II. FEASIBILITY OF ON-LINE POWER MO

II. FEASIBILITY OF ON-LINE POWER MODULE
TEMPERATURE EXTRACTION
A. TSEP approaches for on-line power module
temperature measurement
Most physical parameters of silicon semiconductor
devices are a function of temperature. The intrinsic carrier
concentration and carrier lifetime increase with Si
temperature, but the mobility of electrons and holes decrease
with the temperature [9]. Because the relationships between
semiconductor physical parameters and temperature are
fixed, the inner chip temperature can be extracted from the
electrical characteristics without intruding into the package.
This means the thermal sensors or infrared instruments are
not required for simple non-invasive on-line chip
temperature extraction.
Although having a large number of passive P-i-N power
diodes without the need for a gate driver, TSEPs like
threshold voltage Vth and turn-on/off delay time Tdon/Tdoff are
usual for IGBT modules. In the case of high power P-i-N
diodes, the leakage current Ilk, which is relatively low and is
related to the chip temperature and the voltage across the
power module. Any milliampere level current sensor inserted
in series with the power module would suffer the large
operation current when the power module is in the
conducting on-state. The forward drop voltage under low
injection current Vsat is a common TSEP, which can be
adopted to predict the chip temperature and monitor wire
bonding lift-off [10]. However, precise current-injection
equipment is required to make sure that the current is low
enough to avoid self-heating effects. Moreover, the
measurement equipment requirements will be high for
utilizing the TSEPs of Ilk and Vsat.
During the turn-off transition of the high power P-i-N
diode, the maximum reverse recovery current rate di/dt and
the maximum voltage rate dv/dt can be taken into account as
TESPs [11]. Therefore, the temperature estimation of power
diodes can be carried out by monitoring the maximum dv/dt
during the turn-off transition, which is sensed by a shunt
connected capacitor. Similarly, temperature estimation of
power devices can also be achieved by measuring the
maximum di/dt using a series connected inductor. The
forward voltage drop under high current injection VF, or di/dt
and dv/dt dynamic parameters can be employed to indirectly
measure P-i- N diode chip temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

II. ความเป็นไปได้ของโมดูลพลังงานง่ายดายสกัดที่อุณหภูมิอ. TSEP ยื่นสำหรับโมดูพลังงานที่ง่ายดายวัดอุณหภูมิพารามิเตอร์ทางกายภาพมากที่สุดของสารกึ่งตัวนำซิลิคอนอุปกรณ์เป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิ บริษัทขนส่ง intrinsicความเข้มข้นการขนเพิ่มอายุการใช้งานกับซีอุณหภูมิ แต่การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนและหลุมลดกับอุณหภูมิ [9] เนื่องจากความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์ทางกายภาพของสารกึ่งตัวนำและอุณหภูมิถาวร อุณหภูมิภายในชิปสามารถถูกแยกจากลักษณะไฟฟ้า โดย intruding เป็นแพคเกจนี้หมายถึง เซนเซอร์ความร้อนหรืออินฟราเรดเครื่องไม่จำเป็นสำหรับชิปง่ายดายอย่างไม่ทำลายธรรมชาติอุณหภูมิแยกแม้ว่าจะมีพลังงาน P-i-N แฝงจำนวนมากไดโอดได้โดยไม่ต้องควบคุมประตู TSEPs เช่นขีดจำกัดแรงดัน Vth และ turn-on/ปิด หน่วงเวลา Tdon/Tdoffปกติสำหรับโมดู IGBT ในกรณีที่พลังงานสูง P-i-Nไดโอดได้ รั่วบริการปัจจุบัน ซึ่งค่อนข้างต่ำ และมีที่เกี่ยวข้องกับชิอุณหภูมิและแรงดันในการโมดูลของพลังงาน มี milliampere ระดับปัจจุบันเซ็นเซอร์แทรกในชุดมีไฟ โมจะทรมานขนาดใหญ่ปัจจุบันการดำเนินงานเมื่อโมอำนาจในการดำเนินการในสถานะ แรงดันหล่นไปข้างหน้าภายใต้ต่ำฉีด Vsat ปัจจุบันเป็นราคา TSEP ทั่วไป ซึ่งสามารถนำมาใช้เพื่อทำนายชิอุณหภูมิและตรวจสอบสายงาน lift-off [10] อย่างไรก็ตาม ปัจจุบันฉีดที่แม่นยำอุปกรณ์เป็นสิ่งจำเป็นเพื่อให้แน่ใจว่า ปัจจุบันอยู่ในระดับต่ำเพียงพอเพื่อหลีกเลี่ยงความร้อนลักษณะพิเศษของตนเอง นอกจากนี้ การความต้องการอุปกรณ์วัดจะสูงสำหรับใช้ TSEPs บริการและ Vsatระหว่างเปลี่ยนหันออกของพลังงานสูง P-i-Nไดโอด กู้ย้อนหลังสูงสุดปัจจุบันอัตราค่า di/dt และสามารถนำมาพิจารณาเป็นแรงดันสูงสุดอัตรา dv/dtTESPs [11] ดังนั้น ประเมินอุณหภูมิของพลังงานไดโอดได้สามารถดำเนินการตรวจสอบ dv/dt สูงสุดระหว่างเปลี่ยนหันออก ซึ่งเป็นเหตุการณ์ โดยทางเชื่อมโพรงตัวเก็บประจุเชื่อมต่อ ในทำนองเดียวกัน การประเมินอุณหภูมิของอุปกรณ์ไฟฟ้าทำ โดยการวัดการสูงสุด di/dt ใช้ชุดเชื่อมต่อมือ ที่ปล่อยแรงดันไปข้างหน้าสูงปัจจุบันฉีด VF หรือ di/dtและ dv/dt พารามิเตอร์แบบไดนามิกสามารถทำงานกับอ้อมวัดอุณหภูมิชิไดโอด P-i-N

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ครั้งที่สอง ความเป็นไปได้ของการ ON-LINE โมดูลเพาเวอร์อุณหภูมิสกัดเอ TSEP แนวทางในการเกี่ยวกับสายโมดูลพลังงานการวัดอุณหภูมิพารามิเตอร์ทางกายภาพส่วนใหญ่ของซิลิกอนเซมิคอนดักเตอร์อุปกรณ์ที่มีฟังก์ชันของอุณหภูมิ ผู้ให้บริการที่แท้จริงความเข้มข้นและอายุการใช้งานของผู้ให้บริการที่เพิ่มขึ้นกับศรีอุณหภูมิแต่การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและหลุมลดอุณหภูมิ [9] เพราะความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์ทางกายภาพเซมิคอนดักเตอร์และอุณหภูมิจะคงที่อุณหภูมิชิปภายในสามารถสกัดได้จากลักษณะไฟฟ้าโดยไม่บุกรุกเข้าไปในแพคเกจ. ซึ่งหมายความว่าเซ็นเซอร์ความร้อนหรือตราสารอินฟราเรดจะไม่จำเป็นต้องใช้สำหรับการที่ง่ายไม่รุกรานในบรรทัดชิปอุณหภูมิสกัด. แม้ว่าจะมีจำนวนมากของการใช้พลังงาน PIN เรื่อย ๆไดโอดโดยไม่ต้องใช้คนขับประตูที่ TSEPs เช่นVth แรงดันเกณฑ์และเปิด / ปิดการหน่วงเวลา Tdon / Tdoff เป็นปกติสำหรับโมดูลIGBT ในกรณีที่มีพลังงานสูง PIN ไดโอดในปัจจุบันการรั่วไหลของตระกูลซึ่งเป็นที่ค่อนข้างต่ำและมีความเกี่ยวข้องกับอุณหภูมิชิปและแรงดันไฟฟ้าที่โมดูลพลังงาน ระดับใด milliampere เซ็นเซอร์ปัจจุบันแทรกในชุดที่มีโมดูลพลังงานจะต้องทนทุกข์ทรมานขนาดใหญ่ในปัจจุบันการดำเนินงานเมื่อโมดูลพลังงานที่อยู่ในการดำเนินการเกี่ยวกับรัฐ ไปข้างหน้าภายใต้แรงดันต่ำฉีดปัจจุบัน VSAT เป็น TSEP ร่วมกันซึ่งสามารถนำมาใช้ในการทำนายอุณหภูมิชิปและตรวจสอบลวดเชื่อมยกออก[10] แต่ปัจจุบันการฉีดแม่นยำอุปกรณ์ที่จำเป็นเพื่อให้แน่ใจว่าในปัจจุบันอยู่ในระดับต่ำพอที่จะหลีกเลี่ยงผลกระทบตนเองร้อน นอกจากนี้ยังมีความต้องการอุปกรณ์วัดจะสูงสำหรับใช้TSEPs ของตระกูลและ VSAT. ในช่วงการเปลี่ยนแปลงการเปิดปิดของพลังงานที่สูง PIN ไดโอดการฟื้นตัวสูงสุดกลับอัตราปัจจุบัน di / dt และอัตราแรงดันไฟฟ้าสูงสุดDV / dt สามารถ นำเข้าบัญชีเป็นTESPs [11] ดังนั้นการประมาณค่าอุณหภูมิของการใช้พลังงานไดโอดสามารถดำเนินการได้โดยการตรวจสอบสูงสุด DV / dt ในช่วงการเปลี่ยนแปลงการเปิดปิดซึ่งจะรู้สึกโดยปัดตัวเก็บประจุที่เชื่อมต่อ ในทำนองเดียวกันการประมาณค่าอุณหภูมิของอุปกรณ์พลังงานนอกจากนี้ยังสามารถทำได้โดยการวัดสูงสุดdi / dt เหนี่ยวนำโดยใช้การเชื่อมต่อแบบ ลดลงไปข้างหน้าภายใต้แรงดันสูงฉีดปัจจุบัน VF หรือ di / dt และ DV / dt พารามิเตอร์แบบไดนามิกที่สามารถทำงานเพื่ออ้อมวัดอุณหภูมิชิปไดโอดPi- ไม่มี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . ความเป็นไปได้ของออนไลน์พลังงานโมดูล

a tsep อุณหภูมิการสกัดแนวทางออนไลน์พลังงานโมดูล

ทางกายภาพส่วนใหญ่พารามิเตอร์ในการวัดอุณหภูมิของอุปกรณ์ซิลิกอน
เป็นฟังก์ชันของอุณหภูมิ ที่แท้จริงของผู้ให้บริการและผู้ให้บริการ
ชีวิตเพิ่มอุณหภูมิศรี
แต่การเคลื่อนไหวของอิเล็กตรอนและหลุมลด
กับอุณหภูมิ [ 9 ]เพราะความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์ทางกายภาพและอุณหภูมิสารกึ่งตัวนำ

คง อุณหภูมิภายในชิปสามารถสกัดได้จาก
ลักษณะไฟฟ้าโดยไม่ต้องเข้ามาในแพคเกจ .
ซึ่งหมายความว่าเซ็นเซอร์ความร้อน หรือเครื่องมืออินฟราเรดเป็น
ไม่จำเป็นสำหรับง่ายไม่ออนไลน์ชิ

แม้ว่าอุณหภูมิในการสกัด มีตัวเลขขนาดใหญ่ของเรื่อยๆ p-i-n พลังงาน
ไดโอดโดยไม่ต้องประตูคนขับ tseps ชอบ
เกณฑ์แรงดัน vth เปิด / ปิดและเวลา tdon / tdoff
ปกติ IGBT เป็นโมดูล ในกรณีของไดโอดพลัง p-i-n
สูงการรั่วไหลในปัจจุบันก่อน ซึ่งค่อนข้างต่ำ และมี
ที่เกี่ยวข้องกับชิปอุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้าข้าม
พลังงานโมดูล หนึ่งในพันส่วนของหนึ่งแอมแปร์เซ็นเซอร์กระแสแทรก
ระดับใด ๆในชุดมีอำนาจของโมดูลจะประสบการดำเนินงานขนาดใหญ่
ปัจจุบันเมื่อพลังงานโมดูลใน
ดำเนินรัฐ ส่งต่อแรงดันต่ำฉีดใต้
ปัจจุบัน VSAT เป็น tsep ทั่วไป ซึ่งสามารถนำมาใช้เพื่อทำนายอุณหภูมิของชิป

ยกออกและตรวจสอบลวดเชื่อม [ 10 ] อย่างไรก็ตาม ปัจจุบันการฉีดแม่นยำ
อุปกรณ์จะต้องตรวจสอบให้แน่ใจว่าปัจจุบันต่ำ
เพียงพอที่จะหลีกเลี่ยงผลความร้อนด้วยตนเอง นอกจากนี้ อุปกรณ์วัดความต้องการจะสูง

ใช้สำหรับ tseps ของตระกูล และ VSAT .
ในระหว่างปิดการเปลี่ยนแปลงของไดโอดพลัง p-i-n
สูง ปัจจุบันอัตราการกู้คืนสูงสุดกลับดิ / DT
แรงดันสูงสุดและอัตรา DV / DT สามารถเข้าบัญชีเป็น
tesps [ 11 ] ดังนั้น การประมาณค่าอุณหภูมิของพลังงาน
ไดโอด สามารถดำเนินการได้โดยการตรวจสอบสูงสุด DV / DT
ในระหว่างปิดช่วงที่รู้สึกโดยการสับเปลี่ยน
การเชื่อมต่อตัวเก็บประจุ ในทำนองเดียวกัน การประมาณค่าอุณหภูมิของอุปกรณ์ยังสามารถบรรลุพลัง

สูงสุดโดยวัดดี / DT ใช้ตัวเหนี่ยวนำชุดเชื่อมต่อ เลื่อนไปข้างหน้าภายใต้แรงดัน
VF ฉีดกระแสสูง หรือตี้ / DT
และ DV / DT พารามิเตอร์แบบไดนามิกสามารถจ้างงานทางอ้อม
วัด p-i - ไดโอดชิพอุณหภูมิ