Zinc oxide films doped by gallium w

Zinc oxide films doped by gallium were deposited
using RF diode sputtering from a ceramic ZnO 2% Ga2O3 target on
Corning glass in argon atmosphere.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังกะสีออกไซด์ฟิล์ม doped โดยแกลเลียมได้ฝาก ใช้ไดโอด RF ที่พ่นจากเซรามิก ZnO 2% Ga2O3 เป้าหมายใน Corning แก้วบรรยากาศอาร์กอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สังกะสีออกไซด์เจือภาพยนตร์โดยแกลเลียมมีเงินใช้ไดโอด RF สปัตเตอร์จากเซรามิกซิงค์ออกไซด์ 2% เป้าหมาย Ga2O3 บนกระจกCorning ในชั้นบรรยากาศอาร์กอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มซิงค์ออกไซด์เจือด้วยแกลเลียมฝากเงิน
ใช้ RF ไดโอดทำงานจากซิงค์ออกไซด์เซรามิก 2 % ga2o3 เป้าหมาย
Corning แก้ว

บรรยากาศอาร์กอน