AbstractWe investigate a new textur

Abstract
We investigate a new texturization technique for crystalline silicon solar cells with sodium
carbonate (Na
2
CO
3
) solutions. We show the dependence of the hemispherical surface re#ectance
on solution temperature, the etching time and the Na
2
CO
3
concentration. Furthermore,
we investigate what element in Na
2
CO
3
solution in#uences the texturing for reducing the
texturing time. As a result of experiments, we "nd it possible to get low re#ectance in a shorter
texturing time by the addition of NaHCO
3
. The size of texture becomes smaller by the addition
of NaHCO
3
but the etching rate does not change. We conclude carbonic ion and/or its
compound seems to play an important role as the initiator of pyramidal structure. This
texturing method is cost e!ective because there is no need of expensive IPA, and the surface
re#ectance is reduced su$ciently in a short time. This method is promising for a large-scale
production of crystalline silicon solar cells. ( 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อเราตรวจสอบเทคนิค texturization ใหม่สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนแบบผลึกโซเดียมคาร์บอเนต (Na2บริษัท3) โซลูชั่น เราแสดงการอาศัยพื้นผิวครึ่ง re #ectanceแก้ปัญหาอุณหภูมิ เวลากัด และนา2บริษัท3ความเข้มข้น นอกจากนี้เราตรวจสอบองค์ประกอบใดในนา2บริษัท3โซลูชันใน #uences พื้นผิวเพื่อลดการพื้นผิวเวลา จากการทดลอง เรา " nd ได้รับต่ำกำลัง #ectance ในแบบสั้นเวลาที่พื้นผิวด้านนอกของ NaHCO3. ขนาดของเนื้อจะมีขนาดเล็กด้านนอกของ NaHCO3แต่ไม่มีการเปลี่ยนแปลงอัตราการกัด เราสรุป carbonic ไอออน/ผสมน่าจะ มีบทบาทสำคัญเป็นอุปกรณ pyramidal โครงสร้าง นี้พื้นผิววิธีต้นทุน e ! ective เนื่องจากไม่จำเป็น IPA ราคาแพง และพื้นผิวรี #ectance เป็น ciently $ su ลดลงในช่วงเวลาสั้น ๆ วิธีนี้แจ่มสำหรับตัวใหญ่การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนแบบผลึก (วิทยาศาสตร์ 2000 Elsevier b.v สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อเราจะตรวจสอบเทคนิค texturization ใหม่สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ผลึกซิลิกอนที่มีโซเดียมคาร์บอเนต(Na 2 CO 3) โซลูชั่น เราแสดงให้เห็นการพึ่งพาอาศัยกันของพื้นผิวครึ่งวงกลมอีกครั้ง ectance # ที่อยู่กับอุณหภูมิการแก้ปัญหาเวลาแกะสลักและนา2 CO 3 ความเข้มข้น นอกจากนี้เราจะตรวจสอบสิ่งที่องค์ประกอบในนา2 CO 3 วิธีการแก้ปัญหาใน # uences พื้นผิวสำหรับการลดเวลาที่พื้นผิว อันเป็นผลมาจากการทดลองที่เรา "ครั้งที่มันเป็นไปได้ที่จะได้รับต่ำ ectance ใหม่ # ในที่สั้นกว่าเวลาที่พื้นผิวโดยนอกเหนือจากNaHCO 3. ขนาดของเนื้อจะมีขนาดเล็กโดยการเพิ่มของNaHCO 3 แต่อัตราการกัดไม่เปลี่ยนแปลง. เรา สรุปไอออนคาร์บอและ / หรือของสารประกอบที่ดูเหมือนว่าจะมีบทบาทสำคัญในฐานะผู้ริเริ่มของโครงสร้างเสี้ยม. นี้วิธีพื้นผิวเป็นจค่าใช้จ่าย! ective เพราะมีความจำเป็นต้องมีราคาแพง IPA ไม่และพื้นผิวใหม่ectance # จะลดลง su $ อย่างมีประสิทธิภาพใน ระยะเวลาอันสั้น. วิธีการนี้มีแนวโน้มสำหรับขนาดใหญ่การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ผลึกซิลิกอน. (2000 เอลส์วิทยาศาสตร์ BV สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม
เราศึกษาเทคนิค texturization ใหม่สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์แบบผลึกซิลิคอนที่มีโซเดียม คาร์บอเนต ( na

2
Co
3
) โซลูชั่น เราแสดงการพึ่งพาอาศัยกันของครึ่งวงกลมผิวอีกครั้ง# ectance
ต่ออุณหภูมิของสารละลาย , การเวลาและ na
2
3

มีความเข้มข้น นอกจากนี้ เรายังศึกษาองค์ประกอบอะไรนา

2
3

ร่วมแก้ปัญหาใน# uences ที่พื้นผิวลด
texturing ครั้งผลของการทดลอง เรา " และมันเป็นไปได้ที่จะได้รับ ectance # re ต่ำในเวลาสั้น
พื้นผิวโดยการเติมโซเดียม
3
ขนาดของพื้นผิวจะกลายเป็นเล็กลง โดยการเพิ่มของโซเดียม
3

แต่อัตราการไม่เปลี่ยนแปลง เราสรุปว่าไอออนคาร์บอนิก และ / หรือ บริษัท
ผสมน่าจะมีบทบาทเป็นผู้นำของโครงสร้างเสี้ยม . นี้เป็นวิธีที่ค่าใช้จ่าย e
พื้นผิว !ective เพราะไม่มีความจำเป็นของ IPA ที่แพง และพื้นผิว
Re # ectance ลดลงซู $ ciently ในระยะเวลาอันสั้น วิธีนี้คือสัญญาสำหรับการผลิตขนาดใหญ่
ผลึกซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ ( 2000 Elsevier Science นอกจากนี้สงวนสิทธิทั้งหมด