By hot-filament (HF) chemical vapor

By hot-filament (HF) chemical vapor deposition (CVD), heavily boron (B)-doped single-crystal diamond (100)
filmswere fabricated and their structural and electrical properties were studied. Wedid not observe the soot formation,
which is frequently observed and limits the performances in the case of microwave plasma (MWP) CVD.
The B concentration was successfully controlled over the range from 1019 to 1021 cm−3. Hillock-free films were
obtained, whose mean surface roughness measured by atomic force microscopy (AFM) was less than 0.1 nm.
From the reciprocal space mapping (RSM) around 113 diamond reflection, it was revealed that the films possess
the smaller lattice expansion than that expected from the Vegard's law. The room-temperature resistivity was
decreased lower than 1mΩ·cmfor B concentration ~1021 cm−3. These results indicate that the HFCVD possesses
large potential for fabricating the device-grade p+ diamond.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยร้อนใย (HF) ไอเคมีสะสมเกี่ยวกับ), หนักโบรอน (B) -doped เดียวคริสตัลเพชร (100)filmswere หลังสร้างและคุณสมบัติของโครงสร้าง และไฟฟ้ากำลังศึกษา Wedid ไม่สังเกตการก่อตัวฟุ้งซึ่งมักจะสังเกต และจำกัดการแสดงในกรณีของพลาสม่าไมโครเวฟ (MWP) ผิว CVDความเข้มข้นของ B ถูกสำเร็จควบคุมช่วงที่จาก 1019 ไป 1021 cm−3 ภาพยนตร์ฟรีอยู่ได้ได้รับ ความหยาบผิวซึ่งหมายถึงวัด โดย microscopy แรงอะตอม (AFM) ได้ในน้อยกว่า 0.1 nmจากพื้นที่อีกแมปสะท้อนเพชร (RSM) ประมาณ 113 มันถูกเปิดเผยว่า ภาพยนตร์มีขยายโครงตาข่ายประกอบมีขนาดเล็กกว่าที่คาดหวังจากกฎหมายของ Vegard มีความต้านทานที่อุณหภูมิห้องลดลงมากกว่า 1mΩ·cmfor B เข้มข้น ~ 1021 cm−3 ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้ว่า HFCVD ที่มีศักยภาพมากสำหรับ fabricating อุปกรณ์เกรด p + เพชร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยร้อนใย (HF) ไอสารเคมีสะสม (CVD) โบรอนอย่างหนัก (B) -doped เพชรเม็ดเดี่ยวคริสตัล (100)
filmswere ประดิษฐ์และคุณสมบัติโครงสร้างและการไฟฟ้าของพวกเขาได้รับการศึกษา ไม่ Wedid
สังเกตการก่อเขม่าที่ซึ่งเป็นที่สังเกตบ่อยครั้งและจำกัด การแสดงในกรณีของพลาสม่าไมโครเวฟ (MWP) CVD.
ความเข้มข้น B ถูกควบคุมประสบความสำเร็จมากกว่าช่วง 1019-1021 ซม-3 ภาพยนตร์เนินฟรีได้รับการได้รับซึ่งมีพื้นผิวที่ขรุขระเฉลี่ยวัดได้โดยใช้กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (AFM) น้อยกว่า 0.1 นาโนเมตร. จากแผนที่พื้นที่ซึ่งกันและกัน (RSM) รอบ 113 สะท้อนเพชรมันก็ถูกเปิดเผยว่าภาพยนตร์มีการขยายตัวตาข่ายมีขนาดเล็กกว่าที่คาดหวังจากกฎหมายของ Vegard ความต้านทานที่อุณหภูมิห้องได้รับการลดลงต่ำกว่า1mΩ· cmfor เข้มข้น B ~ 1,021 ซม-3 ผลการศึกษานี้แสดงให้เห็นว่า HFCVD มีศักยภาพขนาดใหญ่สำหรับการผลิตอุปกรณ์เกรดพี+ เพชร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยเส้นใยร้อน ( HF ) chemical vapor deposition ( CVD ) โบรอน ( B ) , หนักด้วย single-crystal เพชร ( 100 )
ฟิล์มประดิษฐ์และโครงสร้างและสมบัติทางไฟฟ้าได้ wedid ไม่สังเกตเขม่าสะสม
ซึ่งมักพบและจำกัดการแสดงในกรณีของไมโครเวฟพลาสมาซีวีดี ( mwp )
.ความเข้มข้นของ B ได้ควบคุมผ่านช่วงจาก 1019 ถึง 926 cm − 3 ภาพยนตร์ฟรีโขดอยู่
ได้ ซึ่งหมายถึง ความขรุขระของผิววัดด้วยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม ( AFM ) น้อยกว่า 0.1 nm .
จากแผนที่พื้นที่ซึ่งกันและกัน ( RSM ) ประมาณ 113 เพชรสะท้อนพบว่าฟิล์มมีขนาดเล็กกว่า
ตาข่ายขยายตัวคาดว่าจาก Vegard คือกฎหมายห้องอุณหภูมิความต้านทานมันลดลงต่ำกว่า 1m
Ω· cmfor B ความเข้มข้น ~ 1021 cm − 3 ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้ว่า hfcvd ครบถ้วน
ศักยภาพขนาดใหญ่สำหรับ fabricating เกรดอุปกรณ์ระดับเพชร