no potential-induced degradation oc

no potential-induced degradation occurred in an n-type front junction silicon photovoltaic module based on an IO encapsulant instead of EVA even after a long-term potential-induced degradation test

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไม่ย่อยสลายให้เกิดศักยภาพที่เกิดขึ้นในการแยกแผนก n ชนิดซิลิคอนอาทิตย์อิง encapsulant การ IO แทน EVA แม้หลังจากการทดสอบการย่อยสลายเกิดศักยภาพระยะยาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไม่มีการย่อยสลายที่มีศักยภาพที่เกิดขึ้นที่เกิดขึ้นใน N-ชนิดแยกด้านหน้าโมดูลซิลิคอนไฟฟ้าโซลาร์เซลล์บนพื้นฐานของความ encapsulant IO แทน EVA แม้หลังจากการทดสอบการย่อยสลายที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นในระยะยาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไม่อาจเกิดการสลายตัวที่เกิดขึ้นในซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ทั่วไปหน้าแยกโมดูลขึ้นอยู่กับ IO encapsulant แทนของ EVA แม้หลังจากการทดสอบศักยภาพในการย่อยสลายยาว