Thus far, the discussion of photovo

Thus far, the discussion of photovoltaics has been quite generic; that is, it hasn’t particularly depended upon what technology was used to fabricate the cells. The circuit concepts just developed will be used in the next chapter when we explore PV system design, but before we get there it will be helpful to explore the different types of technologies currently used to manufacture photovoltaics.
There are a number of ways to categorize photovoltaics. One dichotomy is based on the thickness of the semiconductor. Conventional crystalline silicon solar cells are, relatively speaking, very thick—on the order of 200–500 μm (0.008–0.020 in.). An alternative approach to PV fabrication is based on thin films of semiconductor, where “thin” means something like 1–10 μm. Thin-film cells require much less semiconductor material and are easier to manufacture, so they have the potential to be cheaper than thick cells. The first generation of thin-film PVs were only about half as efficient as conventional thick silicon cells; they were less reliable over time, yet they were no cheaper per watt, so they really weren’t competitive. All three of these negative attributes have been addressed, more or less successfully, and thin-film PVs are beginning to become more competitive. In the near future they may even dominate PV sales. Cur- rently, however, about 80% of all photovoltaics are thick cells and the remaining 20% are thin-film cells used mostly in calculators, watches, and other consumer electronics.
Photovoltaic technologies can also be categorized by the extent to which atoms bond with each other in individual crystals. As described by Bube (1998), there is a “family tree” of PVs based on the size of these crystals. The historically generic name “polycrystalline” can be broken down into the following more specific terms: (1) single crystal, the dominant silicon technology; (2) multicrystalline, in which the cell is made up of a number of relatively large areas of single crystal grains, each on the order of 1 mm to 10 cm in size, including multicrys- talline silicon (mc-Si); (3) polycrystalline, with many grains having dimensions on the order of 1 μm to 1 mm, as is the case for cadmium telluride (CdTe) cells, copper indium diselenide (CuInSe2,) and polycrystalline, thin-film silicon; (4) microcrystalline cells with grain sizes less than 1 μm; and (5) amorphous, in which there are no single-crystal regions, as in amorphous silicon (a-Si).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฉะนี้ สนทนาของแผงเซลล์แสงได้ค่อนข้างทั่วไป กล่าวคือ มันไม่โดยเฉพาะอย่างยิ่งพร้อมใช้เทคโนโลยีอะไรในการประดิษฐ์เซลล์ แนวคิดวงจรเพียงพัฒนาจะใช้ในบทถัดไปเมื่อเราได้ออกแบบระบบ PV แต่ก่อนที่เราจะมี มันจะมีประโยชน์ในการสำรวจชนิดของเทคโนโลยีที่ใช้ในการผลิตแผงเซลล์แสง
มีหลายวิธีในการจัดประเภทแผงเซลล์แสง Dichotomy หนึ่งขึ้นอยู่กับความหนาของสารกึ่งตัวนำที่ เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนแบบผลึกจะ ค่อนข้างพูด หนามาก — ขั้น μm 200 – 500 (0.008 – 0.020 ในนั้น) วิธีการทดแทนการผลิต PV อยู่บนฟิล์มบาง ๆ ของสารกึ่งตัวนำ ที่ "บาง" หมายถึง สิ่งที่ต้องการ μm 1-10 ฟิล์มบางเซลล์ต้องใช้วัสดุสารกึ่งตัวนำน้อยมาก และจะง่ายต่อการผลิต เพื่อให้พวกเขามีศักยภาพที่จะประหยัดกว่าเซลล์หนา รุ่นแรกของ PVs ฟิล์มบางมีเพียงครึ่งมีประสิทธิภาพที่เซลล์ซิลิคอนหนาธรรมดา พวกเขาเชื่อถือได้น้อยกว่าเวลา แต่พวกไม่ถูกกว่าต่อวัตต์ ดังนั้นพวกเขาจริง ๆ ไม่ได้แข่งขัน ทั้งสามของลบแอตทริบิวต์ได้รับ อยู่ น้อยสำเร็จ และ PVs แบบฟิล์มจะเริ่มกลายเป็นการแข่งขัน ในอนาคตพวกเขาอาจได้ครองขาย PV ปัจจุบัน - rently อย่างไรก็ตาม ประมาณ 80% ของแผงเซลล์แสงทั้งหมดเซลล์หนา และเหลือ 20% เซลล์แบบฟิล์มที่ใช้ในเครื่องคิดเลข นาฬิกา และอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภคอื่น ๆ ได้ส่วนใหญ่
เทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์แบ่งตามขอบเขตการที่อะตอมพันธะกันในผลึกแต่ละ ตามที่อธิบายไว้ โดย Bube (1998), มีเป็น "ครอบครัว" ของ PVs ตามขนาดของผลึกเหล่านี้ ชื่อทั่วไปอดีต "ค" สามารถแบ่งออกเป็นต่อไปนี้เงื่อนไขเฉพาะ: ผลึกเดี่ยว (1) เทคโนโลยีซิลิคอนหลัก (2) multicrystalline ซึ่งเซลล์ขึ้นเป็นจำนวนพื้นที่ค่อนข้างใหญ่ของผลึกเดี่ยวธัญพืช แต่ละขั้น 1 มม. 10 ซม.ขนาด รวม multicrys talline ซิลิคอน (mc-ซี); (3) ค มีในธัญพืชที่มีมิติขั้น μm 1 มม. 1 เป็นกรณีแคดเมียมเซลล์ telluride (CdTe) ทองแดงอินเดียม diselenide (CuInSe2,) และค ฟิล์มบาง ซิลิคอน (4) จุลเซลล์เม็ดขนาดน้อยกว่า 1 μm และ (5) ไป ที่เป็นภูมิภาคไม่ผลึกเดี่ยว ในซิลิคอนไป (ที่สี่)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ป่านนี้อภิปรายของระบบไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ที่ได้รับทั่วไปค่อนข้าง; นั่นคือมันไม่ได้ขึ้นอยู่โดยเฉพาะอย่างยิ่งกับสิ่งที่เทคโนโลยีที่ถูกใช้ในการสร้างเซลล์ แนวคิดวงจรการพัฒนาก็จะถูกนำมาใช้ในบทต่อไปเมื่อเราสำรวจออกแบบระบบ PV แต่ก่อนที่เราจะได้รับนั้นมันจะเป็นประโยชน์ในการสำรวจชนิดที่แตกต่างกันของเทคโนโลยีที่ใช้ในปัจจุบันในการผลิตไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
มีหลายวิธีในการจัดหมวดหมู่ระบบไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ที่ . ขั้วหนึ่งจะขึ้นอยู่กับความหนาของสารกึ่งตัวนำ เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดผลึกซิลิคอนที่มีการพูดค่อนข้างหนามากเกี่ยวกับคำสั่งของ 200-500 ไมโครเมตร (0.008-0.020 ใน). วิธีการทางเลือกในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์จะขึ้นอยู่กับฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำที่ "บาง" หมายถึงสิ่งที่ต้องการ 1-10 ไมโครเมตร แบบฟิล์มบางเซลล์ต้องใช้วัสดุเซมิคอนดักเตอร์มากน้อยและง่ายต่อการผลิตเพื่อให้พวกเขามีศักยภาพที่จะมีราคาถูกกว่าเซลล์หนา รุ่นแรกของ PVs ฟิล์มบางเพียงประมาณครึ่งหนึ่งเป็นที่มีประสิทธิภาพเป็นเซลล์ซิลิกอนหนาธรรมดา; พวกเขามีความน่าเชื่อถือน้อยลงเมื่อเวลาผ่านไปพวกเขาก็ยังไม่พบว่าราคาถูกกว่าต่อวัตต์เพื่อให้พวกเขาจริงๆไม่ได้อยู่ในการแข่งขัน ทั้งสามของคุณลักษณะเชิงลบเหล่านี้ได้รับการแก้ไขมากหรือน้อยที่ประสบความสำเร็จและ PVs ฟิล์มบางเป็นจุดเริ่มต้นที่จะกลายเป็นแข่งขันมากขึ้น ในอนาคตอันใกล้ที่พวกเขาอาจจะครองยอดขาย PV cur- rently แต่ประมาณ 80% ของระบบไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์ทั้งหมดเป็นเซลล์ที่หนาและส่วนที่เหลืออีก 20% เป็นเซลล์แบบฟิล์มบางที่ใช้ส่วนใหญ่ในเครื่องคิดเลข, นาฬิกา, และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ ที่
ใช้เทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ยังสามารถแบ่งตามขอบเขตที่อะตอมพันธบัตร กันในแต่ละผลึก ตามที่อธิบาย Bube (1998) มี "ต้นไม้ครอบครัว" ของเพจวิวขึ้นอยู่กับขนาดของผลึกเหล่านี้ ทั่วไปในอดีตที่ชื่อ "คริสตัลไลน์" สามารถแบ่งออกเป็นข้อกำหนดเฉพาะเจาะจงมากขึ้นต่อไปนี้ (1) ผลึกเดี่ยวเทคโนโลยีซิลิกอนที่โดดเด่น; (2) มัลติซึ่งเซลล์ถูกสร้างขึ้นจากจำนวนของพื้นที่ที่ค่อนข้างใหญ่ของธัญพืชผลึกเดี่ยวแต่ละคำสั่งของ 1 มิลลิเมตร 10 ซ.ม. รวมทั้ง talline ซิลิคอน multicrys- (mc-Si); (3) คริสตัลไลน์ที่มีเมล็ดจำนวนมากมีขนาดโดยคำสั่งของ 1 ไมโครเมตรถึง 1 มม, เช่นในกรณีของแคดเมียมลลูไรด์ (CdTe) เซลล์ทองแดงอินเดียม diselenide (CuInSe2) และคริสตัลไลน์ฟิล์มบางซิลิคอน; (4) เซลล์ microcrystalline ด้วยเม็ดขนาดน้อยกว่า 1 ไมโครเมตร; และ (5) อสัณฐานในที่ไม่มีภูมิภาคผลึกเดี่ยวเช่นเดียวกับในซิลิกอนอสัณฐาน (-Si)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้นไกล , การสนทนาของ Honda ค่อนข้างทั่วไป นั่นคือ มันไม่ได้โดยเฉพาะอย่างยิ่งขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีที่ใช้ผลิตเซลล์ แนวคิดวงจรการพัฒนาจะถูกใช้ในบทต่อไป เมื่อเราสำรวจออกแบบระบบ PV ,แต่ก่อนที่เราจะไปถึงมันจะเป็นประโยชน์เพื่อสำรวจชนิดของเทคโนโลยีที่ใช้ในการผลิตเซลล์สุริยะ .
มีหลายวิธีในการจัดหมวดหมู่ Honda . หนึ่งขั้วจะขึ้นอยู่กับความหนาของสารกึ่งตัวนำ เซลล์แสงอาทิตย์แบบผลึกซิลิคอนจะค่อนข้างพูดหนามากในการสั่งซื้อ 200 – 500 μ M ( / ( 0.020 ค่ะ )วิธีการสร้างเซลล์แสงอาทิตย์โดยใช้ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำที่ " บาง " หมายถึงอะไร เช่น 1 – 10 เมตรμฟิล์มบางเซลล์ต้องการมากน้อยสารกึ่งตัวนำวัสดุและง่ายต่อการผลิต จึงมีศักยภาพที่จะถูกกว่าเซลล์หนา รุ่นแรกของฟิล์ม PVS เป็นเพียงประมาณครึ่งหนึ่งเป็นอย่างมีประสิทธิภาพเป็นปกติหนาซิลิคอนเซลล์พวกเขามีความน่าเชื่อถือน้อยตลอดเวลา พวกเขาก็ยังไม่มีที่ถูกกว่าต่อวัตต์ ดังนั้นพวกเขาไม่ได้แข่งขัน ทั้งสามลักษณะเชิงลบเหล่านี้ได้รับการกล่าวถึงมากขึ้นหรือน้อยลงได้ และ ฟิล์ม PVS เริ่มกลายเป็นที่แข่งขันได้มากขึ้น ใน อนาคตอันใกล้อาจจะครองเซลล์ขาย สุนัข - rently อย่างไรก็ตามประมาณ 80% ของทั้งหมดเซลล์สุริยะเป็นเซลล์หนา และอีก 20 % เป็นฟิล์มบางเซลล์ส่วนใหญ่ใช้ในเครื่องคิดเลข นาฬิกา และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ .
เทคโนโลยีเซลล์แสงอาทิตย์ยังสามารถแบ่งตามขอบเขตที่อะตอมพันธบัตรกับแต่ละอื่น ๆในผลึกแต่ละ ตามที่อธิบายไว้โดยบูเบ ( 1998 ) , มี " ครอบครัว " ของ PVS ขึ้นอยู่กับขนาดของผลึกเหล่านี้ชื่อ " ทั่วไปประวัติศาสตร์เป็นของ " สามารถแบ่งย่อยเป็นเงื่อนไขที่เฉพาะเจาะจงมากขึ้นต่อไปนี้ : ( 1 ) ผลึกเดี่ยว เทคโนโลยีซิลิคอนเด่น ( 2 ) multicrystalline ซึ่งในเซลล์ที่ถูกสร้างขึ้นจากจำนวนของพื้นที่ที่ค่อนข้างใหญ่ของเกรนผลึกเดี่ยวแต่ละลำดับที่ 1 มม. ถึง 10 เซนติเมตร ขนาด รวมทั้ง multicrys - talline ซิลิคอน ( MC ศรี ) ; ( 3 ) Polycrystalline ,มีหลายเม็ด มีขนาดในการสั่งซื้อ 1 μ M 1 มิลลิเมตร เป็นกรณีแคดเมียมเทลลูไรด์ ( cdte ) เซลล์ , ทองแดงอินเดียม diselenide ( cuinse2 และฟิล์มบางซิลิคอน polycrystalline ) , ( 4 ) แบบเซลล์ที่มีขนาดน้อยกว่า 1 μ M เมล็ดข้าว และ ( 5 ) ไปในที่นั้น ไม่มีภูมิภาค single-crystal เช่นซิลิคอนอสัณฐาน ( ไม่แน่นอน )