Fig. 2.10 Bi-directional switch cel

Fig. 2.10 Bi-directional switch cell configuration: a diode bridge with an IGBT configuration,
b common emitter anti-paralleled IGBT configuration, c common emitter anti-paralleled IGBT
configuration, d anti-paralleled reverse blocking IGBTs (RB-IGBT) configuration

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 2.10 ทิศงานเซลล์: สะพานไดโอดกับโครงแบบ IGBTb ทั่วไปยิงต่อต้าน paralleled IGBT ฟิก c ทั่วไปยิงต่อต้าน paralleled IGBTฟิก d paralleled ต้านกลับบล็อกฟิก IGBTs (RB IGBT)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. การกำหนดค่า 2.10 สองทิศทางสลับมือถือ: สะพานไดโอดกับการกำหนดค่า IGBT,
อีซีแอลร่วมกันต่อต้านการกำหนดค่าขนาน IGBT B, C ทั่วไปอีซีแอลป้องกันขนาน IGBT
การกำหนดค่าป้องกันการขนานกลับปิดกั้น IGBTs (RB-IGBT) ค่า D

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 2.10 บีเซลล์สลับทิศทางการปรับแต่ง : บริดจ์ไดโอดกับ IGBT สัณฐานบีอีซี ต่อต้านโดยทั่วไป IGBT ค่าซีอีซีต่อต้านโดยทั่วไป IGBTการตั้งค่า D ป้องกันได้กลับปิดกั้น igbts ( rb-igbt ) การตั้งค่า