Fig. 3 presents the AFM images of a

Fig. 3 presents the AFM images of a 44 lm2 scanning area as a function of the substrate temperature. It is seen that the surface morphology varies significantly with increasing substrate temperature. As the substrate temperature increased, the surface of AZO thin films exhibited rougher surfaces and the grain size became larger. The root-mean-square (rms) roughness increased from 1.89 nm to 2.67nm with increasing the substrate temperature from 0 C to 400C. This result is consistent with the application requirements for LEDs for which the rms roughness must be under 3 nm [20]. In general, the increased grain size leads to decreasing the grain boundary, which hinders the movement of carrier, and improving the conductivity. In our case, the contrary results appeared, so that the grain size is not critical parameter in electrical properties. Also, the rougher surface provides more opportunity for surface adsorption on the surface, resulting in degradation of electrical properties in AZO thin film. Therefore, the change of surface adsorption on the surface is observed and discussed below

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 3 แสดงภาพ AFM ของ 4 4 lm2 แกนตั้งเป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิพื้นผิว มันเห็นสัณฐานพื้นผิวแตกต่างกันไป significantly ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว เพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว พื้นผิวของ films AZO บางแสดงพื้นผิวหยาบ และขนาดเม็ดกลายเป็นขนาดใหญ่ ความหยาบรากหมายถึง square (rms) เพิ่มขึ้นจาก 1.89 nm ถึง 2.67nm ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิวจาก 0 C ถึง c 400 ผลลัพธ์นี้จะสอดคล้องกับความต้องการแอพลิเคชันสำหรับไฟ Led ที่ขรุขระ rms ต้องต่ำกว่า 3 nm [20] ทั่วไป ขนาดเม็ดเพิ่มขึ้นนำไปสู่การลดขอบเขตเกรน ซึ่งเป็นอุปสรรคต่อการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการ และการปรับปรุงการนำ ในกรณีของเรา ผลลัพธ์ตรงกันข้ามปรากฏ เพื่อให้ขนาดเม็ดไม่ใช่พารามิเตอร์สำคัญในคุณสมบัติทางไฟฟ้า ยัง พื้นผิวหยาบมีโอกาสเพิ่มเติมสำหรับพื้นผิวการดูดซับบนพื้นผิว เป็นผลในการลดคุณสมบัติทางไฟฟ้าในภาพยนตร์บาง AZO ดังนั้น สังเกตการเปลี่ยนแปลงของพื้นผิวดูดซับบนพื้นผิว และกล่าวถึงด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 3 นำเสนอภาพ AFM พื้นที่สแกน 4? 4 lm2 เป็นหน้าที่ของอุณหภูมิพื้นผิวที่ จะเห็นว่าลักษณะพื้นผิวแตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญกับการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว อุณหภูมิพื้นผิวเพิ่มขึ้นพื้นผิวของ AZO LMS บาง Fi แสดงพื้นผิวขรุขระและขนาดของเมล็ดข้าวกลายเป็นขนาดใหญ่ รากเฉลี่ยตาราง (RMS) ความหยาบกร้านเพิ่มขึ้นจาก 1.89 นาโนเมตรเพื่อ 2.67nm กับการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิวจาก 0? C ถึง 400? C ผลที่ได้นี้มีความสอดคล้องกับความต้องการใช้สำหรับไฟ LED ซึ่ง RMS ความหยาบกร้านต้องอยู่ภายใต้ 3 นาโนเมตร [20] โดยทั่วไปขนาดของเมล็ดข้าวเพิ่มขึ้นนำไปสู่​​การลดลงขอบเกรนซึ่งเป็นอุปสรรคต่อการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการและการปรับปรุงการนำไฟฟ้า ในกรณีของเราผลตรงกันข้ามปรากฏเพื่อให้ขนาดของเมล็ดข้าวไม่ได้เป็นพารามิเตอร์ที่สำคัญในการคุณสมบัติทางไฟฟ้​​า นอกจากนี้พื้นผิวขรุขระมีโอกาสมากขึ้นสำหรับการดูดซับบนพื้นผิวพื้นผิวที่มีผลในการย่อยสลายของคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าใน AZO LM Fi บาง ดังนั้นการเปลี่ยนแปลงของพื้นผิวในการดูดซับบนพื้นผิวที่เป็นที่สังเกตและกล่าวถึงด้านล่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 3 แสดง AFM ภาพของ 44 lm2 สแกนพื้นที่เป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิแผ่นรองรับ . จะเห็นได้ว่า ลักษณะผิวที่แตกต่างกันไป signi จึงลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่อเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว เป็นอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นของพื้นผิว พื้นผิวของอาร์ทีมิสจึงมีพื้นผิวขรุขระ และบางและขนาดเกรนกลายเป็นขนาดใหญ่ รากหมายความว่าสี่เหลี่ยมจัตุรัส ( RMS ) ความหยาบเพิ่มขึ้นจาก 1.89 nm ที่จะ 2.67nm เพิ่มพื้นผิวในอุณหภูมิ 0 C ถึง 40 . ผลนี้สอดคล้องกับการความต้องการสำหรับไฟ LED ซึ่ง RMS ขรุขระต้องได้ที่ 3 nm [ 20 ] โดยทั่วไป ขนาดของเมล็ดเพิ่มขึ้น นำไปสู่การลดเม็ดเขตแดนซึ่งเป็นอุปสรรคต่อการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการและการปรับปรุงการนำ ในทางตรงกันข้าม กรณีของเรา ผลปรากฏ เพื่อให้เมล็ดข้าวขนาดไม่ใช่ตัวแปรสำคัญในคุณสมบัติทางไฟฟ้า นอกจากนี้ พื้นผิวขรุขระมีโอกาสมากขึ้นสำหรับการดูดซับบนพื้นผิวพื้นผิว , ผลในการเสื่อมสภาพของสมบัติทางไฟฟ้าในเอโซบางจึงอิม ดังนั้นการเปลี่ยนแปลงของการดูดซับบนพื้นผิวพื้นผิวเป็นที่สังเกต และกล่าวถึงด้านล่าง