Fig. 4 shows the optical transmitta

Fig. 4 shows the optical transmittance spectra of ZnGa2O4:Cr3+ films grown on quartz substrates at oxygen pressures of 0 and 1 Pa, respectively. The transmittance spectra show that the two films exhibit high transmittance in the 200–900 nm range. Transmission, however, falls very sharply in the 200–300 nm range due to the onset of fundamental absorption. The absorption edge of the 1-Pa film sample is shifted to a shorter wavelength with respect to that
of the 0-Pa film sample, which indicates that the optical energy gap
is enhanced.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 4 แสดงแรมสเป็คตรา transmittance แสงของฟิล์ม ZnGa2O4:Cr3+ ที่เติบโตบนพื้นผิวควอตซ์ที่ความดันออกซิเจนของ Pa 0 และ 1 ตามลำดับ แรมสเป็คตรา transmittance แสดงว่า ภาพยนตร์สองแสดง transmittance สูงในช่วง 200-900 nm ส่ง ไร ตกอย่างรวดเร็วมากในช่วง 200-300 nm เนื่องจากเริ่มมีอาการของการดูดซึมพื้นฐาน ขอบดูดซึมของตัวอย่างภาพยนตร์ 1 Pa จะจากความยาวคลื่นสั้นลงกับที่ของตัวอย่างฟิล์ม 0-Pa ซึ่งหมายถึงช่องว่างพลังงานแสงเพิ่ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 4 แสดงสเปกตรัมการส่งผ่านแสงของ ZnGa2O4: ภาพยนตร์ Cr3 + ปลูกบนพื้นผิวผลึกที่ความดันของออกซิเจน 0 และ 1 ป่าตามลำดับ สเปกตรัมแสดงให้เห็นว่าการส่งผ่านภาพยนตร์สองเรื่องที่แสดงการส่งผ่านสูงอยู่ในช่วง 200-900 นาโนเมตร ส่ง แต่ตกมากขึ้นอย่างรวดเร็วในช่วง 200-300 นาโนเมตรเนื่องจากอยู่ในช่วงของการดูดซึมพื้นฐาน ขอบการดูดซึมของตัวอย่างภาพยนตร์ 1-Pa จะเลื่อนไปความยาวคลื่นสั้นเกี่ยวกับการที่
ของกลุ่มตัวอย่างภาพยนตร์ 0-Pa ซึ่งบ่งชี้ว่าช่องว่างพลังงานแสง
จะเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แสดงการส่งผ่านแสงสเปกตรัมของ znga2o4 : ภาพยนตร์ที่ปลูกบนพื้นผิวทางเคมีผลึกที่ออกซิเจนความกดดันของ 0 และ 1 ) ตามลำดับ transmittance สเปกตรัมแสดงให้เห็นว่าสองภาพยนตร์ที่แสดงการส่งผ่านสูง ในช่วง 200 - 900 นาโนเมตร . ส่ง แต่จะมากอย่างรวดเร็วในช่วง 200 – 300 nm เนื่องจาก onset ของการพื้นฐานรูปที่ 4 แสดงการส่งผ่านแสงสเปกตรัมของ znga2o4 : ภาพยนตร์ที่ปลูกบนพื้นผิวทางเคมีผลึกที่ออกซิเจนความกดดันของ 0 และ 1 ) ตามลำดับ transmittance สเปกตรัมแสดงให้เห็นว่าสองภาพยนตร์ที่แสดงการส่งผ่านสูง ในช่วง 200 - 900 นาโนเมตร . ส่ง แต่จะมากอย่างรวดเร็วในช่วง 200 – 300 nm เนื่องจาก onset ของการพื้นฐาน