It is shown in Section IV that incr

It is shown in Section IV that increased RDS(ON) results
in higher duty ratio d and, consequently, higher power loss in
the MOSFET in closed-loop operation of the converter. Similar
results have been observed in test case 3 as the duty ratio
increased from 23.4% (test case 1) to 24.7% to maintain the
output voltage fixed to 19.02 V. An increased duty ratio has
resulted in higher power loss across the MOSFET (case temperature
increased from 44.6 ◦C to 45.3 ◦C). Moreover, there is
no change in the failure rate of the output capacitor since the
voltage stress and the ambient temperature were same in both
test cases 1 and 3. Therefore, it can be concluded that increased
RDS(ON) of the MOSFET in a closed-loop boost converter will
not increase the reliability of the entire power converter.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใน IV ส่วนที่เพิ่มผล RDS(ON)ใน d อัตราภาษีสูง และ จึง สูงพลังงานสูญเสียในมอสเฟตในวงปิดการทำงานของตัวแปลง คล้ายคลึงกันผลลัพธ์ได้ถูกตรวจสอบในกรณีทดสอบ 3 เป็นอัตราภาษีเพิ่มขึ้นจาก 23.4% (กรณีทดสอบ 1) 24.7% เพื่อรักษาตัวอัตราแรงดันออกที่ถาวรเพื่อ 19.02 V มีอัตราส่วนการเพิ่มภาษีส่งผลให้สูญเสียพลังงานสูงข้ามมอสเฟต (กรณีอุณหภูมิเพิ่มขึ้นจาก 44.6 ◦C 45.3 ◦C) นอกจากนี้ มีเปลี่ยนแปลงอัตราความล้มเหลวของตัวเก็บประจุออกตั้งแต่การความเครียดแรงดันและอุณหภูมิมีเหมือนกันในทั้งสองกรณีทดสอบ 1 และ 3 ดังนั้น จึงสามารถสรุปได้ที่เพิ่มขึ้นจะ RDS(ON) ของมอสเฟตในแปลงปิดเพิ่มไม่เพิ่มความน่าเชื่อถือของตัวแปลงพลังงานทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันแสดงให้เห็นในส่วนที่เพิ่มขึ้น IV RDS (ON)
ผลในอัตราส่วนที่สูงขึ้นd
หน้าที่และดังนั้นการสูญเสียพลังงานที่สูงขึ้นในมอสเฟตในการดำเนินงานวงปิดของแปลง ที่คล้ายกันผลที่ได้รับการปฏิบัติในการทดสอบกรณีที่ 3 เป็นอัตราส่วนหน้าที่เพิ่มขึ้นจาก23.4% (กรณีทดสอบ 1) 24.7% เพื่อรักษาแรงดันเอาท์พุทจับจ้องไปที่19.02 V. อัตราส่วนหน้าที่ที่เพิ่มขึ้นได้ส่งผลให้เกิดการสูญเสียพลังงานที่สูงขึ้นทั่วมอสเฟต(กรณีที่ อุณหภูมิเพิ่มขึ้นจาก44.6 ◦C 45.3 ◦C) นอกจากนี้ยังมีการเปลี่ยนแปลงในอัตราความล้มเหลวของตัวเก็บประจุที่ส่งออกไม่ได้เนื่องจากความเครียดแรงดันและอุณหภูมิได้เหมือนกันทั้งในกรณีทดสอบ1 และ 3 ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่าเพิ่มขึ้นRDS (ON) ของมอสเฟตในปิด แปลงเพิ่ม -loop จะไม่เพิ่มความน่าเชื่อถือของตัวแปลงพลังงานทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันจะปรากฏในมาตรา 4 ที่เพิ่ม RDS ( บน ) ในอัตราส่วนที่สูง หน้าที่ ผล
D และจึงสูงกว่าการสูญเสียพลังงานในการปิด
MOSFET ในแปลง ผลที่คล้ายกัน
ได้พบในการทดสอบกรณี 3 อัตราส่วนภาษีเพิ่มขึ้นจาก 23.4 %
( กรณีทดสอบ 1 ) 24.7 % เพื่อรักษาแรงดันคงที่ 19.02
V
อัตราส่วนได้เพิ่มขึ้น หน้าที่ส่งผลให้สูงกว่าการสูญเสียพลังงานผ่าน MOSFET (
อุณหภูมิคดีเพิ่มขึ้นจาก 44.6 ◦ C ถึง 45.3 ◦ C ) นอกจากนี้ยังมี
ไม่มีการเปลี่ยนแปลงในอัตราความล้มเหลวของผลผลิตตัวเก็บประจุแรงดันไฟฟ้าตั้งแต่
ความเครียดและอุณหภูมิได้เหมือนกันในทั้งสองกรณีทดสอบ 1
3 ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่าการเพิ่ม
RDS ( on ) ของมอสเฟตในปิดแปลง
เพิ่มไม่เพิ่มความน่าเชื่อถือของแปลงพลังงานทั้งหมด