A pentacene (C22H14)-based high-vol

A pentacene (C22H14)-based high-voltage organic thin-film transistor (HVOTFT) was demonstrated on both a rigid and a flexible substrate. The HVOTFT showed minimal degradation of the current-voltage (I-V) characteristics under flexure. Consistent with the previous reports on amorphous silicon (a-Si) TFTs, the offset drain/source structure enabled high-voltage operation, allowing for the HVOTFT to switch very large drain-to-source voltages (VDS > 300 V) with a relatively lower controlling voltage (0 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Pentacene (C22H14) -ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบางอินทรีย์แรงสูงตามก้อน (HVOTFT) ได้แสดงให้เห็นทั้งความแข็งและพื้นผิวมีความยืดหยุ่น HVOTFT การแสดงลดน้อยที่สุดของลักษณะแรงดันกระแส (I V) ภายใต้ flexure สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้าบน TFTs ซิลิคอนสัณฐาน (มีศรี) โครงสร้างตรงข้ามท่อระบายน้ำ/ที่มาเปิดใช้งานแรงดันสูง สำหรับ HVOTFT การสลับแรงดันท่อระบายน้ำแหล่งใหญ่ (VDS > 300 V) มีต่ำค่อนข้างควบคุมแรงดันไฟฟ้า (0 V < VG < 20 V) HVOTFT ถูกประเมิน มีสามประตูต่าง ๆ ฉนวนเพื่อประเมินว่าอเมริกาคงและอินเตอร์เฟซที่เป็นฉนวนมีอิทธิพลต่อประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ เนื่องจากสนามไฟฟ้าสูงที่สร้างขึ้นในอุปกรณ์ HVOTFT ได้รับ จากค่าขัดขวางฉีดเข้าช่องรั้วกึ่ง คล้ายกับที่รายงานในเป็น Si-ใช้แรงดันสูง TFTs และ จาก nonsaturating-V ลักษณะลักษณะคล้ายกับผลกระทบช่องทางสั้นใน FETs ฟิลด์จานได้ดำเนินการปรับปรุงค่าฉีดเข้าช่องรั้วกึ่งตัวนำ ลักษณะการแสดงผลของ HVOTFT ถูกนำมาแก้ไขตัวเลขเพื่อแสดงให้เห็นว่า ที่อุปกรณ์ผม V สามารถถูกจำลองแบบ FET ที่ใช้สีที่มีอยู่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

pentacene (C22H14) -based แรงดันสูงอินทรีย์ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง (HVOTFT) คือการแสดงให้เห็นถึงทั้งแข็งและพื้นผิวที่มีความยืดหยุ่น HVOTFT แสดงให้เห็นว่าการย่อยสลายน้อยที่สุดของแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบัน (iv) ภายใต้ลักษณะโค้งงอ สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้านี้ในซิลิคอนอสัณฐาน (a-Si) TFTs การดำเนินการแรงดันสูงที่เปิดใช้งานโครงสร้างชดเชยท่อระบายน้ำ / แหล่งที่มาเพื่อให้สามารถ HVOTFT เพื่อสลับขนาดใหญ่มากแรงดันท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มา (VDS> 300 V) ที่มีค่อนข้าง แรงดันไฟฟ้าที่ต่ำกว่าการควบคุม (0 V <; VG <20 V) HVOTFT ถูกประเมินกับสามฉนวนประตูที่แตกต่างกันในการประเมินวิธีการอิเล็กทริกคงที่และอินเตอร์เฟซที่รัฐมีผลต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์ เนื่องจากสนามไฟฟ้าสูงสร้างขึ้นในอุปกรณ์ที่ HVOTFT รับความเดือดร้อนจากการฉีดค่าใช้จ่ายหมดเรี่ยวหมดแรงเข้าไปในช่องทางเซมิคอนดักเตอร์รั้วรอบขอบชิดคล้ายกับที่มีการรายงานในที่ศรีตาม TFTs แรงดันสูงเช่นเดียวกับการจาก nonsaturating IV พฤติกรรมลักษณะคล้ายกับ ผลกระทบระยะสั้นช่องที่พบใน FETs แผ่นข้อมูลถูกนำมาใช้ในการปรับปรุงค่าใช้จ่ายในการฉีดเข้าไปในช่องทางเซมิคอนดักเตอร์รั้วรอบขอบชิด ลักษณะการส่งออกของ HVOTFT ได้รับการแก้ไขตัวเลขที่จะแสดงให้เห็นว่า IV อุปกรณ์สามารถจำลองกับ Si-based รุ่น FET ที่มีอยู่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นเพนทาซีน ( c22h14 ทรานซิสเตอร์ฟิล์มบางอินทรีย์ ) - แรงดันสูงตาม ( hvotft ) พบว่าทั้ง 2 งวด และพื้นผิวมีความยืดหยุ่น การ hvotft พบการย่อยสลายน้อยที่สุดของแรงดันไฟฟ้าปัจจุบัน ( ไฟฟ้า ) ลักษณะภายใต้แรงดัด . สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้านี้ในซิลิคอนอสัณฐาน ( ไม่แน่นอน ) tfts , ชดเชยระบาย / แหล่งปฏิบัติการไฟฟ้าแรงสูงโครงสร้างช่วยให้สามารถ hvotft สลับขนาดใหญ่มากระบายแหล่งแรงดันไฟฟ้า ( VDS > 300 V ) ค่อนข้างต่ำการควบคุมแรงดันไฟฟ้า ( 0 V < ; VG < 20 V ) การ hvotft ประเมิน 3 ฉนวนประตูต่าง ๆ เพื่อประเมินว่าค่าไดอิเล็กทริกและประสิทธิภาพอุปกรณ์อำนาจรัฐอินเตอร์เฟซ เนื่องจากการสูงสนามไฟฟ้าที่สร้างขึ้นในอุปกรณ์ , hvotft ความเดือดร้อนจากผลกระทบค่าใช้จ่ายในการฉีดสาร ช่องรั้ว คล้ายกับที่รายงานใน a-si-based tfts ไฟฟ้าแรงสูง รวมทั้งจาก nonsaturating ไฟฟ้าลักษณะพฤติกรรมที่คล้ายกับที่พบในช่องผลสั้น fets . จานใช้สำหรับปรับปรุงสนามฉีดบุกเข้าไป gated ) ช่อง ลักษณะของผลผลิตของ hvotft มีตัวเลขการแก้ไขเพื่อแสดงให้เห็นว่าอุปกรณ์ไฟฟ้าที่สามารถจำลองกับที่มีอยู่จังหวัดตามรูปแบบเฟต .