SnO2 nanowires were prepared on bar

SnO2 nanowires were prepared on bare oxidized silicon, Au and SnO2-coated substrates by thermal evaporation of tin grains in argon atmosphere at 900 °C. X-ray diffraction (XRD) and field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) were used to characterize the SnO2 nanowires. FE-SEM images indicated that the size of SnO2 nanowires depend on the type of substrate. Gas sensor was fabricated by dispersing SnO2 nanowires on an interdigitated Pt-electrode. H2 gas sensing properties of these sensors made of nanowires prepared on three different substrates were measured at various operating temperatures and concentrations respectively. SnO2 nanowires deposited on Au-coated substrates showed the highest sensitivity of 11.5 at 100 °C upon exposure to H2 gas of 1000 ppm.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

SnO2 nanowires ได้เตรียมตกแต่งซิลิคอนเปลือย Au และ SnO2 เคลือบพื้นผิว โดยการระเหยความร้อนของธัญพืชดีบุกในบรรยากาศอาร์กอนที่ 900 องศาเซลเซียส เอ็กซ์เรย์การเลี้ยวเบน (XRD) และปล่อยก๊าซฟิลด์แกนอิเล็กตรอน microscopy (FE SEM) ถูกใช้เพื่อลักษณะของ SnO2 nanowires รูป FE SEM ระบุว่า ขนาดของ SnO2 nanowires ขึ้นอยู่กับชนิดของพื้นผิว ก๊าซเซ็นเซอร์ถูกหลังสร้าง โดยสลาย SnO2 nanowires ในการ interdigitated Pt-อิเล็กโทรด H2 แก๊สตรวจคุณสมบัติของเซนเซอร์เหล่านี้ของ nanowires ที่เตรียมไว้บนพื้นผิวที่แตกต่างกันสามที่วัดต่าง ๆ ทำงานอุณหภูมิและความเข้มข้นตามลำดับ ฝากบนพื้นผิวที่เคลือบ Au nanowires SnO2 พบความไวสูงสุดของ 11.5 ที่ 100 ° C เมื่อสัมผัสกับก๊าซ H2 ของ 1000 ppm

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SnO2 nanowires ถูกจัดทำขึ้นในซิลิกอนออกซิไดซ์เปลือย Au และพื้นผิวเคลือบ SnO2 โดยการระเหยความร้อนของธัญพืชดีบุกในชั้นบรรยากาศอาร์กอนที่ 900 องศาเซลเซียส X-ray diffraction (XRD) และเขตการปล่อยสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (FE-SEM) ถูกนำมาใช้ลักษณะ SnO2 nanowires ภาพ FE-SEM ชี้ให้เห็นว่าขนาดของ nanowires SnO2 ขึ้นอยู่กับชนิดของสารตั้งต้น แก๊สเซ็นเซอร์ได้รับการประดิษฐ์โดยกระจาย nanowires SnO2 ใน interdigitated Pt อิเล็กโทรด คุณสมบัติตรวจจับก๊าซ H2 ของเซ็นเซอร์เหล่านี้ทำจาก nanowires จัดทำขึ้นในพื้นผิวที่แตกต่างกันสามวัดที่อุณหภูมิปฏิบัติการต่างๆและความเข้มข้นตามลำดับ SnO2 nanowires วางลงบนพื้นผิวเคลือบ Au แสดงให้เห็นความไวแสงสูงสุด 11.5 ที่ 100 ° C เมื่อสัมผัสกับก๊าซ H2 1000 ppm

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นาโน SnO2 เตรียมคลอดจากซิลิคอน , AU และ SnO2 เคลือบพื้นผิวโดยการระเหยความร้อนดีบุกธัญพืชในบรรยากาศอาร์กอนที่อุณหภูมิ 900 องศา การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์และสนามจากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( fe-sem ) ใช้สำหรับวิเคราะห์นาโน SnO2 . fe-sem ภาพ พบว่า ขนาดของลวดนาโน SnO2 ขึ้นอยู่กับชนิดของพื้นผิวเซ็นเซอร์ก๊าซถูกประดิษฐ์โดยกระจายการไหลของแก๊สไฟฟ้านาโน SnO2 PT . คุณสมบัติของเซ็นเซอร์ตรวจวัดก๊าซ H2 เหล่านี้ทำจากนาโนที่เตรียมบนพื้นผิวที่แตกต่างกันสามชนิดต่าง ๆ อุณหภูมิ และความเข้มข้น ตามลำดับ ฝากบนพื้นผิวเคลือบนาโน SnO2 หรือมีความไวสูงสุด 115 ที่ 100 องศา C เมื่อสัมผัสกับก๊าซ H2 1000 ppm