hototransistors that are made of si

hototransistors that are made of silicon are notcapable of handling voltages over 1,000 Volts

Phototransistors also do not allow electrons to move asfreely as other devices do, such as electron tubes

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

hototransistors ที่ทำจากซิลิคอนมี notcapable จัดการแรงดันกว่า 1000 โวลต์

Phototransistors ยังให้อิเล็กตรอนย้าย asfreely กับอุปกรณ์อื่น ๆ เช่นหลอดอิเล็กตรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

hototransistors ที่ทำจากซิลิกอนเป็น notcapable ของการจัดการแรงดันไฟฟ้ากว่า 1,000 โวลต์Phototransistors ยังไม่อนุญาตให้อิเล็กตรอนที่จะย้าย asfreely เป็นอุปกรณ์อื่นเช่นหลอดอิเล็กตรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

hototransistors ที่ทำจากซิลิคอนจะ notcapable จัดการแรงดันไฟฟ้าเกิน 1 , 000 โวลต์

phototransistors ยังไม่อนุญาตให้อิเล็กตรอนที่จะย้าย asfreely เป็นอุปกรณ์อื่น ๆทำ เช่นหลอดอิเล็กตรอน