปที่ 10 (ก) เนื่องจากลักษณะการหดตัวของการปั้นผสม
วัสดุในระหว่างกระบวนการบ่มโพสต์ปั้นพื้นผิวเมมเบรนซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันมี
การกระจายความเครียดการบีบอัดการกระตุ้นให้เกิดการเปลี่ยนแปลงสัญญาณ นอกจากนี้ความต้านทานเดิมของ
สี่ piezoresistors แตกต่างจากชิปชิป นั่นคือหนึ่งในสาเหตุที่เป็นไปได้ของการเปลี่ยนสัญญาณ
ของเซ็นเซอร์ความดันบรรจุ อย่างไรก็ตามเซ็นเซอร์ความดันบรรจุมีแนวโน้มตอบสนองที่คล้าย
กับที่ของเซ็นเซอร์ความดันห่อหุ้มที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สัญญาณ Output ความแตกต่างระหว่างแพคเกจ และเซ็นเซอร์ความดันยกเลิกการบรรจุคือสังเกต ดังแสดงในรูปที่ 10 ( ) เนื่องจากการหดตัว ลักษณะของการฝึกผสมโพสต์รูปวัสดุระหว่างขั้นตอนการบ่ม , ซิลิคอนแผ่นพื้นผิวของเซ็นเซอร์ได้การกระจายความเค้น , กระตุ้นสัญญาณออกกะ นอกจากนี้ความต้านทานต้นฉบับของ4 piezoresistors แตกต่างไปจากชิปต่อชิป ที่เป็นหนึ่งในสาเหตุที่เป็นไปได้ของสัญญาณเปลี่ยนของแพคเกจความดันเซ็นเซอร์ อย่างไรก็ตาม แรงกดดันที่บรรจุเซนเซอร์มีแนวโน้มการตอบสนองที่คล้ายกันกับที่ของเซ็นเซอร์ความดันยกเลิกการบรรจุที่อุณหภูมิห้อง