As a result of increased gate volta

As a result of increased gate voltage, when a sufficient number of electrons are attracted to the channel region beneath the gate, an n-channel is in effect established, joining the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในขณะที่เพิ่มขึ้นเป็นผลมาจาก แรงดันประตู เมื่อจำนวนของอิเล็กตรอนที่เพียงพอจะดึงดูดมายังภูมิภาคช่องใต้ประตู n-ช่องผล สำเร็จ การเข้าร่วมการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อันเป็นผลมาจากแรงดันเกตเพิ่มขึ้นเมื่อจำนวนที่เพียงพอของอิเล็กตรอนจะถูกดึงดูดไปยังภูมิภาคช่องใต้ประตูเป็น N-ช่องอยู่ในผลกระทบที่จัดตั้งขึ้นร่วม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลจากการเพิ่มขึ้นของแรงดันหลัก เมื่อจำนวนที่เพียงพอของอิเล็กตรอนที่ถูกดึงดูดไปยังภูมิภาคใต้ช่องประตู เป็นนแชนแนลจะมีผลก่อตั้งร่วม