ZnS and CdS, as the important wide

ZnS and CdS, as the important wide band gap II–
VI group semiconductor materials, are commercially
used as the phosphor in solar energy conversion,
nonlinear optics, photoelectrochemical cells, and
heterogeneous photocatalysis (Yao et al. 2007; Zhou
et al. 2006). As a typical alloyed chalcogenide
semiconductor, ZnxCd1-xS has been intensively
studied because of its high density optical recording,
blue or even UV laser diodes (Liu and Zhu 2008,
Raymond et al. 2003), these studies have revealed
that Zn
xCd1-xS has good and tunable absorption
properties in the visible zone of the solar spectrum
resulting from the regulable Eg between CdS and ZnS
materials (Kulkarni et al. 2001). ZnxCd1-xS alloys
are excellent candidates as visible-light-driven photocatalysts, particularly in the potential application of
environmental remediation

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnS และซีดี เป็นวงกว้างสำคัญ II – ช่องว่างของวัสดุสารกึ่งตัวนำกลุ่ม VI มีในเชิงพาณิชย์ใช้เป็น phosphor ในการแปลงพลังงานแสงอาทิตย์เลนส์ไม่เชิงเส้น photoelectrochemical เซลล์ และphotocatalysis บริการ (ยาว et al. 2007 โจวร้อยเอ็ด al. 2006) เป็น chalcogenide alloyed กับทั่วไปสารกึ่งตัวนำ ZnxCd1 xS แล้ว intensivelyศึกษาเนื่องจากบันทึกของแสงความหนาแน่นสูงสีฟ้าหรือแม้แต่รังสียูวีเลเซอร์ไดโอดได้ (หลิวและซู 2008เรย์มอนด์ et al. 2003), การศึกษานี้ได้เปิดเผยZn ที่xCd1-xS ได้ดูดซึมดี และ tunableคุณสมบัติในโซนเห็นของสเปกตรัมแสงเกิดจาก Eg regulable ระหว่างซีดีและ ZnSวัสดุ (Kulkarni et al. 2001) โลหะผสม ZnxCd1 xSเป็นผู้สมัครที่ดีเห็นแสงขับเคลื่อน photocatalysts โดยเฉพาะอย่างยิ่งในการประยุกต์อาจเกิดขึ้นผู้เชี่ยวชาญด้านสิ่งแวดล้อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ZnS และซีดีเป็นวงกว้างช่องว่างที่สำคัญ II-
VI
วัสดุเซมิคอนดักเตอร์กลุ่มถูกในเชิงพาณิชย์ที่ใช้เป็นสารเรืองแสงในการแปลงพลังงานแสงอาทิตย์เชิงทัศนศาสตร์เซลล์
photoelectrochemical
และโฟโตที่แตกต่างกัน(ยาว et al, 2007;. โจว
et al, 2006). . ในฐานะที่เป็น chalcogenide alloyed
ทั่วไปเซมิคอนดักเตอร์ZnxCd1-xS
ได้รับอย่างหนาแน่นศึกษาเพราะความหนาแน่นสูงของการบันทึกแสงสีฟ้าหรือแม้กระทั่งเลเซอร์ไดโอดยูวี
(หลิวจู้และ 2008
เรย์มอนด์ et al. 2003) การศึกษาเหล่านี้ได้เปิดเผยว่า Zn xCd1-xS มีการดูดซึมที่ดีและพริ้งคุณสมบัติในโซนที่มองเห็นของสเปกตรัมแสงอาทิตย์ผลมาจากการที่บังคับได้เช่นระหว่างซีดีและZnS วัสดุ (Kulkarni et al. 2001) โลหะผสม ZnxCd1-xS มีผู้สมัครที่ยอดเยี่ยมเช่นโฟโตคะที่มองเห็นแสงที่ขับเคลื่อนด้วยโดยเฉพาะอย่างยิ่งในการประยุกต์ใช้ศักยภาพของการฟื้นฟูสิ่งแวดล้อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

zns และซีดีที่สำคัญกว้างช่องว่างแถบ 2 กลุ่ม 6 –เพิ่ม

สารกึ่งตัวนำวัสดุ ใช้เป็นสารเรืองแสงในการแปลงพลังงานแสงอาทิตย์ ,
เชิงทัศนศาสตร์ photoelectrochemical เซลล์และ
ต่างกัน photocatalysis ( เย้า et al . 2007 ; โจว
et al . 2006 ) เป็นปกติ alloyed ชาโคเจนไนด์
เซมิคอนดักเตอร์ , znxcd1 XS ได้รับอย่าง
เรียนเพราะมีความหนาแน่นสูง แสงบันทึก
ฟ้าหรือแม้แต่ยูวีเลเซอร์ไดโอด ( หลิวและ Zhu 2008
เรย์มอนด์ et al . 2003 ) การศึกษานี้พบว่าสังกะสี

xcd1 XS มีที่ดีและความต้านทานสมบัติการดูดซึม
ในโซนที่มองเห็นได้ของสเปกตรัมของแสงอาทิตย์
ที่เกิดจากเช่นบัญญัติระหว่างซีดีและ zns
วัสดุ ( kulkarni et al . 2001 ) znxcd1 XS โลหะผสม
เป็นผู้สมัครที่ยอดเยี่ยมเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาแสงมองเห็นได้ขับ ,โดยเฉพาะในการใช้ศักยภาพของ
การฟื้นฟูสิ่งแวดล้อม